METODO PARA LA FABRICACION DE UN CUERPO SEMICONDUCTOR.
UN METODO PARA PREPARAR UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR COMPRENDE UN PROCESO DE FABRICACION DE UN SUBSTRATO DE SI POROSO Y A CONTINUACION LA FORMACION DE UNA CAPA MONOCRISTALINA DE SI NO POROSA EN EL SUBSTRATO DE SI POROSO;
PROCESO DE UNION PRIMARIO DE LA UNION DEL SUBSTRATO DE SI POROSO Y UN SUBSTRATO DE AISLAMIENTO A TRAVES DE LA CAPA MONOCRISTALINA DE SI NO POROSA; PROCESO DE GRABADO PARA GRABAR EL SI POROSO PARA QUITAR EL SI POROSO MEDIANTE GRABADO QUIMICO DESPUES DEL PRIMER PROCESO DE UNION; Y PROCESO DE UNION SECUNDARIO DE REFORZAMIENTO DE LA UNION PRIMARIA TRAS EL PROCESO DE GRABADO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO.
Inventor/es: YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 16 de Agosto de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
- H01L21/76 H01L 21/00 […] › Realización de regiones aislantes entre los componentes.
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