DISPOSICION ESTRATIFICADA A BASE DE CAPAS SEMICONDUCTORAS UNIDAS HETEROGENEAMENTE, CON POR LO MENOS UNA CAPA SEPARADORA INTERCALADA, Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.

Disposición estratificada a base de capas semiconductoras unidas heterogéneamente sobre un substrato, con por lo menos una capa separadora intercalada que tiene una estructura previamente establecida de rejillas estratificadas, para la separación mecánica definida de las capas semiconductoras mediando participación de un calcógeno en todas las capas: caracterizada porque el substrato

(2) está revestido con una película metálica (3) y la capa separadora (4) está estructurada como capa de dicalcogenuro metálico mediando participación del metal procedente de la película metálica (3) y del calcógeno procedente de por lo menos una capa semiconductora (6), y tiene una estructura de vasos (5) doblada y continua, con una estructura de rejillas estratificadas (del tipo I) formada perpendicularmente a ésta en la transición hacia la película metálica (3) y con una estructura de rejillas estratificadas (del tipo II) formada paralelamente a ésta en la transición hacia la capa semiconductora (6), pudiéndose efectuar la separación mecánica sin dejar residuos con respecto de la capa semiconductora (6).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: GLIENICKER STRASSE 100,14109 BERLIN.

Inventor/es: LUX-STEINER, MARTHA, CHRISTINA, FUERTES MARRON,DAVID, MEEDER,ALEXANDER, WURZ,ROLAND, SCHEDEL-NIEDRIG,THOMAS.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 28 de Mayo de 2008.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/18 (Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/032 (comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/304 (Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/20 (Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0392 (comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0336 (en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. Cu 2 X/CdX, hetero-uniones, siendo X un elemento del Grupo VI de la clasificación periódica)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/072 (siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/0256 (caracterizados por los materiales)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Tratamiento posterior de monocristales o de materiales... > C30B33/12 (en atmósfera gaseosa o en plasma)
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DISPOSICION ESTRATIFICADA A BASE DE CAPAS SEMICONDUCTORAS UNIDAS HETEROGENEAMENTE, CON POR LO MENOS UNA CAPA SEPARADORA INTERCALADA, Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.