UNA CELULA DE BITS DE RAM NO VOLATIL.
UNA CELULA DE MEMORIA CONSTA DE UN ENGANCHE BIESTABLE CON NODOS PRIMERO Y SEGUNDO,
AL MENOS DOS TRANSISTORES NO VOLATILES NV1, NV2 CADA UNO CON UNA FUENTE, UN SUMIDERO Y UNA COMPUERTA DE CONTROL, ESTANDO CONECTADAS LAS PUERTAS DE CONTROL AL PRIMER NODO (NODE 1) Y ESTANDO CONECTADA UNA DE LAS FUENTES Y SUMIDEROS DE CADA TRANSISTOR AL SEGUNDO NODO (NODE 2), TENIENDO CADA TRANSISTOR NO VOLATIL (NV1, NV2) ADEMAS UN SUBSTRATO Y UNA COMPUERTA FLOTANTE ENTRE EL CONTROL Y EL SUBSTRATO Y MEDIOS DE CONMUTACION (N1, N2, TG1) PARA PERMITIR COMPROBAR LOS TRANSISTORES EN EL CIRCUITO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: HUGHES MICROELECTRONICS LIMITED.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: QUEENSWAY INDUSTRIAL ESTATE,GLENROTHES FIFE KY7 5PY SCOTLA.
Inventor/es: BENNETT, DANIEL HARRISON, MURRAY, KENELM GERALD DIGBY, DODD, GARY LAWRENCE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 13 de Septiembre de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C29/00 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › Verificación del funcionamiento correcto de memorias; Ensayo de memorias durante su funcionamiento fuera de línea (offline")o en espera ("standby").
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