SISTEMA DE BAJO COSTE PARA EFECTUAR INTERCONEXION DE ALTA DENSIDAD ENTRE DISPOSITIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

UN SISTEMA DE CONEXION EN CASCADA ADAPTADO PARA USARLO CON CIRCUITOS INTEGRADOS Y DISPOSITIVOS QUE ACOMPAÑAN. EL SISTEMA INVENTADO INCLUYE UNA MATRIZ DE DISPOSITIVOS EMISORES DE CAMPO

(36) QUE EMITEN ELECTRONES EN RESPUESTA A SEÑALES DE ENTRADA DESDE MULTIPLES PRIMEROS CIRCUITOS (14) EN UN PRIMER SUBSTRATO (16). LOS DISPOSITIVOS EMISORES DE CAMPO (36) ESTAN LOCALIZADOS EN EL PRIMER SUBSTRATO (16). UNA MATRIZ DE DETECTORES (38) EN UN SEGUNDO SUBSTRATO (20) RECIBEN LOS ELECTRONES A TRAVES DE UNA ABERTURA (42) ENTRE EL PRIMER SUBSTRATO (16) Y EL SEGUNDO SUBSTRATO (20). UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL EN RESPUESTA A UNA FUENTE DE POTENCIAL (22) ENTRE EL PRIMER SUBSTRATO (16) Y EL SEGUNDO SUBSTRATO (20) ACELERA LOS ELECTRONES A TRAVES DE UNA CAMARA DE VACIO (42). EL SISTEMA DE CONEXION EN CASCADA (10) PUEDE SER CONSTRUIDO CON UN DIAMETRO MENOR QUE DIEZ MICROMETROS. POR LO TANTO, DOS SUBSTRATOS CON MULTIPLES CIRCUITOS PUEDEN SER CONECTADOS EN CASCADA CON CIENTOS DE CONEXIONES PARCIALES POR CENTIMETRO CUADRADO SIN LA NECESIDAD DE MULTIPLEXAR.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: RAYTHEON COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: PO BOX 902, 2000 EL SEGUNDO BLVD., EL SEGUNDO, CALIFORNIA 90245.

Inventor/es: HAYES, ROBERT STEPHEN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 14 de Agosto de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes... > H01L27/04 (el sustrato común es un cuerpo semiconductor)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA... > Tubos de vacío (H01J 25/00, H01J 31/00 - H01J 40/00,... > H01J21/10 (con uno o más electrodos de control internos fijos, p. ej. triodo, pentodo, octodo)
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