MEMORIA DINAMICA DE CIRCUITO INTEGRADO.
MEMORIA DINAMICA PARA CIRCUITO INTEGRADO. CONSTA DE CELULAS DE MEMORIA DISPUESTAS EN FILAS Y COLUMNAS;
DE MEDIOS DE DECODIFICACION DE FILAS PARA ELEGIR UNA FILA DE CELULAS ALIMENTANDO UN VOLTAJE A UN CONDUCTOR DE FILA, EN DONDE LAS CELULAS COMPRENDEN UN TRANSISTOR DE ACCESO QUE TIENE UN ELECTRODO DE CONTROL CONECTADO A UN CONDUCTOR DE FILA; DE UN PRIMER ELECTRODO CONTROLADO QUE ESTA CONECTADO A UN CAPACITOR DE ALMACENAMIENTO DE INFORMACION, DE UN SEGUNDO ELECTRODO CONTROLADO QUE ESTA CONECTADO A UN CONDUCTOR DE COLUMNA; DE MEDOS PARA ENGANCHAR UN CONDUCTOR DE COLUMNA EN UN ESTADO DE VOLTAJE BAJO, EN RESPUESTA A UN NIVEL DE VOLTAJE BAJO DETECTADO EN UN CELULA DE MEMORIA CONECTADA AL CONDUCTOR; Y DE MEDIOS PARA MANTENER EL VOLTAJE EN UN CONDUCTOR DE COLUMNA, QUE SE HAYA ENGANCHADO EN EL ESTADO DE VOLTAJE BAJO, A UN NIVEL POR ENCIMA DE CERO VOLTIOS, AL MENOS DURANTE UNA PORCION DE CICLO DE MEMORIA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 550 MADISON AVENUE, NEW YORK, N.Y. 10022 U.S.A..
Fecha de Solicitud: 27 de Mayo de 1986.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 24 de Junio de 1987.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/406 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › Organización o control de los ciclos de de refresco o de regeneración de la carga.
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