PROCEDIMIENTO DE REALIZACIÓN DE DEPÓSITOS LOCALIZADOS.

La invención se refiere al campo de las técnicas de depósito, en particular por PECVD, evaporación o pulverización catódica. La misma permite localizar un depósito efectuado por medio de estas técnicas. La invención se aplica en especial a la realización de células fotovoltaicas, en particular a la realización de electrodos, de tipo n o de tipo p. Más en general, es conveniente para la formación de motivos que tengan, por ejemplo, una anchura del orden del milímetro, separados entre sí por una anchura del orden del milímetro, o menor. Las técnicas habitualmente utilizadas en microelectrónica, en el sector de los semiconductores, como la fotolitografía, no son utilizables para realizar depósitos localizados, de manera simple, a costes asequibles. En efecto, estas técnicas necesitan realizar un depósito continuo, o de placa completa, después de eliminar, mediante grabado, las zonas inservibles. Estas técnicas son lentas y costosas. Las técnicas que permite realizar depósitos localizados, además de las utilizadas en microelectrónica, son esencialmente: - las técnicas de depósitos electrolíticos, que son demasiado costosas; - las técnicas que utilizan una máscara mecánica: si bien una máscara mecánica puede perturbar un plasma utilizado durante el depósito, mientras que una máscara de otro material, por ejemplo de polímero, no presenta el nivel de estabilidad requerido; - las técnicas por impresión: éstas interesan para las emulsiones, pero no para otros materiales. La técnica de formación de dos capas de máscaras sobre un substrato y de grabado de una cavidad en estas dos capas, es conocida por el documento US-A-4614564. Se plantea por tanto el problema de realizar depósitos localizados de manera más simple y menos costosa que con las técnicas conocidas. Exposición de la invención Según la invención, se realiza una máscara, denominada de depósito, en un conjunto de n capas, siendo n con preferencia igual a 1, 2 ó 3, que reposa sobre un substrato y que define aberturas o cavidades sobre esta substrato, en o sobre las que se debe efectuar un depósito localizado de un material. A este fin, las cavidades tienen un perfil tal que durante la operación de depósito, partes de estas cavidades no son recubiertas con el material a depositar, formando así discontinuidades, y resultando posible una eliminación de la máscara a partir de estas zonas no recubiertas o de estas discontinuidades. La formación de estas zonas no recubiertas o de estas discontinuidades permite, en efecto, eliminar la máscara fácilmente, por ataque químico que utiliza las discontinuidades como una ruta privilegiada. La máscara de depósito puede ser realizada, por ejemplo, con la ayuda de una máscara de resina o de una pasta de polímero. Esta última se forma, por ejemplo, por medio de serigrafía. Ello permite definir en el apilamiento de n capas, zonas a grabar para formar las cavidades mediante las que se podrá acceder al substrato. Gracias a la máscara de depósito, se va a poder localizar a continuación un depósito de un material que ha sido efectuado por medio de una técnica tal como, por ejemplo, PECVD, evaporación o pulverización catódica. La invención tiene por tanto como objeto un procedimiento de realización de un depósito no continuo de un primer material sobre un substrato, que comprende: a) la formación de una máscara sobre este substrato, mediante formación de al menos dos capas de máscara, una capa superior y una capa inferior, la más próxima al substrato, y el grabado de al menos una cavidad en estas capas, teniendo esta cavidad un perfil tal que un depósito, realizado sobre el substrato a través de las cavidades de la máscara, presente al menos una discontinuidad sobre el citado perfil de la cavidad; b) el depósito del primer material, de silicio amorfo, sobre el substrato, a través de las cavidades de la máscara, 2 E08735767 22-12-2011   incluyendo este depósito al menos una discontinuidad sobre el perfil de la citada cavidad, y a continuación la oxidación del silicio amorfo; c) la eliminación de la máscara. La formación de las cavidades puede incluir un depósito, localizado previamente, sobre las citadas dos capas de máscara, de una capa de una pasta de polímero o de resina en zonas de grabado de las citadas dos capas de máscara. La capa de polímero o de resina se elimina, o no, con anterioridad a la etapa b). El espesor del depósito de pasta de polímero o de resina está comprendido, por ejemplo, entre 300 nm y 10 µm. El grabado de al menos la capa más próxima al substrato es con preferencia un grabado no anisótropo, por ejemplo un grabado isótropo. Las dos capas presentan con preferencia velocidades de grabado diferentes entre sí. Por ejemplo, la capa superior es más resistente a una química de grabado (seca o húmeda) que la capa inferior. La capa superior puede ser también grabada, a continuación, mediante una química de grabado diferente de la utilizada para grabar entonces la capa inferior de la bi-capa. Estas dos capas tienen, por ejemplo, un espesor comprendido entre 100 nm y 2000 nm. El primer material que se va a depositar sobre el substrato es silicio amorfo, siendo este último oxidado en la superficie después de la etapa b) de depósito. El grabado de la etapa a) permite obtener, con preferencia, flancos redondeados al menos en la capa inferior. Incluso con preferencia, éste permite obtener un grabado de la capa superior de manera que forme un saliente por encima de la zona grabada en la capa inferior. Este saliente tiene por ejemplo una longitud que es al menos igual al espesor de la capa inferior. En cuanto a la etapa c), la misma puede ser realizada mediante grabado químico de las capas que forman máscara, por las zonas del primer material que forman discontinuidades. Breve descripción de los dibujos Las figuras 1A y 1B representan etapas de un modo de realización de un procedimiento según la invención, con una máscara de dos capas, las figuras 2 a 8 representan etapas de un modo de realización de un procedimiento según la invención, la figura 9 representa un modo de realización de un procedimiento según la invención, con una máscara de tres capas, la figura 10 representa depósitos residuales laterales después de la eliminación de una máscara. Exposición detallada de modos de realización particulares Según se ha ilustrado en la figura 1A, la invención permite realizar una máscara de depósito constituida en esta figura por dos capas 4, 6 superpuestas, denominada bi-capa. Esta máscara presenta cavidades 100 que permiten definir las zonas, sobre el substrato 2, en las que podrá realizarse a continuación un depósito. Se ha representado en este caso una única cavidad, pero se podría haber previsto un número cualquiera de ellas (dos o más). La figura 1B representa una cavidad 100 a mayor tamaño. Ésta ha sido realizada en la bi-capa y presenta un perfil lateral 7 tal que, durante un depósito 150 del material a depositar, porciones 11, 11 se mantendrán libres de este depósito. Así, se puede apreciar en la figura 1B que se ha efectuado un depósito 14, 14, 16 en el fondo de una cavidad 100, así como sobre la cara superior de la capa 6 (este depósito ha sido referenciado con 14, 16), mientras que el depósito no alcanza las zonas 11, 11, formadas por una porción avanzada o un saliente 60, 62 de la capa 6, y que delimitan una cavidad 10 formada en la capa 6, por encima de la capa 10 grabada en la capa 4. Cada una de las zonas 11, 11 inferiores de los salientes o de las porciones avanzadas de la capa 6 tiene una extensión lateral o una longitud l. Es posible determinar, mediante pruebas simples, en especial en función del espesor de material que se va a depositar localmente, la longitud l que permite obtener un depósito discontinuo (es decir, en ausencia de depósito a nivel de una parte al menos de las zonas 11, 11). En el ejemplo representado en estas figuras, se han grabado sucesivamente las dos capas 6 y 4, para obtener una cavidad 10, 10 en cada capa. Un grabado no anisótropo permite realizar las cavidades 10, 10 de flancos redondeados 100, 101, 100, 101 y un saliente 60, 62 desde la capa superior 6 por encima de la cavidad 10 formada en la capa 4. 3 E08735767 22-12-2011   Las cavidades 100 tienen un efecto de enfoque de la materia durante su depósito 150. Sin embargo, pueden producirse efectos debidos a los bordes de estas aberturas. Así, las referencias 150, 150 designan, en la figura 1B, flujos de materia a depositar que, debido a los salientes 60, 62, van a ser dirigidos lateralmente para formar las zonas laterales 140, 140 del depósito 14 en el fondo de la cavidad 100. Estas zonas laterales no alcanzan las caras inferiores 11, 11 de los salientes 60, 62, es decir las caras inferiores que están vueltas hacia la cavidad 10. Otras etapas de un modo de realización de... [Seguir leyendo]

1.- Procedimiento de realización de un depósito (14) no continuo de un primer material sobre un substrato (2), que incluye: a) la formación de una máscara sobre este substrato (2), mediante la formación de al menos dos capas (4, 6) de máscara, una capa superior (6) y una capa inferior (4), la más próxima al substrato (2), y el grabado de al menos una cavidad (100, 10, 10, 12, 12) en estas capas (4, 6), teniendo la citada al menos una cavidad (100, 10, 10, 12, 12) un perfil tal que un depósito (14) realizado sobre el substrato (2), a través de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10, 12, 12) de la máscara, presenta al menos una discontinuidad sobre el perfil de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10, 12, 12), b) el depósito (14) del primer material (14, 16, 14, 16), de silicio amorfo, sobre el substrato (2), a través de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10, 12, 12) de la máscara, incluyendo este depósito (14) al menos una discontinuidad sobre el perfil de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10, 12, 12), y a continuación la oxidación del silicio amorfo, c) la eliminación de la máscara. 2.- Procedimiento según la reivindicación 1, en el que la formación de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10, 12, 12) incluye un depósito localizado previo, sobre las dos citadas capas (4, 6) de máscara, de una capa de una pasta de polímero o de resina (8) que delimita, entre las zonas de depósito, zonas de grabado de las citadas dos capas (4, 6 ) de máscara. 3.- Procedimiento según la reivindicación 2, en el que la capa de polímero o de resina (8) es eliminada con anterioridad a la etapa b), o no es eliminada con anterioridad a la etapa b). 4.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 3, en el que el grabado de al menos la capa (4), la más próxima al substrato, es un grabado no anisótropo. 5.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 4, en el que las dos capas (4, 6) superpuestas presentan velocidades de grabado diferentes cada una respecto a la otra. 6.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 5, en el que las dos capas (4, 6) superpuestas tienen un espesor total comprendido entre 100 nm y 2000 nm. 7.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 6, en el que la capa superior (6) es más resistente a una química de grabado que la capa inferior (4). 8.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 7, en el que capa superior (6) es grabada mediante una química de grabado diferente de la utilizada para grabar a continuación la capa inferior (4). 9.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 8, en el que las dos capas (4, 6) superpuestas incluyen: - una capa (6) de nitruro de silicio SiN sobre una capa (4) de óxido de silicio, - o una capa (6) de óxido de silicio SiOx sobre una capa (4) asimismo de óxido de silicio SiOy (siendo x y), - o una capa (6) de óxido de silicio sobre una capa (4) de FSG, - o una capa (6) de SiN sobre una capa (4) de FSG, - o una capa (6) de nitruro de silicio SiN sobre una capa (4) de FSG, - o una capa (6) de nitruro de silicio SiN sobre una capa (4) de SOG, - o una capa (6) de SOG (SOG1) sobre una capa (4) de SOG (SOG2), - o una capa (6) de un dieléctrico orgánico BCB sobre una capa (4) de óxido de silicio. 10.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 9, en el que la formación de la máscara incluye la formación de una capa suplementaria (40) sobre las dos capas (4, 6) de máscara, pudiendo esta capa suplementaria no ser atacada lateralmente durante la etapa de grabado de la cavidad. 11.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 10, en el que el grabado de la capa inferior (4), y eventualmente de la capa superior (6), son de tipo químico por HF. 7 E08735767 22-12-2011   12.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 11, en el que la oxidación del silicio amorfo tiene lugar durante una duración que permite oxidar completamente, o casi completamente, las partes laterales (140, 140) del silicio amorfo depositado en el fondo de las cavidades, sin oxidar los depósitos (14, 16) de silicio amorfo realizados en el fondo de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10, 12, 12) de una manera distinta de la manera superficial. 13.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 12, en el que la etapa b) de depósito se efectúa por PECVD, o por evaporación o pulverización catódica. 14.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 13, en el que el grabado de la etapa a) permite obtener flancos redondeados (100, 101) al menos en la capa inferior (4) y/o un grabado de la capa superior (6) de manera que forma un saliente (60, 62) por encima de la zona grabada en la capa inferior. 15.- Procedimiento según una de las reivindicaciones 1 a 14, en el que la etapa c) se realiza por grabado químico de las capas (4, 6) que forman la máscara, por medio de las zonas de primer material que forman discontinuidades. 8 E08735767 22-12-2011   9 E08735767 22-12-2011   E08735767 22-12-2011   11 E08735767 22-12-2011   12 E08735767 22-12-2011