DISPOSITIVOS DE PROTECCION DE CIRCUITOS ELECTRICOS COMPRENDIENDO COMPOSICIONES DE POLIMEROS DE CRISTAL LIQUIDO CONDUCTORES PTC.
DSIPOSITIVOS DE PROTECCION DE CIRCUITOS ELECTRICOS (1) QUE CONTIENEN ELEMENTOS PTC (2) COMPUESTOS DE POLIMEROS CONDUCTIVOS (3) QUE MUESTRAN COMPORTAMIENTO PTC Y SON USADOS PARA PROTEGER UNA CARGA EN UN CIRCUITO ELECTRICO,
EN LOS QUE LOS POLIMEROS CONDUCTIVOS PTC ESTAN BASADOS EN POLIMEROS DE CRISTAL LIQUIDO (3.1) ALTAMENTE ORDENADOS Y ALTAMENTE CRISTALINOS Y RELLENO CONDUCTOR DE PARTICULAS (3.2) ESPARCIDAS DENTRO, QUE ESTAN UNIDAS POR RADIACION. ESTOS DISPOSITIVOS DE PROTECCION DE CIRCUITOS (1) OPERAN COMO LIMITADORES DE CORRIENTE RESETEABLES AUTOMATICAMENTE Y SON PARTICULARMENTE UTILES PARA PROTEGER MOTORES, SELENOIDES, LINEAS DE TELEFONO Y BATERIAS, Y PARA AUMENTAR LA CAPACIDA DE INTERRUPCION DEL CIRCUITO CUANDO SE USA EN UNION CON ITNERRUPTORES Y CONTACTOS. LOS POLIMEROS DE CRISTAL LIQUIDO (3.1) INCLUYEB POLIESTERES; EJEMPLO, POLIETILENO (P-FENILENO TREFTALEITA) Y POLIETILENO (P-HIDROXIBENZOATO); COPOLIESTERES AROMATICOS, EJEMPLO; POLIETILENO (DECA-METILNOTRIFTALEITOL DI-PHIDROXIBENZOATO) Y POLIETILENO (ETILENO TRIFTALEITA-COOXIBENZOATO); AMIDAS COPOLIESTERES AROMATICAS, EJEMPLO; POLIETILENO (2,6,-HIDROXI-NAFTOLFENOXIAMINOTREFTALEITA);POLIAMIDAS AROMATICAS,POR EJEMPLO,POLIETILENO (P-FENILO-TREFTALEIAMIDA) , KEVLAR, POLIETILENO (P-BENZOAMIDA),POLIETILENO (2-CLORO-1,4-FENILO TREFTALEIAMIDA), POLIETILENO (P-P'-BIFENILAMIDA), Y POLIETILENO (2,6-NAFTOLAMIDA); POLIAZOMETILOS AROMATICOS, POR EJEMPLO POLIETILENO (NITRO-2-METIL-1, 4-FENILENONITRILOETILIDINO-1 , 4FENILOETILIDINO), POLIETILENO (NITRILO-2-METIL-1, 4FENILINONITRILO-METILIDINA-1 , 4-FENILOETILIDINO), Y POLIETILENO (NITRILO-2-CLORO-1, 4-FENILONITRILOMETILIDINA-1 ,4FENILOMETILIDINA); Y COMPOSICIONES DE LAS MISMAS. LOS RELLENOS CONDUCTIVOS DE PARTICULSA (3.2) INCLUYEB MANCHAS DE CARBON, FIBRAS DE CARBON, GRAFITO Y TROZOS DE METAL.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EATON CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: EATON CENTER, 1111 SUPERIOR AVENUE,CLEVELAND, OHIO 44114-2584.
Inventor/es: SMITH, JAMES DAVID BLACKHALL, SCHOCH, KARL FREDRICK, JR., PUSATCIOGLU, SELAMI, LAI, XIAOYUN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 22 de Enero de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01C7/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01C RESISTENCIAS. › H01C 7/00 Resistencias fijas constituidas por una o varias capas o revestimientos; Resistencias fijas constituidas de un material conductor en polvo o de un material semiconductor en polvo con o sin material aislante (constituidas de material pulverulento o granular H01C 8/00; resistencias con barrera de potencial o barrera de superficie, p. ej. resistencias de efecto de campo, H01L 29/00; dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones electromagnéticas o corpusculares, p. ej. células fotorresistentes, H01L 31/00; resistencia controladas por campo magneticos H01L 43/08; dispositivos de resistencia negativa de volumen H01L 47/00). › con coeficiente positivo de temperatura.
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