DISPOSITIVO DE SISTEMA MICROELECTROMECANICO CON ACTUADOR PIEZOELECTRICO DE PELICULA DELGADA.

Un dispositivo (10) de sistema microelectromecánico (MEMS) de radiofrecuencia (RF),

que comprende: un sustrato (24) de circuito RF y una vía conductora RF (32, 34) dispuesta en el sustrato (24) de circuito RF; un actuador piezoeléctrico (16) de película delgada que tiene un extremo próximo que está fijado con respecto al sustrato (24) de circuito RF y un extremo en voladizo que está separado del sustrato (24) del circuito RF; un electrodo (18) de vía conductora dispuesto en el extremo en voladizo del actuador piezoeléctrico (16) de película delgada; en el que el extremo en voladizo del actuador piezoeléctrico (16) de película delgada puede moverse entre una primera posición en la que el electrodo (18) de vía conductora está separado del electrodo (32, 34) de vía RF una primera distancia y en una segunda posición en la que el electrodo (18) de vía conductora está separado del electrodo (32, 34) de vía RF una segunda distancia, y en el que la segunda distancia es cero o menor que la primera distancia; y en el que el actuador piezoeléctrico (16) de película delgada incluye un primer electrodo (49), un segundo electrodo (42), una capa elástica (50) dispuesta sobre el segundo electrodo (42), una capa aislante dispuesta sobre la capa elástica a lo largo de un plano sustancialmente paralelo a la superficie del sustrato del circuito RF, y una capa piezoeléctrica (44) dispuesta entre los electrodos primero y segundo (40, 42), la capa aislante reduce la formación de arco eléctrico entre los electrodos primero y segundo.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: RAYTHEON COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 870 WINTER STREET,WALTHAM, MA 02451-1449.

Inventor/es: PARK,JOON,C/O RAYTHEON COMPANY, NAKAHIRA,RON,K.,C/O RAYTHEON COMPANY, ALLISON,ROBERT,C.,C/O RAYTHEON COMPANY.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 4 de Abril de 2007.

Clasificación PCT:

  • B81B3/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B81 TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS.B81B DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA, p. ej. DISPOSITIVOS MICROMECANICOS (elementos piezoeléctricos, electroestrictivos o magnetoestrictivos en sí H01L 41/00). › Dispositivos que tienen elementos flexibles o deformables, p.ej. que tienen membranas o láminas elásticas (B81B 5/00 tiene prioridad).
  • H01G5/16 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01G CONDENSADORES; CONDENSADORES, RECTIFICADORES, DETECTORES, CONMUTADORES O DISPOSITIVOS FOTOSENSIBLES O SENSIBLES A LA TEMPERATURA, DEL TIPO ELECTROLITICO (empleo de materiales especificados por sus propiedades dieléctricas H01B 3/00; condensadores con una barrera de potencial o una barrera de superficie H01L 29/00). › H01G 5/00 Condensadores en los cuales la capacidad se varía por medios mecánicos, p. ej. por giro de un eje; Procesos para su fabricación. › con variación de la distancia entre armaduras.
  • H01H57/00 H01 […] › H01H INTERRUPTORES ELECTRICOS; RELES; SELECTORES; DISPOSITIVOS DE PROTECCION DE EMERGENCIA (cables de contacto H01B 7/10; interruptores automáticos de tipo electrolítico H01G 9/18; circuitos de protección, de seguridad H02H; conmutación por medios electrónicos sin cierre de contactos H03K 17/00). › Relés electroestrictivos; Relés piezoeléctricos.
  • H01L41/09 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › de entrada eléctrica y salida mecánica.
  • H01L41/24
DISPOSITIVO DE SISTEMA MICROELECTROMECANICO CON ACTUADOR PIEZOELECTRICO DE PELICULA DELGADA.

Patentes similares o relacionadas:

Servo-válvula de actuador piezoeléctrico redundante asimétrico, del 10 de Junio de 2019, de Zodiac Hydraulics: Planta de pilotaje de una servo-válvula , constando la planta de pilotaje de un elemento hidráulico para eyectar un chorro de […]

Lente óptica con actuador piezoeléctrico, del 24 de Abril de 2019, de PoLight ASA: Un elemento del dispositivo óptico transparente que comprende: a. Una lente óptica , que comprende i. al menos un cuerpo […]

Sistema pulverizador, del 28 de Febrero de 2018, de Air Aroma Research Pty. Limited: Un sistema pulverizador que comprende un cartucho que comprende: - un contenedor para contener un líquido ; - un miembro […]

Transductor ultrasónico y procedimiento para la fabricación de un transductor ultrasónico, del 31 de Agosto de 2016, de SICK AG: Dispositivo de medición de ultrasonido para la determinación de una velocidad de flujo de un fluido que fluye por una tubería […]

Dispositivo o actuador piezoeléctrico de recogida de energía, del 17 de Agosto de 2016, de Altenergis Plc: Un dispositivo o actuador de recogida de energía piezoeléctrica que comprende un material piezoeléctrico sobre un sustrato, en el que dicho material piezoeléctrico se divide […]

Actuador plano piezoeléctrico de gran desplazamiento a cizalladura, del 27 de Julio de 2016, de Office National D'etudes Et De Recherches Aérospatiales (ONERA): Actuador piezoeléctrico de gran desplazamiento de cizalladura en una dirección escogida, que presenta una estructura de emparedado que incluye al menos una capa activa […]

Revestimientos poliméricos mecánicamente invisibles, del 20 de Julio de 2016, de DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET: Una composición que comprende una fase continua y una fase discontinua incorporada en la misma, en donde la fase continua comprende un primer material polimérico […]

ACTUADOR DE CRISTAL LÍQUIDO DISPERSADO EN ELASTÓMERO, del 22 de Marzo de 2016, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC): Actuador de cristal líquido dispersado en elastómero. La presente invención se refiere a un material que comprende un cristal líquido tipo termotrópico […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .