PROTECTORES PARA ELECTRODOS DE MEMORIA MAGNETICA DE ACCESO ALEATORIO (MRAM).
Un dispositivo de memoria magnética en un circuito integrado, teniendo el dispositivo de memoria magnética un electrodo de fondo (10) sobre un substrato semiconductor;
y una región de bits (24) sensible a los campos magnéticos, donde la región de bits (24) se forma sobre el electrodo de fondo (10); caracterizado por Un protector magnético (54/52); Un electrodo superior (44/74) en una zanja damasquinada (38) formada en una capa aislante (36), donde el electrodo superior (44/74) tiene una superficie de fondo orientada en dirección a la región de bits (24), una superficie superior orientada en dirección opuesta a la región de bits (24), y dos superficies laterales orientadas en dirección opuesta a la región de bits (24), en donde la superficie superior del electrodo superior (44/74) define un nicho (82) que es adaptado para acomodar al menos una porción del protector magnético (54/52).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 8000 SOUTH FEDERAL WAY, MAIL STOP 525, P.O. BOX 6,BOISE, ID 83707-0006.
Inventor/es: TUTTLE,MARK,E.
Fecha de Publicación: .
Clasificación PCT:
- H01L21/8246 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Estructuras de memorias de solo lectura (ROM).
- H01L27/105 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › comprendiendo componentes de efecto de campo.
- H01L27/22 H01L 27/00 […] › con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos.
- H01L43/08 H01L […] › H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Resistencias controladas por un campo magnético.
Patentes similares o relacionadas:
Dispositivo de unión túnel magnética y su fabricación, del 6 de Enero de 2016, de QUALCOMM INCORPORATED: Un aparato que comprende:
un dispositivo de unión túnel magnética que comprende:
una capa libre ; y
una capa de realce […]
Estructura de unión túnel magnética, del 1 de Abril de 2015, de QUALCOMM INCORPORATED: Una célula MTJ que comprende: una zanja en un sustrato ; una estructura MTJ dentro de la zanja, teniendo la zanja dimensiones que determinan la forma […]
Célula de unión túnel magnética que incluye múltiples dominios magnéticos, del 27 de Agosto de 2014, de QUALCOMM INCORPORATED: Una estructura de unión túnel magnética, (MTJ), que comprende:
una célula MTJ que comprende múltiples paredes laterales que se extienden […]
Elemento magnético que utiliza pasivación de pared lateral protectora, del 11 de Marzo de 2013, de QUALCOMM INCORPORATED: Un aparato que comprende: un elemento de unión de túnel magnético (MTJ) que comprende: una primera capa ferromagnética; una segunda capa ferromagnética, […]
Celda de memoria y procedimiento de formación de una unión de túnel magnético (MTJ) de una celda de memoria, del 17 de Octubre de 2012, de QUALCOMM INCORPORATED: Una memoria que comprende: un sustrato en un primer plano; una primera conexión metálica que se extiende en un segundo plano, […]
MATERIAL SOLIDO CON ESTRUCTURA DE ORBITALES ELECTRONICOS CUASICOMPLETAMENTE POLARIZADOS, SU PROCEDIMIENTO DE OBTENCION Y SU USO EN ELECTRONICA Y NANOELECTRONICA, del 1 de Junio de 2005, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS: Material sólido con estructura de orbitales electrónicos cuasi completamente polarizados su procedimiento de obtención y su uso en electrónica y nanoelectrónica. El objeto […]
MAGNETORRESISTENCIA DE EFECTO TUNEL Y CAPTADOR MAGNETICO QUE UTILIZA DICHA MAGNETORRESISTENCIA., del 1 de Diciembre de 2002, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE: Magnetorresistencia de efecto túnel que comprende, bajo la forma de un apilamiento: 5 - una primera capa de material magnético de imantación libre, - una capa […]
POTENCIOMETRO MODULADO MAGNETICAMENTE BASADO EN LAS PROPIEDADES MAGNETORESISTIVAS DE OXIDOS DE MANGANESO., del 16 de Noviembre de 2000, de CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS: Potenciómetro modulado magnéticamente basado en las propiedades magnetoresistivas de óxidos de manganeso. Esta invención consiste en el desarrollo de un […]