ESTRUCTURA DE DIODOS LASER DFB CON ACOPLAMIENTO OPTICO COMPLEJO DE REJILLA.
EN LA ESTRUCTURA DE DIODOS LASER DFB CONFORME A LA INVENCION CON ACOPLAMIENTO OPTICO COMPLEJO DE REJILLA,
LA REJILLA ESTA COMPUESTA POR UNA CAPA (2) DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DE INDEXADO VOLUMETRICO Y POR UNA CAPA (53) DE MATERIAL SEMICONDUCTOR DE ABSORCION VOLUMETRICA, ESTANDO SUPERPUESTAS LAS DOS CAPAS (52, 53) Y NO ESTANDO MUTUAMENTE DESPLAZADAS EN FASE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: BORCHERT, BERND, STEGMULLER, BERNHARD.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 13 de Mayo de 1996.
Fecha Concesión Europea: 28 de Octubre de 1998.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S3/085
- H01S3/19
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes.
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