PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA REGULAR, EN FUNCION DEL ESTADO, EL COMPORTAMIENTO TRANSITORIO DE INTERRUPTORES DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.

Procedimiento para regular un proceso transitorio de conmutación de al menos un interruptor de semiconductor de potencia

(S1-S4) que comprende al menos un terminal de control o puerta (G) que es controlado por un excitador o excitador de puerta (GT), y que comprende un primer terminal de potencia o colector (C) y un segundo terminal de potencia o emisor (E), estando dispuesto un diodo de oscilación libre (DS) en serie con el interruptor de semiconductor de potencia (S1-S4), en donde, además, a) para al menos una variable de estado primaria (vC, dvC/dt, iC, diC/dt) del interruptor de semiconductor de potencia (S1, S2) se determina o aproxima al menos un valor real y se realimenta éste al excitador de puerta (GT), y b) el valor real y un valor nominal de las variables de estado primarias (vC, dvC/dt, iC, diC/dt) se emplean como magnitudes de entrada para generar una señal de ajuste (iG, vG) para el terminal de control (G), caracterizado porque c) en una fase A, en la que el diodo de oscilación libre (DS) se encuentra en un estado conductivo, se regula un gradiente de corriente de colector diC/dt del interruptor de semiconductor de potencia (S1-S4), y d) en una fase B, en la que el diodo de oscilación libre (DS) se encuentra en un estado de bloqueo, se regula un gradiente de tensión de colector-emisor dvCE/dt del interruptor de semiconductor de potencia (S1-S4).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CT-CONCEPT TECHNOLOGIE AG.

Nacionalidad solicitante: Suiza.

Dirección: RENFERSTRASSE 15,2504 BIEL.

Inventor/es: THALHEIM, JAN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 21 de Mayo de 2008.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS > TECNICA DE IMPULSO (medida de las características... > Conmutación o apertura de puerta electrónica, es... > H03K17/567 (Circuitos caracterizados por la utilización de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores, p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT)
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PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA REGULAR, EN FUNCION DEL ESTADO, EL COMPORTAMIENTO TRANSITORIO DE INTERRUPTORES DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.