Dispositivo de aparato doméstico.

La invención parte de un dispositivo de campo de cocción (12),

en especial, un dispositivo de campo de cocción por inducción, con al menos una unidad de vidrio (14), y con al menos un recubrimiento (16) configurado como estructura de múltiples capas, el cual está dispuesto sobre al menos un área parcial de al menos una superficie principal de la unidad de vidrio (14), y el cual presenta al menos dos capas (20, 21, 22, 23, 24).

Con el fin de conseguir la mayor compatibilidad posible con los sensores de la interfaz de usuario sin necesidad de ningún proceso posterior a la deposición, se propone que al menos una de las capas (21, 23) esté formada por al menos un material semiconductor para hacer la función de capa absorbente.

Dispositivo de aparato doméstico.

La invención parte de un dispositivo de campo de cocción según el preámbulo de la reivindicación 1.

Son conocidos los campos de cocción que, con fines relativos a la coloración, presentan un recubrimiento de múltiples capas, el cual está compuesto por capas de material metálico y aislante.

La tarea de la invención consiste, en especial, en poner a disposición un dispositivo genérico con una durabilidad mejorada y con una alta compatibilidad con la interfaz de usuario (UI) . Según la invención, la tarea se resuelve mediante las características de la reivindicación 1, mientras que de las reivindicaciones secundarias se pueden extraer realizaciones y perfeccionamientos ventajosos de la invención.

La invención parte de un dispositivo de campo de cocción, en especial, un dispositivo de campo de cocción por inducción, con al menos una unidad de vidrio, y con al menos un recubrimiento configurado como estructura de múltiples capas, el cual está dispuesto sobre al menos un área parcial de al menos una superficie principal, en particular, un lado posterior, de la unidad de vidrio, y el cual presenta al menos dos, en especial, al menos cuatro, de manera ventajosa, al menos seis, de manera preferida, al menos ocho, capas.

Se propone que al menos una, en especial, al menos dos, de manera ventajosa, al menos tres, de las capas estén formadas por al menos un material semiconductor. Por “unidad de vidrio”, ha de entenderse, en especial, una unidad que, en gran parte, en especial, en al menos el 50%, ventajosamente, en al menos el 70%,

preferiblemente, en al menos el 90%, esté formada por un material vítreo. Por material “vítreo”, ha de entenderse, en especial, un material, al menos, parcialmente amorfo, en especial, transparente, preferiblemente inorgánico. El material vítreo está formado, en especial, por una vitrocerámica y/o vidrio de borosilicato. La unidad de vidrio presenta especialmente una transparencia de, al menos, el 50%, de manera ventajosa, al menos, el 70%, de manera preferida, al menos, el 90%. Por “transparencia”, ha de entenderse, en especial, transparencia al menos en la región de la luz visible, en especial, al menos en la región de longitudes de onda de entre 450 nm y 720 nm. La unidad de vidrio se diferencia especialmente de una unidad de vidrio translúcido. De manera preferida, la unidad de vidrio está realizada como unidad de placa, en particular, como unidad de placa de campo de cocción. Por “unidad de placa”, ha de entenderse, en especial, una unidad que presente un grosor, el cual presente, como máximo, el 20%, en especial, como máximo, el 10%, ventajosamente, como máximo, el 5%, preferiblemente, como máximo, el 1%, del segundo lado más extenso. Por “grosor” de una unidad, ha de entenderse, en especial, la longitud de canto más corta del menor paralelepípedo que envuelva la unidad por completo. Por “segundo lado más extenso” de la unidad, ha de entenderse, en especial, la segunda longitud de canto más extensa del menor paralelepípedo que envuelva la unidad por completo. Por “unidad de placa de campo de cocción”, ha de entenderse, en especial, una unidad de placa que esté prevista para soportar durante un calentamiento batería de cocción, en particular, una olla, una sartén y/o similares, donde un transporte de energía al recipiente de cocción se produzca preferiblemente a través de la unidad de placa. La placa de campo de cocción presenta especialmente una elevada resistencia a la temperatura, en especial, al menos hasta 100º C, de manera ventajosa, al menos hasta 200º C, de manera preferida, al menos hasta 300º C. En especial, un material de la unidad de placa de campo de cocción presenta un coeficiente de dilatación térmica lineal, bajo cuantitativamente, en especial, inferior a 1·10-6 m/ (m·K) , ventajosamente, inferior a 0’5·10-6 m/ (m·K) , preferiblemente, inferior a 0’1·10-6 m/ (m·K) . Por “estructura de múltiples capas”, ha de entenderse, en especial, una sucesión de, al menos, dos, en especial, al menos, tres, ventajosamente, al menos, cuatro, preferiblemente, al menos, cinco capas. En ello, un grosor de la capa más fina de la estructura de múltiples capas es, en especial,

mayor que el 0’5%, en especial, mayor que el 1%, ventajosamente, mayor que el 2%, de manera especialmente ventajosa, mayor que el 5%, preferiblemente, mayor que el 10%, de un grosor de la capa más gruesa de la estructura de múltiples capas. En especial, cada capa de la estructura de múltiples capas presenta un grosor que es inferior a 2 μm, en especial, inferior a 1’5 μm, preferiblemente, inferior a 1 µm y, en especial, mayor que 1 nm, ventajosamente, mayor que 2 nm, de manera preferida, mayor que 4 nm. La estructura de múltiples capas presenta especialmente un grosor que sea inferior a 2 μm, en especial, inferior a 1’5 μm, preferiblemente, inferior a 1 µm y, en especial, mayor que 3 nm, ventajosamente, mayor que 6 nm, preferiblemente, mayor que 9 nm. De manera preferida, una primera capa de la estructura de múltiples capas está en contacto directo con la unidad de vidrio. Por “área parcial”, ha de entenderse al menos una, en especial, exactamente una, superficie continua que esté limitada por al menos una, en especial, exactamente una, línea cerrada. Por “superficie principal” de la unidad de vidrio, ha de entenderse, en especial, una superficie continua, de manera preferida, sin doblamientos, la cual constituya al menos el 20%, en especial, al menos el 30%, de manera ventajosa, al menos el 40%, de manera preferida, al menos el 45%, de una superficie total de la unidad de vidrio. De manera preferida, la superficie principal yace, al menos básicamente, en un plano. Por “lado posterior” de la unidad de vidrio, ha de entenderse, en especial, un lado de la unidad de vidrio que se diferencie de un lado de la unidad de vidrio que, en un estado de funcionamiento del dispositivo de aparato doméstico, sea accesible directamente para un usuario. En ello, puede tratarse especialmente de un lado inferior de una placa de campo de cocción. Por “material semiconductor”, ha de entenderse, en especial, un material, en particular, una aleación o una sustancia pura, que presente una banda prohibida de, al menos, 0’01 eV, en especial, al menos 0’03 eV, de manera ventajosa, al menos 0’1 eV, de manera preferida, al menos 0’15 eV. El material semiconductor proviene especialmente del grupo Ge, Si, SiAl, InAs, GaAs, InSb, GaSb y/o aleaciones de los mismos. Por “previsto/a”, ha de entenderse, en especial, conformado/a, concebido/a y/o provisto/a de manera específica. De manera preferida, las capas de la estructura de múltiples capas están aplicadas mediante un procedimiento de deposición física en fase gaseosa, en particular, pulverización catódica con magnetrón. El recubrimiento está previsto especialmente para una coloración de la unidad de vidrio. Se puede conseguir especialmente una durabilidad mejorada y/o una resistencia a la temperatura elevada, así como una mayor flexibilidad en lo referente a una coloración conseguible del recubrimiento. Además, se puede conseguir la mayor compatibilidad posible con los sensores de la UI sin que se requiera ningún procesamiento posterior en la fabricación.

Asimismo, se propone que, junto a la al menos una capa que está formada por un material semiconductor, el recubrimiento presente únicamente capas de material semiconductor y/o material aislante. Por material

“aislante”, ha de entenderse, en especial, un material que presente un intervalo prohibido de, al menos, 3 eV. El

material aislante es especialmente un material de los grupos de los óxidos y/o nitruros de Sn, Zn, Ti, Al, Si, Nb, Ta y/o aleaciones de los mismos. En especial, las capas de material aislante presentan una transparencia de, al menos, el 50%, en especial, al menos, el 70%, de manera ventajosa, al menos, el 90%. Al menos una capa terminal de la estructura de múltiples capas está especialmente formada por un material aislante para minimizar una influencia química del aire circundante sobre la capa de material aislante. Por capa “terminal” de la estructura de múltiples capas, ha de entenderse, en especial, una capa de la estructura de múltiples capas cuya distancia con respecto a la unidad de vidrio sea máxima de entre todas las capas de la estructura de múltiples capas. Los materiales de todas las capas del recubrimiento se diferencian especialmente de materiales conductores, en particular, metálicos. Se puede conseguir especialmente una durabilidad mejorada, ya que se reduce un...

1. Dispositivo de campo de cocción, en especial, dispositivo de campo de cocción por inducción, con al menos una unidad de vidrio (14) , y con al menos un recubrimiento (16) configurado como estructura de múltiples capas, el cual está dispuesto sobre al menos un área parcial de al menos una superficie principal de la unidad de vidrio (14) , y el cual presenta al menos dos capas (20, 21, 22, 23, 24) , caracterizado porque al menos una de las capas (21, 23) está formada por al menos un material semiconductor.

2. Dispositivo de campo de cocción según la reivindicación 1, caracterizado porque, junto a la al menos una capa (21, 23) que está formada por un material semiconductor, el recubrimiento (16) presenta únicamente capas (20, 21, 22, 23, 24) de material semiconductor y/o material aislante.

3. Dispositivo de campo de cocción según una de las reivindicaciones enunciadas anteriormente, caracterizado porque el recubrimiento (16) presenta, al menos, una capa (22) de material aislante eléctricamente, la cual está dispuesta entre al menos dos capas (21, 23) que están formadas por material semiconductor.

4. Dispositivo de campo de cocción según una de las reivindicaciones enunciadas anteriormente, caracterizado porque la unidad de vidrio (14) está realizada como unidad de placa de campo de cocción.

5. Dispositivo de campo de cocción según una de las reivindicaciones enunciadas anteriormente, caracterizado porque el recubrimiento (16) presenta una transparencia (T1, T2, T3, T4, T5) de, como máximo, el 20%.

6. Dispositivo de campo de cocción según una de las reivindicaciones enunciadas anteriormente, caracterizado porque el recubrimiento (16) presenta un grosor de, como máximo, 10 µm.

7. Dispositivo de campo de cocción según una de las reivindicaciones enunciadas anteriormente, caracterizado porque el recubrimiento (16) está previsto para generar una apariencia metálica.

8. Dispositivo de campo de cocción según una de las reivindicaciones enunciadas anteriormente, caracterizado por, al menos, una unidad de electrónica (60) que está prevista para medir y evaluar, al menos, un parámetro eléctrico de al menos la capa (21, 23) que está formada por un material semiconductor.

9. Dispositivo de campo de cocción según la reivindicación 8, caracterizado porque la unidad de electrónica (30) está prevista para captar, al menos, un parámetro de seguridad.

10. Campo de cocción, en especial, campo de cocción por inducción, con al menos un dispositivo de campo de cocción (12) según una de las reivindicaciones enunciadas anteriormente.