10 inventos, patentes y modelos de LEISTAD, GEIRR, I.

  1. 1.-

    LECTURA NO DESTRUCTIVA.

    (03/2007)

    Un procedimiento para determinar un estado lógico de células de memoria seleccionadas, proporcionadas en un dispositivo pasivo de almacenamiento de datos, matricialmente direccionable, que contiene líneas de palabra y de bit (LP; LB), en el cual a un estado lógico específico se asigna un único valor lógico, según un protocolo predeterminado, en donde dichas células almacenan datos en forma de un estado de polarización eléctrica en estructuras similares a condensadores, que comprenden un material polarizable, en...

  2. 2.-

    APARATO PARA EL ALMACENAMIENTO VOLUMETRICO DE DATOS QUE COMPRENDE UNA SERIE DE DISPOSITIVO DE MEMORIA APILADOS DIRECCIONABLES EN FORMA DE MATRIZ.

    (03/2006)
    Ver ilustración. Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/22, H01L23/48, G11C5/02, H01L27/01.

    Aparato para el almacenamiento volumétrico de datos que comprende una serie de dispositivos de memoria apilados (M) direccionables, por matriz, en el que cada.

  3. 3.-

    ELECTRODOS, PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA UNA ESTRUCTURA DE MEMORIA.

    (11/2005)
    Solicitante/s: THIN FILM ELCTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/22, H01L21/8239.

    Un medio (EM) de electrodos que comprende una primera y una segunda capas (L1, L2) de electrodos de película delgada con electrodos (s) en la forma de conductores eléctricos en forma de banda en cada capa, en el que los electrodos (s) de la segunda capa (L2) de electrodos están orientados longitudinalmente básicamente de forma ortogonal con respecto a los electrodos (e) de la primera capa (L1), en el que al menos una de las capas (L1, L2) de electrodos se dispone sobre una superficie aislante de un substrato o plano de apoyo (7, 7’) y en el que las capas (L1, L2) de electrodos están dispuestas en planos separados paralelos que están en contacto con una capa globalmente dispuesta de un medio funcional.

  4. 4.-

    APARATO OPTOELECTRONICO DE DIRECCIONAMIENTO MATRICIAL Y MEDIOS DE ELECTRODOS DEL MISMO.

    (08/2005)

    Aparato optoelectrónico direccionable matricialmente que comprende un medio funcional en forma de material optoelectrónicamente activo dispuesto en una capa global emparedada entre un primer y un segundo medios de electrodos (EM1, EM2), cada uno con electrodos paralelos , en forma de cinta, en el que los electrodos del segundo medio de electrodos (EM2) están orientados en ángulo respecto de los otros electrodos del primer medio de electrodos (EM1), en el que los elementos funcionales están conformados en volúmenes del material...

  5. 5.-

    DISPOSITIVO FERROELECTRICO DE TRATAMIENTO DE DATOS.

    (02/2005)

    En un dispositivo de procesamiento de datos ferroeléctrico para el procesamiento y/o almacenamiento de datos con direccionamiento pasivo o eléctrico se usa un medio de transporte de datos en forma de película fina de material ferroeléctrico que con un campo eléctrico aplicado se polariza para determinar los estados de polarización o conmutación entre ellos y se proporciona como una capa continua en o adyacente a unas estructuras de electrodos con forma de matriz. Un elemento lógico se forma en la intersección entre un electrodo x y un electrodo y de la matriz de electrodos. El elemento lógico se direcciona aplicando a los electrodos un voltaje mayor que el campo coercitivo del material ferroeléctrico. Dependiendo del...

  6. 6.-

    DISPOSITIVO PASIVO DIRECCIONABLE ELECTRICAMENTE, METODO PARA EL DIRECCIONAMIENTO ELECTRICO DEL MISMO, UTILIZACION DEL DISPOSITIVO Y DEL METODO.

    (12/2003)

    La invención se refiere a un dispositivo pasivo eléctricamente direccionable que permite registrar, almacenar y/o tratar datos. Este dispositivo está constituido por un soporte funcional que presenta una forma continua o con motivos (S) que puede experimentar un cambio de estado físico o químico. El soporte funcional comprende células individualmente direccionables que representan un valor registrado o detectado o a las que se afecta un valor lógico predeterminado para la célula. La célula se coloca entre el ánodo y el cátodo en un órgano de electrodos (E) que está en contacto con e soporte funcional en la célula y conlleva un acoplamiento eléctrico, presentando el...

  7. 7.-

    PROCEDIMIENTOS Y DISPOSITIVOS PARA VALIDAR UNA FIRMA PERSONAL.

    (11/2003)

    PARA EL REGISTRO, ANALISIS Y VALIDACION DE UNA FIRMA MANUSCRITA PERSONAL, LA FIRMA ES REGISTRADA MEDIANTE UN DISPOSITIVO ESCRITOR DOTADO DE UN DETECTOR DE MOVIMIENTO DE EJE MULTIPLE Y SE GENERA UN FLUJO DE DATOS PARA EL MOVIMIENTO DEL DISPOSITIVO ESCRITOR CON DOS O SEIS GRADOS DE LIBERTAD, ASI COMO UN FONDO RELOJ. EL FLUJO DE DATOS ES TRANSMITIDO A UN DISPOSITIVO PROCESADOR DE DATOS PARA SU ANALISIS Y TRANSFORMACION EN FORMATO COMPILADO PREDETERMINADO QUE SON ALMACENADOS EN FICHEROS EN UNA BASE DE DATOS. UNA FIRMA PERSONAL RECIEN REGISTRADA SE VALIDA COMPARANDOLA CON UNA FIRMA PERSONAL CORRESPONDIENTE Y AUTENTICADA QUE ESTA ALMACENADA EN LA BASE...

  8. 8.-

    MEMORIA DE SOLO LECTURA Y DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SOLO LECTURA.

    (09/2002)
    Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/56, G11C17/10, H01L27/102.

    material del sustrato.

  9. 9.-

    MEMORIA DE SOLO LECTURA Y DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SOLO LECTURA.

    (09/2002)
    Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/56, G11C17/10, H01L27/102.

    material del sustrato.

  10. 10.-

    Dispositivo de procesamiento digital.

    (08/2002)

    Un dispositivo de procesamiento digital P, particularmente para procesar datos digitales y estructuras de señales, en que las estructuras de datos y señales comprenden secuencias repetidas y/o patrones anidados, y en que el dispositivo de procesamiento P generalmente está configurado como un árbol normal con n+1 niveles So, S1, ... Sn y degradok,caracterizado porque el dispositivo de procesamiento P está provisto en la forma de un circuito Pn en el nivel Sn, y que forma el nodo raíz del árbol, en que el nivel más próximo Sn-1 está provisto en forma anidada en el circuito Pn, y que comprende k circuitos Pn-1 que forman los nodos hijo del nodo raíz, en que generalmente un nivel subyaciente Sn-q en el circuito Pn, en donde...