APARATO REPETIDOR SEMICONDUCTOR.

Aparato repetidor semiconductivo que comprende un dispositivo compuesto de un cuerpo de material semiconductivo,

con un empalme PN plano por lo menos a través del mismo, el cual define al menos dos regiones contiguas de tipos de conductividad recíprocamente opuestos, y electrodos de baja resistencia aplicados en esas dos regiones o zonas; caracterizado porque de los mencionados electrodos de baja resistencia, el primero y el segundo están dispuestos, separados uno de otro, en una de las zonas, y el tercero y el cuarto lo están en la otra zona, y porque se dispone un generador de potencial para polarizar el empalme en la dirección inversa

Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0253851.

Solicitante: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Fecha de Solicitud: 17 de Noviembre de 1959.

Fecha de Publicación: 1 de Marzo de 1960.

Fecha de Concesión: 7 de Enero de 1960.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/24 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L27/082 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › comprendiendo únicamente componentes bipolares.
H01L27/095 H01L 27/00 […] › siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de barrera Schottky.
H01L29/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L29/02 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Cuerpos semiconductores.
H01L29/06 H01L 29/00 […] › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
H01L29/73 H01L 29/00 […] › Transistores bipolares de unión.
H01L29/80 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora.

Clasificación PCT:

H01L21/24 H01L 21/00 […] › Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L27/082 H01L 27/00 […] › comprendiendo únicamente componentes bipolares.
H01L27/095 H01L 27/00 […] › siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de barrera Schottky.
H01L29/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L29/02 H01L 29/00 […] › Cuerpos semiconductores.
H01L29/06 H01L 29/00 […] › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
H01L29/73 H01L 29/00 […] › Transistores bipolares de unión.
H01L29/80 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora.

Clasificación antigua:

H01L21/24 H01L 21/00 […] › Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L27/082 H01L 27/00 […] › comprendiendo únicamente componentes bipolares.
H01L27/095 H01L 27/00 […] › siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de barrera Schottky.
H01L29/0 H01L […] › Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L29/02 H01L 29/00 […] › Cuerpos semiconductores.
H01L29/73 H01L 29/00 […] › Transistores bipolares de unión.
H01L29/80 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora.

Patentes similares o relacionadas:

Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación, del 3 de Junio de 2020, de Vishay General Semiconductor LLC: Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende: - un sustrato semiconductor que […]

Método para fabricar un JFET de triple implante, del 8 de Abril de 2020, de United Silicon Carbide Inc: Un método para crear un JFET (o 'transistor de efecto de campo de unión o juntura'), que comprende: a. aplicar una primera máscara […]

Epitaxia de nanocables sobre un sustrato grafítico, del 5 de Febrero de 2020, de Norwegian University of Science and Technology (NTNU): Una composición de materia que comprende al menos un nanocable sobre un sustrato grafítico, dicho al menos un nanocable habiendo crecido epitaxialmente sobre […]

Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación, del 7 de Mayo de 2019, de IXYS CORPORATION: Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo: una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas […]

Estructura de protección para el aislamiento de señal y procedimiento para su fabricación, del 1 de Mayo de 2019, de Thales Solutions Asia Pte Ltd: Un procedimiento de fabricación de una estructura de protección eléctrica para proporcionar el aislamiento de señal que comprende las etapas de: proporcionar […]

DISPOSITIVO DE TRANSMISIÓN Y PROCESAMIENTO DE INFORMACIÓN MEDIANTE ONDAS DE ESPÍN DE BORDE, del 18 de Septiembre de 2018, de UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID: Dispositivo de transmisión y procesamiento de información mediante ondas de espín de borde, caracterizado porque el dispositivo comprende una estructura […]

Fotoconversión de luz usando clústeres cuánticos atómicos soportados sobre metal, del 27 de Septiembre de 2017, de UNIVERSIDADE DE SANTIAGO DE COMPOSTELA: Uso de una nanopartícula metálica que tiene al menos una de sus dimensiones entre 1 nm y 60 μm que comprende al menos un semiconductor unido a la misma, en el que el […]

Diodos emisores de luz basados en nitruro de galio altamente eficientes por medio de una superficie convertida en rugosa, del 16 de Noviembre de 2016, de THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA: Un diodo emisor de luz de (Al, Ga, In)N compuesto de: al menos una capa de tipo n , una capa de emision y una 5 capa de tipo p ; en el que la […]