UN MÉTODO PARA LA PREPARACIÓN DE PLAQUITAS DE DIÓXIDO DE TITANIO PRODUCTORAS DE NÁCAR.
Un método para la preparación de plaquitas de dióxido de titanio productoras de nacar,
caracterizado por depositar una película de substrato uniforme soluble en un solvente el cual no disuelve dichas plaquitas de dióxido de titanio sobre una superficie limpia, y depositar sobre dicha película de substrato una película de una solución de un ester de titanio que tiene grupos alquilos de hasta 12 átomos de carbono, retirar el solvente de dicha solución, e hidrolizar dicha película para a partir de ella formar una película de dióxido de titanio, separando el substrato y la película hidrolizada de dicha superficie, separando el substrato de la película hidrolizada y fracturando entonces dicha película hidrolizada para a partir de ella formar las plaquitas productoras de nacar
Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0281055.
Solicitante: FRANCIS EARLE LABORATORIES, INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Fecha de Solicitud: 25 de Septiembre de 1962.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 10 de Enero de 1963.
Clasificación antigua:
- C01G QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › COMPUESTOS QUE CONTIENEN METALES NO CUBIERTOS POR LAS SUBCLASES C01D O C01F (hidruros metálicos C01B 6/00; sales de oxácidos de halógenos C01B 11/00; peróxidos, sales de los perácidos C01B 15/00; tiosulfatos, ditionitos, politionatos C01B 17/64; compuestos que contienen selenio o teluro C01B 19/00; compuestos binarios del nitrógeno con metales C01B 21/06; azidas C01B 21/08; amidas metálicas C01B 21/092; nitritos C01B 21/50; fosfuros C01B 25/08; sales de los oxácidos del fósforo C01B 25/16; carburos C01B 32/90; compuestos que contienen silicio C01B 33/00; compuestos que contienen boro C01B 35/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares pero que no tienen propiedades de cambiadores de base C01B 37/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares y de cambiadores de base, p. ej. zeolitas cristalinas, C01B 39/00; cianuros C01C 3/08; sales del ácido ciánico C01C 3/14; sales de cianamida C01C 3/16; tiocianatos C01C 3/20; procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; obtención a partir de mezclas, p. ej. a partir de minerales, de compuestos metálicos que son los compuestos intermedios de un proceso metalúrgico para la obtención de un metal libre C21B, C22B; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B).
- C30B C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
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