MEMORIA DE PELICULA FINA CON NUCLEO MAGNETICO Y METODO PARA HACERLA.

UNA RED DE PELICULA FINA CON NUCLEO MAGNETICO, TIENE UN GRAN NUMERO DE ELEMENTOS DE MEMORIA DE NUCLEO DE PELICULA FINA,

INDIVIDUALES, COMPUESTOS EN UN SUBSTRATO CON X, Y, Z Y CABEZAS CONDUCTORAS "SENSE" PASANDO A TRAVES DE LOS ELEMENTOS DE NUCLEO ENTRE LAS ALMOHADILLAS DE CONTACTO COMPUESTAS ALREDEDOR DE LA SUPERFICIE DE LA RED. CADA ELEMENTO DE MEMORIA DE PELICULA MAGNETICA, INCLUYE UN POLO EN EL FONDO, UN POLO SUPERIOR, FORMANDO UN PASO MAGNETICO CERRADO CON EL POLO SUPERIOR, LA ESTRUCTURA RODEANDO LAS CABEZAS CONDUCTORAS PASANDO A TRAVES DEL NUCLEO Y MATERIAL AISLANTE PARA AISLAR ELECTRICAMENTE LAS CABEZAS CONDUCTORAS UNAS DE OTRAS Y DE LAS PIEZAS DE POLO. EL CONDUCTOR "SENSE" DE LA RED ESTA ACOPLADO A UN TRANSFORMADOR EN MINIATURA DE PELICULA FINA QUE AMPLIFICA LAS SEÑALES LEIDAS DE LOS ELEMENTOS DE NUCLEO INDIVIDUALES. EL TRANSFORMADOR TIENE UN POLO INFERIOR, UN POLO SUPERIOR FORMANDO UN PASO MAGNETICO CERRADO CON EL POLO INFERIOR, INCLUYENDO UNA PATA CENTRAL QUE SE EXTIENDE ENTRE LOS POLOS SUPERIOR E INFERIOR, Y UN PAR DE BOBINAS CONDUCTORAS DE ELECTRICIDAD SEPARADAS, EN EL AREA ENTRE EL POLO SUPERIOR E INFERIOR. LA RED SE PUEDE USAR INDEPENDIENTEMENTE DEL TRANSFORMADOR Y VICEVERSA; O SE PUEDE COMBINAR COMO UNA UNIDAD CON EL TRANSFORMADOR. SE PUEDEN AMONTONAR VARIAS REDES PARA FORMAR UNA UNIDAD DE MEMORIA DE TRES DIMENSIONES. LA RED Y EL TRANSFORMADOR, SON FABRICADOS UTILIZANDO TECNICAS DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: MAGNEX CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 6850 SANTA TERESA BOULEVARD,SAN JOSE, CALIFORNIA 95119.

Inventor/es: LIN, FONG-JEI, ZHU, SHENGBO.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 23 de Julio de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/06 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos de almacenamiento de simple abertura, p. ej. núcleo anular; que utilizan placas de varias aberturas en las que cada abertura constituye un elemento de almacenamiento.
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