CIP-2021 : H01L 31/0216 : Revestimientos (H01L 31/041  tiene prioridad).

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/0216 · · Revestimientos (H01L 31/041  tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente.

(15/07/2020). Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, SCHERFF,MAXIMILIAN, BORDIHN,STEFAN, KLÖTER,BERNHARD.

Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento: - puesta a disposición de un sustrato semiconductor ; - formación de una capa funcional en una superficie semiconductora del sustrato semiconductor ; y - generación de al menos una zona dopada en la superficie semiconductora mediante introducción de una sustancia dopante de la capa funcional en el interior del sustrato semiconductor , formándose la capa funcional de tal modo que, al acabar el dispositivo semiconductor, pasiviza como capa de pasivación la superficie semiconductora , caracterizado por que la capa funcional está formada por óxido de aluminio (AlOx), óxido de titanio (TiOx), óxido de magnesio (MgOx) u óxido de cinc (ZnOx), actuando correspondientemente como sustancia dopante el titanio, magnesio o cinc del compuesto.

PDF original: ES-2819173_T3.pdf

Célula solar y método de fabricación de células solares.

(15/01/2020). Solicitante/s: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, WATABE,TAKENORI.

Una célula solar que comprende un sustrato de silicio dopado con galio que tiene una unión p-n formada en el mismo, en el que el sustrato de silicio está provisto de una película de óxido térmico de silicio al menos sobre una primera superficie principal de superficies principales del sustrato de silicio, siendo la primera superficie principal una superficie principal que tiene una región de tipo p, y el sustrato de silicio se dopa adicionalmente con boro, en el que el sustrato de silicio tiene una concentración de boro de 5 × 1014 átomos/cm3 o más y 1 × 1016 átomos/cm3 o menos.

PDF original: ES-2780048_T3.pdf

Módulo fotovoltaico.

(11/12/2019). Solicitante/s: National Taiwan University of Science and Technology. Inventor/es: YOUNG,CHIN-HUAI.

Un módulo fotovoltaico , que comprende un panel solar , en que: un elemento aislante reflectante y una placa están dispuestos en un lado del panel solar en secuencia, el elemento aislante reflectante está ubicado entre el panel solar y la placa de manera que el elemento aislante reflectante refleja parte de la luz solar que pasa a través del panel solar , lo que da como resultado que la luz solar reflejada vuelva a pasar a través del panel solar y la placa está hecha de vidrio; un marco que aloja la placa, el elemento aislante reflectante y el panel solar; y un espacio dispuesto entre la placa y el elemento aislante reflectante y otro espacio dispuesto entre el panel solar y el elemento aislante reflectante , que forma dos capas huecas.

PDF original: ES-2774573_T3.pdf

Celda solar y método de fabricación de la misma.

(13/11/2019). Solicitante/s: ASM International N.V. Inventor/es: PIERREUX,DIETER.

Un método de fabricación de una celda solar que tiene una vida útil (Γef). efectiva del portador de carga minoritaria de al menos 500 ms, comprendiendo dicho método: - proporcionar una oblea semiconductora; y - pasivar una superficie posterior de dicha oblea depositando una capa de óxido de metal en dicha superficie mediante ALD secuencial y alternativamente: (i) exponer dicha superficie a un primer precursor, dando como resultado una cobertura de la superficie con el primer precursor, y (ii) exponer dicha superficie a un segundo precursor, dando como resultado una cobertura de la superficie con el segundo precursor, caracterizada porque al menos uno de los pasos (i) y (ii) se detiene antes de que la cobertura de la superficie alcance un nivel de saturación.

PDF original: ES-2758556_T3.pdf

Procedimiento para la fabricación de una célula solar.

(28/08/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: International Solar Energy Research Center Konstanz E.V. Inventor/es: BOCK,ROBERT, BOESCKE,TIM, SADLER,PATRICK.

Procedimiento para la fabricación de una célula solar a partir de silicio cristalino, en cuyo sustrato en una primera superficie (3a) está prevista una primera zona de impurificación generada por medio de difusión de boro y en una segunda superficie (3b) está prevista una segunda zona de impurificación impurificada con fósforo, en el que tras la generación de la segunda zona de impurificación impurificada con fósforo y antes de la etapa de la difusión de boro se aplica sobre la segunda superficie una capa de cubierta (9b) que actúa como barrera de la introducción por difusión de boro y como barrera de la separación por difusión de fósforo, que presenta nitruro de silicio con bajo contenido en hidrógeno con un contenido en hidrógeno del 20 % en átomos o inferior.

PDF original: ES-2757526_T3.pdf

Recubrimiento absorbente selectivo para la radiación y tubo absorbente con recubrimiento absorbente selectivo para la radiación.

(21/08/2019) Recubrimiento absorbente selectivo para la radiación para tubos absorbentes de colectores cilíndricos parabólicos , que se aplica sobre el lado externo de un tubo de acero, a) con una capa que refleja en el rango infrarrojo de plata, b) con una primera capa de barrera (24a) de un óxido generado térmicamente, que está aplicada sobre el tubo de acero y se genera mediante la oxidación térmica del tubo de acero, c) con una segunda capa de barrera (24b), que está dispuesta por encima de la primera capa de barrera (24a) y por debajo de la capa reflectante , d) con al menos una capa absorbente dispuesta por encima de la…

Método para fabricar una célula solar y dispositivo de fabricación de película.

(08/05/2019). Solicitante/s: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, MURAKAMI, TAKASHI, MITTA,RYO, WATABE,TAKENORI, TAKAHASHI,MITSUHITO, HASHIGAMI,HIROSHI, TSUKIGATA,SHINTAROU.

Un método para fabricar una célula solar que tiene una superficie receptora de luz, que comprende las etapas de: formar una capa de difusión de tipo n en la superficie de un sustrato de silicio de tipo p en la cara receptora de luz, formar una película antirreflectante/de pasivación sobre el sustrato sobre dicha capa de difusión, estando hecha la película antirreflectante/de pasivación de SiN y formándose esta mediante CVD asistida por plasma, recocer después el sustrato, siendo la etapa de recocido a una temperatura de 500 °C a 850 °C en una atmósfera de H2, N2 o una mezcla de los mismos, y después formar electrodos sobre el sustrato y cocer los electrodos.

PDF original: ES-2732356_T3.pdf

Método de revestimiento de cobre para la fabricación de celdas solares.

(08/05/2019). Solicitante/s: MacDermid Enthone America LLC. Inventor/es: BERNARDS,ROGER, BELLEMARE,RICHARD.

Un método de revestimiento de cobre sobre un sustrato que comprende: proporcionar un sustrato, en donde el sustrato es una capa semilla metálica sobre una oblea de celda solar de silicio que comprende una parte posterior de aluminio; y poner en contacto el sustrato con una solución de revestimiento de cobre que comprende una fuente de iones cobre y una sal de conductividad de sulfato de litio en donde la solución de revestimiento de cobre tiene un pH entre 1,7 y 3,5 y está libre de iones cloruro y en donde la parte posterior de la oblea de celda solar de silicio no se ve afectada por la solución de revestimiento.

PDF original: ES-2731904_T3.pdf

Dispositivo para el recubrimiento de sustratos planares.

(23/04/2019). Solicitante/s: LEIBNIZ-INSTITUT FUR NEUE MATERIALIEN GEMEINNUTZIGE GMBH. Inventor/es: DRUMM, ROBERT, DE OLIVEIRA,PETER WILLIAM, SCHMITT,KARL-PETER, JILAVI,MOHAMMAD HOSSEIN, SCHÄFER,BRUNO, BEERMANN,HERBERT, SERWAS,DIETMAR.

Dispositivo para la aplicación de un compuesto de recubrimiento a un sustrato planar que comprende: a) un sustrato planar ; b) un cabezal de recubrimiento que comprende una cavidad abierta hacia arriba y hacia el sustrato para la recepción del compuesto de recubrimiento , pudiéndose desplazar el sustrato y el cabezal de recubrimiento el uno respecto al otro y disponiéndose el cabezal de recubrimiento de manera que el compuesto de recubrimiento de la cavidad humedezca el sustrato y que el compuesto de recubrimiento se aplique al sustrato por medio del movimiento relativo, caracterizado por que la parte del cabezal de recubrimiento con la cavidad se realiza de forma reemplazable y por que un elemento plano forma el fondo de la cavidad.

PDF original: ES-2710210_T3.pdf

Tratamiento superficial de silicio.

(12/03/2019) Un método de formación de un patrón de conductor sobre un sustrato semiconductor de silicio que tiene una capa anti-reflectante de nitruro de silicio sobre el mismo, comprendiendo el método las etapas de: (a) modificar la energía superficial de la capa anti-reflectante por medio de contacto de la capa anti-reflectante con una composición que comprende un tensioactivo que contiene flúor, donde el tensioactivo que contiene flúor está seleccionado entre el grupo que consiste en ácido perfluoroalquil sulfónico y sales del mismo, fosfatos de perfluoroalquilo, aminas de perfluoroalquilo, óxidos de perfluoroalquilo y sulfonatos de perfluoroalquilo; …

Dispositivo semiconductor y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor.

(28/09/2018). Ver ilustración. Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, DINGEMANS,GIJS, KESSELS,WILHELMUS MATHIJS MARIE, SEGUIN,ROBERT.

Célula solar con una capa semiconductora y una capa de pasivación dispuesta sobre una superficie de la capa semiconductora para la pasivación de la superficie de la capa semiconductora , donde la capa de pasivación es una pasivación del lado posterior dispuesto en un lado posterior de la célula solar alejado de la luz configurada como capa de reflexión para la luz infrarroja y que comprende una capa parcial de pasivación química y una capa parcial de pasivación por efecto de campo dispuestas la una sobre la otra en la superficie de la capa semiconductora , donde la capa parcial de pasivación química está dispuesta entre la capa semiconductora y la capa parcial de pasivación por efecto de campo sobre la superficie de la capa semiconductora y donde se aplica una capa de recubrimiento de nitruro de silicio sobre la capa de pasivación.

PDF original: ES-2683911_T3.pdf

Panel solar fotovoltaico con cámara de vacío.

(29/06/2018). Solicitante/s: TORTOSA GOMEZ, Antonio. Inventor/es: TORTOSA GOMEZ,Antonio.

1. Panel solar fotovoltaico con cámara de vacío, caracterizado por, una cámara de vacío de grosor variable entre la lámina de vidrio exterior y las células solares fotovoltaicas encapsuladas. 2. Panel solar fotovoltaico con cámara de vacío, según la reivindicación 1, caracterizado por, una cámara de vacío entre la lámina de vidrio exterior y la cubierta protectora frontal de las células solares. 3. Panel solar fotovoltaico con cámara de vacío, según la reivindicación 1, caracterizado por, una cámara de vacío entre dos láminas de vidrio exteriores anterior a la cubierta protectora frontal de las células solares.

PDF original: ES-1214961_U.pdf

Célula solar de germanio y método de producción de la misma.

(07/03/2018). Solicitante/s: IMEC VZW. Inventor/es: POORTMANS,JEF, POSTHUMA,NIELS, FLAMAND,GIOVANNI.

Método para la pasivación y el contacto de una superficie de un sustrato de germanio, que comprende las etapas de; - proporcionar dicho sustrato de germanio con una primera superficie; - producir una capa de pasivación de silicio amorfo hidrogenado intrínseco en dicha primera superficie; - producir una capa de contacto de metal sobre dicha capa de pasivación; - aplicar una etapa de difusión, en donde dicha etapa de difusión se lleva a cabo a una temperatura entre 150 °C y 300 °C y el tiempo de difusión está entre 5 y 60 minutos, de manera que dicha superficie de germanio se pone en contacto con dicha capa de contacto, a través de dicha capa de pasivación.

PDF original: ES-2670168_T3.pdf

Celda fotovoltaica con diamantes fluorescentes.

(07/02/2018). Solicitante/s: Association Pour La Recherche Et Le Développement De Méthodes Et Processus Industriels "Armines". Inventor/es: THOREL,ALAIN, CURMI,PATRICK, BOUDOU,JEAN-PAUL, JELEZKO,FEDOR.

Celda fotovoltaica que incluye una primera capa que es capaz de generar una tensión eléctrica cuando es iluminada y que es a base de un material cuyo espectro de sensibilidad luminosa es máximo entre 600 nm y 1300 nm, estando caracterizada dicha celda fotovoltaica por que comprende sobre dicha primera capa una segunda capa que comprende diamantes fluorescentes , siendo esta segunda capa una capa en el lado exterior de la celda fotovoltaica de modo que los rayos de luz son capaces de iluminar dichos diamantes fluorescentes , por que dichos diamantes fluorescentes son artificiales con una fluorescencia mayor con respecto a la fluorescencia de un diamante natural, y por que dichos diamantes fluorescentes presentan en su mayoría defectos constituidos por pares {átomo de nitrógeno - vacante}.

PDF original: ES-2668296_T3.pdf

Substrato conductor para celda fotovoltaica.

(17/01/2018). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Inventor/es: DUPUY,Delphine, PALM,JÖRG, URIEN,MATHIEU, RUITENBERG,GÉRARD, LEYDER,CHARLES, HEISS,ANDREAS, MAHE,ERWAN.

Substrato conductor para celda fotovoltaica, que comprende un substrato portador y un revestimiento de electrodo formado sobre el substrato portador , en el que el revestimiento de electrodo comprende: - una capa principal a base de molibdeno formada sobre el substrato portador ; - una capa barrera contra la selenización formada sobre la capa principal a base de molibdeno, teniendo la capa barrera contra la selenización un espesor inferior a 50 nm, preferentemente inferior o igual a 30 nm, preferentemente todavía inferior o igual a 20 nm; y - sobre la capa barrera contra la selenización , una capa superior a base de un metal M apto para formar, después de sufuración y/o selenización, una capa de contacto óhmico con un material semiconductor fotoactivo.

PDF original: ES-2661862_T3.pdf

Materiales orgánicos de transporte de huecos que contienen un líquido iónico.

(14/11/2017). Solicitante/s: ABENGOA RESEARCH, S.L. Inventor/es: AHMAD,Shahzada, KAZIM,Samrana, CALIÓ,Laura, SALADO MANZORRO,Manuel.

La presente invención se refiere a composiciones de transporte de huecos que contienen un material orgánico de transporte de carga y una sal que contiene un catión orgánico. Preferiblemente, la composición de transporte de huecos comprende un líquido iónico. El líquido iónico dopa eficazmente el material orgánico de transporte de carga. En una realización particular, el líquido iónico 1-butil-1-metilpiridin-1-io bis(trifluorometilsulfonil)imida (BMP TFSI) se usó como un dopante o aditivo. La invención se refiere además a dispositivos optoelectrónicos y/o electroquímicos que contienen la composición de transporte de huecos, en particular, células solares basadas en perovskita.

PDF original: ES-2641860_A1.pdf

Módulos fotovoltaicos que utilizan una lámina de soporte de múltiples capas resistente al calor.

(13/09/2017). Solicitante/s: RENOLIT Belgium N.V. Inventor/es: RUMMENS,FRANÇOIS.

Una lámina de soporte de múltiples capas para un módulo FV, comprendiendo la lámina de soporte una capa reactiva resistente al calor (12c) a base de polímeros con grupos químicos reactivos y con un calor residual de fusión a temperatura de laminación unida mediante coextrusión a una capa de unión a base de PO (12b) de la lámina de soporte y en la que la capa de unión a base de PO (12b) dirigida hacia una capa activa o una capa externa (12a o 13b) entre la capa de unión a base de PO y la capa activa del módulo FV se basa en una mezcla o resina de TPO que tiene un calor residual de fusión a temperatura de laminación de menos de 30 J/g, preferiblemente menos de 5 J/g, lo más preferiblemente está fundida, midiéndose el calor residual de fusión a temperatura de laminación mediante DSC según MTM 15902.

PDF original: ES-2650499_T3.pdf

Célula solar múltiple monolítica.

(21/09/2016) Célula solar múltiple monolítica que consiste esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas de las que una subcélula es una subcélula de GaInAs y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque por debajo de la subcélula de GaInAs está dispuesto un espejo semiconductor , y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor d de las capas del espejo semiconductor 10 nm ≤ d ≤ 150 nm y el espejo semiconductor consiste en n capas donde 10 ≤ n ≤ 50, y la semianchura HWB del espejo semiconductor…

Procedimiento para la producción de un revestimiento ópticamente selectivo de un sustrato para dispositivos solares receptores de alta temperatura y material relativo obtenido.

(13/07/2016). Solicitante/s: ENI S.P.A.. Inventor/es: SPANO\', GUIDO, LAZZARI,CARLA, MARELLA,MARCELLO.

Un procedimiento para la producción de un revestimiento ópticamente selectivo de un sustrato receptor de material adecuado para receptores solares particularmente adecuados para funcionar a altas temperaturas que comprende: - deposición de una capa reflectante de radiación infrarroja que consiste en un metal de alto punto de fusión sobre dicho sustrato receptor caliente; - recocido bajo las mismas condiciones de temperatura y presión que en la deposición de la capa reflectante; - deposición sobre el metal de alto punto de fusión de una o más capas de materiales compuestos de cerámicametal (CERMET), en donde el metal es W y la matriz cerámica es YPSZ ("Zirconia Parcialmente Estabilizada con Itria"); - deposición sobre el cermet de una capa anti-reflexión; - recocido bajo las mismas condiciones de temperatura y presión que en las deposiciones de las capas de cermet y anti-reflexión.

PDF original: ES-2594331_T3.pdf

Estructura de capa de pasivación de dispositivo semiconductor y método de formación de la misma.

(11/05/2016). Solicitante/s: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Inventor/es: SUN,WEN-CHING, LIN,TZER-SHEN, YU,SHENG-MIN.

Una estructura de capa de pasivación de un dispositivo semiconductor que se dispone sobre un sustrato semiconductor, que comprende: una estructura de capa de pasivación dispuesta sobre el sustrato semiconductor, caracterizada porque la estructura de la capa de pasivación comprende una capa de óxido de aluminio dopado con halógeno y el sustrato semiconductor es una capa semiconductora de tipo p.

PDF original: ES-2577611_T3.pdf

Célula solar múltiple monolítica.

(10/03/2016) Célula solar múltiple monolítica compuesta esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, en la que la célula solar múltiple comprende tres subcélulas de GaInP / GaInAs / Ge, en la que GaInP está configurada como célula superior y GaInAs como célula intermedia y Ge como célula inferior, caracterizada porque entre la célula intermedia y la célula inferior está dispuesto un espejo semiconductor y la célula intermedia presenta un espesor reducido y el espesor dm es de 500 ≤ dm ≤ 2500 nm, porque el espejo semiconductor presenta varias capas de índice de refracción y/o composición de material y/o espesor diferente uno de otro, y siendo el espesor d de las capas del espejo…

Célula solar múltiple monolítica.

(19/02/2016) Célula solar múltiple monolítica constituida esencialmente por elementos de los grupos principales III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque una de las subcélulas de la célula solar múltiple es del grupo de GaInNAs y está dispuesto un espejo semiconductor entre dos subcélulas , estando incorporado el espejo por debajo de la subcélula de GaInNAs y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor…

Procedimiento de preparación de una película fina absorbente para células fotovoltaicas.

(22/04/2015) Procedimiento de preparación de una película fina absorbente para células fotovoltaicas de tipo A-B-C2 o A2- (Dx,E1-x)-C4 con 0≤x≤1, A es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 11, B es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 13, C es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 16, D es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 12 y E es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 14, procedimiento que comprende: • una primera etapa de deposición electroquímica de una película fina de una mezcla de óxidos y/o de hidróxidos que comprende, para una película de…

PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA BARRERA DIELECTRICA DE ÓXIDO DE SILICIO (SiOx) Y CAPA ASÍ PREPARADA.

(26/03/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Inventor/es: GOMEZ PLAZA,DAVID, DELGADO SÁNCHEZ,José María, SÁNCHEZ-CORTEZÓN,Emilio, ANDRÉS MENÉNDEZ,Luis José, SÁNCHEZ MARTÍNEZ,Diego, MENÉNDEZ ESTRADA,Armando, FERNÁNDEZ SUÁREZ,María Fe, SÁNCHEZ,Pascal.

Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) sobre un sustrato, para lo cual se realiza, una vez limpiado el sustrato, una deposición de una capa de SiOx por la técnica de PECVD y otra deposición de SiOx por el método sol-gel. La composición de recubrimiento (sol) utilizada en la etapa sol- gel es preparada a partir de los siguientes componentes: MTES, entre 30 y 50% en peso; TEOS, entre 7% y 12% en peso; N, N' -DMS, entre 1 1 y 19 % en peso; PEG, entre 19 y 31 % en peso; agua destilada, entre 7 y 12% en peso y acido ortofosfórico, entre 0,6% y 0,9 % en peso. Una vez preparada la composición de recubrimiento, se deposita y se densifica para formar la capa de óxido correspondiente.

Dispositivos fotovoltaicos que constan de una capa antirreflectante a base de objetos dispersados que presentan unos dominios de índices de refracción distintos.

(18/03/2015) Dispositivo fotovoltaico que comprende: - un material semiconductor apropiado para garantizar un efecto fotovoltaico cuando está sometido a una radiación electromagnética; - una capa antirreflectante, transparente con respecto a dicha radiación electromagnética garantizando el efecto fotovoltaico, conteniendo esta capa antirreflectante, en el estado dispersado, unos objetos de dimensiones inferiores a 5 micrones, preferentemente inferiores a 2 micrones, comprendiendo dichos objetos al menos dos zonas constituidas por dos sustratos diferentes, transparentes con respecto a dicha radiación electromagnética y que tienen unos índices de refracción distintos, a saber: - un núcleo que tiene un primer índice de refracción nC; y - una capa que…

Revestimiento de óxido inorgánico.

(18/03/2015) Una composición de revestimiento, que comprende: un precursor de óxido inorgánico AMOx basado en al menos un elemento inorgánico A seleccionado del grupo que consiste en aluminio, silicio, titanio, zirconio, niobio, indio, estaño, antimonio, tántalo, y bismuto; y un precursor de óxido inorgánico BMOx basado en al menos un elemento inorgánico B seleccionado del grupo que consiste en escandio, itrio, lantano, y los lantánidos; en donde AMOx y BMOx son capaces de formar un óxido inorgánico mixto, y en donde la composición de revestimiento comprende 80 a 99,5 partes en peso de AMOx y 0,5 a 20 partes en peso de BMOx (basado en 100 partes en peso de AMOx y BMOx).

Módulos fotovoltaicos con lámina de respaldo basada en polipropileno.

(17/12/2014) Una lámina de respaldo de módulo FV multi-capa, que comprende i. una capa principal de polipropileno flexible FPP estabilizada UV, en que su parte polimérica tiene un calor de fusión residual a la temperatura de laminación del módulo de más de 10 J/g, ii. al menos una capa co-extrudida enfrentada a las células sobre la base de una mezcla de polímeros de TPO que tiene un calor de fusión residual a la temperatura de laminación del módulo, típicamente de 150ºC, de menos de 5 J/g, en donde el FPP se selecciona de • mezclas mecánicas o de reactor de resinas de PP (homopolímero o copolímero) con caucho de etileno propileno, • mezclas mecánicas de resinas de PP con resinas de PP elastómeras, • mezclas mecánicas de PP, preferiblemente…

ESTRUCTURA ANTIREFLEJANTE CUASI-OMNIDIRECCIONAL BASADA EN MULTICAPAS DIELÉCTRICAS DE SILICIO POROSO PARA LA REGIÓN ULTRAVIOLETA MEDIA, VISIBLE E INFRARROJA CERCANA DEL ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO.

(20/11/2014). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DEL ESTADO DE MORELOS. Inventor/es: AGARWAL,Vivechana, ARIZA FLORES,Augusto David, PEREZ HUERTA,José Samuel, KUMAR,Yogesh.

Estructura antireflejante basada en multicapas de silicio poroso apiladas en forma unidimensional. Esta capa tiene la capacidad de reflejar menos del 4% de la luz incidente en cualquier ángulo, es decir esta propiedad no depende de la posición en la cual se le oriente. Ello se cumple para un rango de longitudes de onda que van desde 200 nm a 2000 nm y tan sólo con un espesor físico total de 510 nm. La estructura consta de 51 capas con porosidades graduales que van del 92 al 38 %. La longitud de cada capa es constante e igual a 10 nm y el perfil del índice de refracción varía por medio de una función envolvente que crece monótonamente de la forma f(z)=n 0 +(n F -n 0 )(z/L) k, con z la profundidad de la capa. El dispositivo se fabricó con el método de anodizado electroquímico en una solución electrolítica de ácido fluorhídrico y etanol, atacando obleas de silicio de forma galvanostatíca en una interfaz controlada.

Sistema de cámara digital multiespectral con al menos dos cámaras digitales independientes.

(03/09/2014) Sistema de cámara digital con una unidad de procesamiento de imágenes y con al menos dos cámaras digitales independientes que detectan señales de imagen en diferentes intervalos espectrales de banda estrecha, que tienen respectivamente un obturador separado (8a) y/o un objetivo separado (8b) y que tienen respectivamente al menos un sensor de imagen digital plano separado y al menos un elemento de filtro de color conectado aguas arriba del al menos un sensor de imagen digital plano que corresponde al respectivo intervalo espectral de banda estrecha, con al menos una región de filtrado (7a.1-7a.4) que tiene adicionalmente al menos una región neutra (7b) que es permeable a la luz en un intervalo espectral (ND) que comprende al menos los diferentes intervalos espectrales de banda estrecha de las al menos dos cámaras digitales…

Procedimiento de fabricación de una célula solar con una doble capa dieléctrica de pasivación superficial y una correspondiente célula solar.

(27/08/2014) Procedimiento para la fabricación de una célula solar de silicio, que comprende las etapas siguientes: Preparación de un sustrato de silicio ; Deposición de una primera capa dieléctrica sobre una superficie del sustrato de silicio mediante deposición química de vapor secuencial, en donde la primera capa dieléctrica tiene óxido de aluminio; caracterizado por Deposición de una segunda capa dieléctrica sobre una superficie de la primera capa dieléctrica , en donde los materiales de las primera y segunda capas dieléctricas son diferentes y en donde en la segunda capa dieléctrica incluye hidrógeno.

Paneles solares inteligentes y autolimpiables.

(26/03/2014) Un panel, tal como un panel solar, que comprende al menos un dispositivo autolimpiable para limpiar la superficie del panel, comprendiendo dicho dispositivo autolimpiable al menos un recubrimiento conductivo configurado para aplicar campos electrostáticos pulsados de CC generados por un medio electrónico.

Método para formar un revestimiento cerámico tipo óxido de silicio, método para producir un material inorgánico base, agente para formar un revestimiento cerámico tipo óxido de silicio, y dispositivo semiconductor.

(20/09/2013) Un método para formar un revestimiento cerámico tipo óxido de silicio, que comprende formar unrevestimiento que comprende un copolímero organohidrogenosiloxano-hidrogenosiloxano representado por lafórmula de la unidad de siloxano : (HRSiO2/2 )n(HSiO3/2)m (en la fórmula, R es un grupo hidrocarbilo monovalente seleccionado del grupo que consiste en un grupo alquilo deC1-10 y un grupo arilo de C6-10, n es un número con un valor medio de 0,01 ≤ n ≤ 0,80, y n+m ≥ 1) sobre la superficiede un material inorgánico base; y a continuación calentar el material inorgánico base revestido a una altatemperatura en un gas inerte o un gas inerte que contenga gas oxígeno (gas oxígeno menos que 20% en volumen)para convertir el revestimiento en…

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