PRODUCCION DE MONOCRISTALES A GRANEL DE CARBURO DE SILICIO.
Un método para producir SiC monocristalino a granel, que comprende:
vaporizar Si para producir vapor como fuente de Si; introducir el vapor como fuente de Si en un recinto de crecimiento de cristales que contiene una interfase de crecimiento del cristal; proporcionar un gas que contiene CN como una fuente de especies en estado de vapor de carbono en el recinto de crecimiento de cristales; y depositar las especies en estado de vapor de Si y C en la interfase de crecimiento del cristal en condiciones que establecen el crecimiento de SiC monocristalino a granel en ella.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CREE, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 4600 SILICON DRIVE,DURHAM, NC 27703.
Inventor/es: HUNTER, CHARLES, ERIC.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 8 de Octubre de 1999.
Fecha Concesión Europea: 5 de Marzo de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B1/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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