CIP-2021 : C30B 1/02 : por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad).
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Notas[g] desde C30B 1/00 hasta C30B 5/00: Crecimiento de monocristales a partir de sólidos o de geles
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 1/00 Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B 1/02 · por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
CONVERSION TERMICA EN ESTADO SOLIDO DE ALUMINA POLICRISTALINA EN ZAFIRO USANDO UN CRISTAL DE SIEMBRA.
(16/01/2002). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: SCOTT, CURTIS EDWARD, STROK, JACK MACK, LEVINSON, LIONEL MONTY.
UN PROCESO DE CRISTAL INICIADOR DE ESTADO SOLIDO PARA CONVERSION EN BRUTO DE UN CUERPO CERAMICO POLICRISTALINO EN UN CUERPO MONOCRISTALINO (DE LA MISMA COMPOSICION QUIMICA) QUE TIENE LA MISMA ORIENTACION DEL CRISTAL QUE EL CRISTAL INICIADOR. EL PROCESO COMPRENDE CALENTAR DICHO CUERPO PARA FORMAR UNA UNION MONOLITICA ENTRE EL CUERPO Y EL CRISTAL INICIADOR, CALENTAR LA ESTRUCTURA UNIDA PARA REDUCIR INHIBIDORES DE GRANO REDUCIDO Y ADICIONALMENTE CALENTAR LA ESTRUCTURA UNIDA POR ENCIMA DE LA TEMPERATURA MINIMA REQUERIDA PARA DESARROLLO DE CRISTALITA DEL MATERIAL CRISTALINO, PERO INSUFICIENTE PARA FUNDIR Y DISTORSIONAR LA FORMA ORIGINAL DEL CUERPO CERAMICO POLICRISTALINO DURANTE SU CONVERSION A UN MONOCRISTAL. ESTE PROCESO HA SIDO USADO PARA CONVERTIR CUERPOS DE ALUMINA POLICRISTALINA (PCA) A ZAFIRO QUE TIENE LA MISMA ORIENTACION CRISTALINA QUE EL CRISTAL INICIADOR CALENTANDO EL CUERPO PCA, UNIDO MONOLITICAMENTE A UN ZAFIRO COMO UN CRISTAL INICIADOR DE ZAFIRO, A UNA TEMPERATURA POR ENCIMA DE 1700.
CONVERSION TERMICA EN ESTADO SOLIDO DE ALUMINA POLICRISTALINA EN ZAFIRO.
(16/05/2001). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: SCOTT, CURTIS EDWARD, LEVINSON, LIONEL MONTY, MAXWELL, RANDOLPH E., KALISZEWSKI, MARY SUE.
UN PROCESO DE ESTADO SOLIDO PARA CONVERSION EN BRUTO DE UN CUERPO CERAMICO POLICRISTALINO DENSO EN UN CUERPO MONOCRISTALINO HA SIDO EFECTUADO CALENTANDO EL MATERIAL POLICRISTALINO A UNA TEMPERATURA POR ENCIMA DE LA MITAD DE LA TEMPERATURA DE FUSION DEL MATERIAL PERO POR DEBAJO DEL PUNTO DE FUSION DEL MATERIAL. COMO EL PROCESO ES UN PROCESO DE ESTADO SOLIDO ES NECESARIO QUE NO FUNDA EL CUERPO CERAMICO PARA CONVERTIRLO A MONOCRISTAL. EL PROCESO HA SIDO USADO PARA CONVERTIR UN CUERPO DENSO DE ALUMINA POLICRISTALINA (PCA) QUE CONTIENE MENOS DE 100 WPPM DE MAGNESIO A ZAFIRO (MONOCRISTAL DE ALUMINA) CALENTANDO EL PCA A UNA TEMPERATURA POR ENCIMA DE 1100 50.
PROCEDIMIENTO EN ESTADO SOLIDO PARA LA CONVERSION DE ALUMINA POLICRISTALINA EN ZAFIRO.
(16/06/2000). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: SCOTT, CURTIS EDWARD, LEVINSON, LIONEL MONTY, MAXWELL, RANDOLPH E., KALISZEWSKI, MARY SUE, JONES, MARSHALL GORDON, ERIKSON, CARL EDWARD.
CUERPOS DE ALUMINA POLICRISTAL SE HAN CONVERTIDO A ZAFIRO MEDIANTE UN PROCESO DE CONVERSION EN ESTADO SOLIDO, EN EL QUE UNA FUENTE DE ENERGIA LOCALIZADA SE USA PARA CALENTAR SOLAMENTE UNA PARTE DEL CUERPO, A UNA TEMPERATURA DE UNOS 1800 C. USANDO UN LASER COMO FUENTE DE ENERGIA, SE OBTUVO LA CONVERSION A ZAFIRO EN MENOS DE UNA HORA. LOS CUERPOS DE ALUMINA POLICRISTAL TUVIERON UN CONTENIDO DE MAGNESIA POR DEBAJO DE WPPM, UN TAMAÑO MEDIO DE GRANOS POR DEBAJO DE 100 MICRONES, Y UNA DENSIDAD SUPERIOR A 3'97 G/CC.
METODO PARA REDUCIR LA TEMPERATURA DE TRANSFORMACION DE FASE DE UN SILICIURO DE METAL.
(16/11/1999) ES REDUCIDA LA TEMPERATURA DE TRANSFORMACION DE FASE DE UNA CAPA DE SILICIURO DE METAL FORMADO CUBRIENDO UNA CAPA DE SILICIO SOBRE UNA LAMINA CRISTALINA SEMICONDUCTORA. PRIMERO, ES DISPUESTO UN METAL REFRACTARIO PROXIMO A LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO, ES DEPOSITADO UN METAL PRECURSOR EN UNA CAPA QUE CUBRE EL METAL REFRACTARIO, Y LA LAMINA CRISTALINA ES CALENTADA A UNA TEMPERATURA SUFICIENTE PARA FORMAR EL SILICIURO DE METAL DESDE EL METAL PRECURSORIO. EL METAL PRECURSORIO DEBE SER UN METAL REFRACTARIO, Y ES PREFERIBLEMENTE TITANIO, TUNGSTENO, O COBALTO. LA CONCENTRACION DEL METAL REFRACTARIO EN LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO ES PREFERIBLEMENTE MENOR QUE 1017 ATOMOS/CM3. EL METAL REFRACTARIO DEBE SER MO, CO, W, TA, NB, RU, O CR, Y MAS PREFERIBLEMENTE MO, O…
"METODO PARA OBTENER MATERIAL DE CRISTAL SIMPLE DE ORIENTACION CRISTALOGRAFICA CONTROLADA".
(01/05/1984). Solicitante/s: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION.
PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE CRISTALES SIMPLES DE ORIENTACION CRISTALOGRAFICA CONTROLADA.INCLUYE LAS FASES SIGUIENTES: APORTAR UN PRIMER ARTICULO QUE COMPRENDE UNA PARTE DE CRISTAL SIMPLE Y UNA PARTE POLICRISTALINA RECEPTIVA AL CRECIMIENTO DEL GRANO, SEPARADAS POR UN LIMITE CAPAZ DE MOVIMIENTO HACIA LA PARTE POLICRISTALINA; APORTAR UN SEGUNDO ARTICULO QUE COMPRENDE UN MATERIAL POLICRISTALINO RECEPTIVO AL CRECIMIENTO DEL GRANO; ADHERIR AMBOS ARTICULOS A TRAVES DE LA PARTE POLICRISTALINA DEL PRIMERO; Y TRATAR EL ARTICULO ADHERIDO SEGUN UN GRADIENTE TERMICO, PARA OBLIGARAL CRISTAL SIMPLE A DESARROLLARSE A TRAVES DE LA UNION Y HACIA EL MATERIAL DEL SEGUNDO ARTICULO.
UN METODO PARA FUNDIR SILICIO.
(01/12/1981). Solicitante/s: SEMIX INCORPORATED.
PROCEDIMIENTO PARA FUNDIR SILICIO. CONSISTENTE EN CARGAR SILICIO EN UN RECIPIENTE DE FUSION, QUE PRESENTA EL FONSO TRONCO-CONICO Y UNA ABERTURA DE DESCARGA ; CALENTAR EL SILICIO POR ENCIMA DE SU TEMPERATURA DE FUSION Y PERMITIR LA SALIDA DEL SILICIO FUNDIDO POR LA ABERTURA PARA QUE LLEGUE AL RECIPIENTE RECEPTOR . LA SOLIDIFICACION DEL SILICIO FUNDIDO SE HACE CONTROLANDO LA PERDIDA DEL CALOR DEL MISMO. EL SILICIO CARGADO ES DE CALIDAD METALICA. EL RECIPIENTE DE FUSION Y EL RECEPTOR SON DE MATERIAL CERAMICO. EL CALENTAMIENTO SE LOGRA POR UNA FUENTE DE CALOR QUE CONSTA DE UN ARROLLAMIENTO DE RADIOFRECUENCIA. DE APLICACION PARA DISPOSITIVOS DE TIPO SEMICONDUCTOR, EN ESPECIAL PARA CELULAS FOTOVOLTAICAS.
UN PROCEDIMIENTO MEJORADO PARA LA PRODUCCION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES EN FORMA DE LAMINAS O CINTAS.
(01/09/1980). Solicitante/s: INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION.
Un procedimiento mejorado para la producción de materiales semiconductores en forma de láminas o cintas, el cual comprende la formación del depósito del material en forma amorfa sobre una superficie principal de un substrato, la separación del material amorfo del substrato y el calentamiento del semiconductor amorfo hasta su temperatura de cristalización de modo que el semiconductor amorfo se convierta en un material de cristal simple con una orientación predeterminada.