ESTRUCTURA ANTIREFLEJANTE CUASI-OMNIDIRECCIONAL BASADA EN MULTICAPAS DIELÉCTRICAS DE SILICIO POROSO PARA LA REGIÓN ULTRAVIOLETA MEDIA, VISIBLE E INFRARROJA CERCANA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO.
Estructura antireflejante basada en multicapas de silicio poroso apiladas en forma unidimensional.
Esta capa tiene la capacidad de reflejar menos del 4% de la luz incidente en cualquier ángulo, es decir esta propiedad no depende de la posición en la cual se le oriente. Ello se cumple para un rango de longitudes de onda que van desde 200 nm a 2000 nm y tan sólo con un espesor físico total de 510 nm. La estructura consta de 51 capas con porosidades graduales que van del 92 al 38 %. La longitud de cada capa es constante e igual a 10 nm y el perfil del índice de refracción varía por medio de una función envolvente que crece monótonamente de la forma f(z)=n 0 +(n F -n 0 )(z/L) k, con z la profundidad de la capa. El dispositivo se fabricó con el método de anodizado electroquímico en una solución electrolítica de ácido fluorhídrico y etanol, atacando obleas de silicio de forma galvanostatíca en una interfaz controlada.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/MX2014/000071.
Solicitante: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS.
Nacionalidad solicitante: México.
Dirección: Av. Universidad 1001 Colonia Chamilpa C.P. 62209 Cuernavaca, Morelos, MÉXICO.
Inventor/es: AGARWAL,Vivechana, ARIZA FLORES,Augusto David, PEREZ HUERTA,José Samuel, KUMAR,Yogesh.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G02B1/11 FISICA. › G02 OPTICA. › G02B ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene prioridad; elementos ópticos especialmente adaptados para ser utilizados en los dispositivos o sistemas de iluminación F21V 1/00 - F21V 13/00; instrumentos de medida, ver la subclase correspondiente de G01, p. ej. telémetros ópticos G01C; ensayos de los elementos, sistemas o aparatos ópticos G01M 11/00; gafas G02C; aparatos o disposiciones para tomar fotografías, para proyectarlas o para verlas G03B; lentes acústicas G10K 11/30; "óptica" electrónica e iónica H01J; "óptica" de rayos X H01J, H05G 1/00; elementos ópticos combinados estructuralmente con tubos de descarga eléctrica H01J 5/16, H01J 29/89, H01J 37/22; "óptica" de microondas H01Q; combinación de elementos ópticos con receptores de televisión H04N 5/72; sistemas o disposiciones ópticas en los sistemas de televisión en colores H04N 9/00; disposiciones para la calefacción especialmente adaptadas a superficies transparentes o reflectoras H05B 3/84). › G02B 1/00 Elementos ópticos caracterizados por la sustancia de la que están hechos (composiciones de vidrios ópticos C03C 3/00 ); Revestimientos ópticos para elementos ópticos. › Revestimientos antirreflejantes.
- H01L31/0216 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
- H01L31/028 H01L 31/00 […] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
- H01L31/0368 H01L 31/00 […] › comprendiendo semiconductores policristalinos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
- H01L31/0376 H01L 31/00 […] › comprendiendo semiconductores amorfos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
- H01L33/44 H01L […] › H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00). › caracterizados por los revestimientos, p. ej. capa de pasivación o revestimiento anti-reflectante.
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