DISPOSICION DE CIRCUITO DE SEMICONDUCTORES, ESPECIALMENTE CONVERTIDOR DE ALTA INTENSIDAD CON BAJA TENSION DEL CIRCUITO INTERMEDIO.

Disposición de circuito de semiconductores, especialmente convertidor de alta intensidad con baja tensión del circuito intermedio,

que contiene: - una placa (ZP) de circuito impreso del circuito intermedio, especialmente una placa de circuito impreso de múltiples capas; - una superficie (KF) de enfriamiento principal separada de la placa (ZP) de circuito impreso del circuito intermedio y paralela a ésta; - componentes (C;L) pasivos del circuito intermedio y componentes (T) de potencia discretos, activos con superficies (TF) de enfriamiento individuales integradas por la parte posterior; - una disposición de los componentes (C;L) pasivos del circuito intermedio y de los componentes (T) de potencia discretos en el espacio (A) de separación entre la placa (ZP) de circuito impreso del circuito intermedio y la superficie (KF) de enfriamiento principal; - una disposición de los componentes (C;L) del circuito intermedio y / o de los componentes (T) de potencia con extremos (P) de contacto dirigidos contra la placa (ZP) de circuito impreso del circuito intermedio y conectados con ésta; - una disposición de los componentes (T) de potencia en el sentido de una superficie (TF) de enfriamiento individual que, en cada caso, forma un ángulo inclinado hacia la superficie (KF) de enfriamiento principal; - una transmisión de calor, como mínimo, entre las superficies (TF) de enfriamiento individuales, por una parte, y la superficie (KF) de enfriamiento principal, por otra parte, por medio de una pieza (WL) termoconductora que está en contacto termoconductor con las superficies (TF) de enfriamiento individuales y la superficie (KF) de enfriamiento principal; - una pieza (AS) de presión con la cual pueden presionarse los componentes (T) de potencia, con sus superficies (TF) de enfriamiento individuales, en la dirección de la presión, perpendicularmente a la superficie (KF) de enfriamiento principal contra la pieza (WL) termoconductora.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.

Inventor/es: ALLWANG, REINHARD.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 18 de Junio de 2003.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H02M7/00 ELECTRICIDAD.H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA.H02M APARATOS PARA LA TRANSFORMACION DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE ALTERNA, DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE CONTINUA O DE CORRIENTE CONTINUA EN CORRIENTE CONTINUA Y UTILIZADOS CON LAS REDES DE DISTRIBUCION DE ENERGIA O SISTEMAS DE ALIMENTACION SIMILARES; TRANSFORMACION DE UNA POTENCIA DE ENTRADA EN CORRIENTE CONTINUA O ALTERNA EN UNA POTENCIA DE SALIDA DE CHOQUE; SU CONTROL O REGULACION (transformadores H01F; convertidores dinamoeléctricos H02K 47/00; control de los transformadores, reactancias o bobinas de choque, control o regulación de motores, generadores eléctricos o convertidores dinamoeléctricos H02P). › Transformación de una potencia de entrada en corriente alterna en una potencia de salida en corriente continua; Transformación de una potencia de entrada en corriente continua en una potencia de salida en corriente alterna.
  • H05K7/20 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENCAPSULADOS O DETALLES DE LA CONSTRUCCIÓN DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS.H05K 7/00 Detalles constructivos comunes a diferentes tipos de aparatos eléctricos (encapsulados, armarios, cajones H05K 5/00). › Modificaciones para facilitar la refrigeración, ventilación o calefacción.
DISPOSICION DE CIRCUITO DE SEMICONDUCTORES, ESPECIALMENTE CONVERTIDOR DE ALTA INTENSIDAD CON BAJA TENSION DEL CIRCUITO INTERMEDIO.

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