CARBURO DE SILICIO SEMIAISLANTE SIN DOMINACION DE VANADIO.
Monocristal de carburo de silicio semiaislante, que comprende:
dopantes donadores, boro y defectos puntuales intrínsecos que actúan como aceptores en dicho monocristal de carburo de silicio; en el que el número de dopantes donadores es superior al número de átomos de boro; y el número de defectos puntuales intrínsecos en dicho cristal de carburo de silicio que actúan para compensar el dopante donador es superior a la diferencia numérica mediante la cual dicho dopante donador predomina sobre dicho boro; y la concentración de elementos de transición es inferior a 1 x 1016; teniendo dicho monocristal de carburo de silicio una resistividad de al menos 5000 ohm-cm a temperatura ambiente.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CREE, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 4600 SILICON DRIVE,DURHAM, NC 27703.
Inventor/es: CARTER, CALVIN, H., JR., BRADY, MARK, TSVETKOV, VALERI F., MUELLER, STEPHAN, HOBGOOD, HUDSON, M.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 23 de Mayo de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B1/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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