PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO DE FABRICACION DE UN DETECTOR ELECTRONICO DE GAAS PARA LA DETECCION DE RAYOS X PARA LA FORMACION DE IMAGENES.

Procedimiento de fabricación de un detector electrónico de GaAs para la detección de rayos X para la formación de imágenes, en el que se hace crecer primeramente una capa epitaxial sobre un sustrato n+

(o p+) para formar un material semiconductor que comprende un cierto dopaje residual, durando dicha etapa de crecimiento de dicha capa epitaxial en tanto el espesor de la capa epitaxial no sea suficiente para absorber eficazmente los fotones X, comprendiendo las etapas siguientes: #- asegurar el paralelismo y el aislamiento térmico entre el sustrato n+ (o p+) y el material fuente, siendo dicho material fuente una plaquita cortada en un lingote de GaAs semiaislante no intencionadamente dopado, siendo de la misma naturaleza dicho material fuente y dicho material semiconductor;# - calentar dicho material fuente a una primera temperatura T1 > 600ºC;# - calentar dicho sustrato n+ (o p+) a una segunda temperatura T2, siendo dicha segunda temperatura T2 inferior a dicha primera temperatura T1; - hacer interactuar químicamente un gas reactivo con el material fuente de temperatura T1 para crear productos volátiles; #- transportar dichos productos volátiles hacia dicho sustrato n+ (o p+) por medio de un gradiente de presión entre dicho material fuente a la temperatura T1 y dicho sustrato n+ (o p+) a la temperatura T2#; - hacer interactuar químicamente dichos productos volátiles con la superficie de dicho sustrato n+ (o p+) a la temperatura T2 a fin de recompensar dicho gas reactivo y dicho material semiconductor, prosiguiéndose el procedimiento de fabricación con las etapas siguientes:# - disminuir el espesor del sustrato por pulido mecanoquímico, formar una estructura p+/i/n+ implantando iones p+ (o n+) en una cara externa del material semiconductor y recocer dicha estructura p+/i/n+ a una temperatura zeta1 durante un tiempo t1; - realizar contacto óhmnicos en las dos caras de la estructura p+/i/n+; - realizar detectores individuales por enmascaramiento, pasivación y decapado óhmnico; comprendiendo asimismo dicho procedimiento una etapa que consiste en reducir el dopaje residual de dicha capa epitaxial.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: UNIVERSITE PIERRE ET MARIE CURIE.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 4, PLACE JUSSIEU,75252 PARIS CEDEX 05.

Inventor/es: BOURGOIN,JACQUES.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 8 de Agosto de 2007.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/18 (Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Crecimiento de monocristales por reacción química... > C30B25/02 (Crecimiento de un lecho epitaxial)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > VIDRIO; LANA MINERAL O DE ESCORIA > FABRICACION O MODELADO DE VIDRIO O DE LANA MINERAL... > Acabado del vidrio modelado (acabado de fibras o... > C03B23/02 (Acabado de las hojas de vidrio)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/117 (del tipo detectores de radiación con efecto de volumen, p. ej. detectores PIN en Ge compensados al Li para rayos gamma)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/115 (Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular)
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