167 patentes, modelos y diseños de WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC. (pag. 3)

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE CRISTAL LIQUIDO.

Sección de la CIP Física

(16/08/1981). Clasificación: G02F1/133.

CELULA DE CRISTAL LIQUIDO PARA VISUALIZADOR. CONSTA DE UN MATERIAL DE CRISTAL LIQUIDO CON DIRECTORES DE ORIENTACION SITUADOS ENTRE UNA SUPERFICIE DE UN PRIMER SUSTRATO Y DE UN SEGUNDO SUSTRATO. EL MATERIAL DE CRISTAL LIQUIDO ESTA EN LA MESOFASE NEMATICA. EL LIMITE PROPORCIONADO POR LAS SUPERFICIES DEL PRIMER Y SEGUNDO SUSTRATOS CONTIENEN, AL MENOS, DOS PUNTOS SINGULARES DE ALIMENTACION DE ORIENTACION. AL MENOS DOS REGIONES ADYACENTES EN CADA UNA DE LAS SUPERFICIES DE LOS SUSTRATOS TIENEN LA CARACTERISTICA DE QUE LOS DIRECTORES SITUADOS EN CADA SUPERFICIE SE ALINEAN EN PARALELO, Y LAS ALINEACIONES EN REGIONES ADYACENTES ALTERNAN DE UN ANGULO POSITIVO A UN ANGULO NEGATIVO RESPECTO A UNA PERPENDICULAR A CADA SUPERFICIE DEL SUSTRATO. I.

PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE ALEACCIONES MAGNETICAS CONTENIENDO FE-CR-CO.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/08/1981). Clasificación: C22C38/30.

PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE ALEACIONES MAGNETICAS DE HIERRO, COBALTO Y CROMO. LAS ALEACIONES SE PREPARAN MEDIANTE COLADA A PARTIR DE UNA FUSION DE LOS ELEMENTOS CONSTITUYENTES; DEBE TENERSE LA PRECAUCION DE EVITAR IMPUREZAS TALES COMO EL NITROGENO Y MATERIALES DEL HORNO. PUEDEN PRESENTARSE LAS ALEACIONES EN FORMA DE LINGOTES, MECANIZADOS EN CALIENTE Y EN FRIO, Y SE APLICA UN TRATAMIENTO TERMICO DE ENVEJECIMIENTO O DE DEFORMACION, QUE DA ISOTROPIA O ANISOTROPIA MAGNETICA. OCASIONALMENTE PUEDEN ADICIONARSE OTROS COMPONENTES.

PERFECCIONAMIENTOS EN CABLES ELECTRICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/06/1981). Clasificación: H01B11/10.

SISTEMA DE BLINDAJE PARA CABLES DE CONDUCTORES MULTIPLES. EL BLINDAJE ESTA CONSTITUIDO POR UNA LAMINA ONDULADA DE MATERIAL CONDUCTOR, AL QUE SE LE FORMA, A LO LARGO DE UN LADO, UN PLIEGUE EN FORMA DE S APLASTADA QUE SE RECUBRE DE AISLANTE Y SE SITUA A LO LARGO DE LOS CONDUCTORES AISLADOS PARA ENROLLARLO, CUBRIENDOLOS; EL CONJUNTO SE RECUBRE POR UN AISLANTE . A LO LARGO DEL PLIEGUE SE REALIZAN UNAS PERFORACIONES PARA FACILITAR EL PELADO DEL BLINDAJE PARA REALIZAR EMPALMES.

PROCEDIMIENTO PARA INICIALIZAR LA CORRIENTE DE BUCLE DE APARATOS TELEFONICOS Y APARATO PARA SU REALIZACION.

Sección de la CIP Electricidad

(01/06/1981). Clasificación: H04M1/76.

CIRCUITO REGULADOR DE LA CORRIENTE EN LINEAS DE TRANSMISION TELEFONICA. CUANDO SE DESCUELGA EL RECEPTOR DE ABONADO , SE CIERRAN LOS INTERRUPTORES PARA ALIMENTACION DESDE LA CENTRAL, LLEGANDO AL RECEPTOR TODA LA TENSION, YA QUE EL MONTAJE (Q1), INSTALADO EN LA LINEA , ESTA A CONDUCCION PLENA POLARIZADO POR UNA RESISTENCIA (R1). UN CIRCUITO COMPARADOR TOMA REFERENCIA DE TENSION DEL RECEPTOR EN EL NUDO (VX), Y SEGUN SEA ESTA TENSION ACTUA SOBRE UN CIRCUITO DIGITAL DE SELECCION QUE CONECTA A LA BASE DEL (Q1), UNA DE LAS RESISTENCIAS (R2 A R7), PARA ADECUAR, POR VARIACION DE LA CONDUCTANCIA DE LA LINEA, LAS CONDICIONES DE TRABAJO DEL RECEPTOR.

PERFECCIONAMIENTOS EN IGUALADORES AUTOMATICOS PARA TRANSMISION DIGITAL POR PARES TRENZADOS DE CONDUCTOS TELEFONICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/05/1981). Clasificación: H04B3/14.

IGUALADOR AUTOMATICO PARA TRANSMISION DIGITAL POR CABLES TELEFONICOS DE DOS CONDUCTORES. UN CABLE DE DOS CONDUCTORES ENLAZA UN TERMINAL DE LA CENTRAL CON UN TERMINAL DE ABONADO , AMBOS COMPUESTOS POR TRANSMISORES CONECTADOS A UNOS HIBRIDOS , QUE MANTIENEN EQUILIBRIOS DE SEÑAL EN UNA AMPLIA GAMA DE FRECUENCIAS, A TRAVES DE LOS CUALES, Y POR LA LINEA , MANDAN SUS SEÑALES A UNOS IGUALADORES QUE SON ALIMENTADOS A LOS RECEPTORES Y A UNOS DETECTORES DE CRESTAS PARA, MEDIANTE UNOS COMPARADORES , COMPARAR LA SEÑAL RECIBIDA CON UNA SEÑAL DE REFERENCIA Y ASI AJUSTAR LOS IGUALADORES ,.

PERFECCIONAMIENTOS EN APARATOS PARA CODIFICAR DATOS Y REGISTRARLOS SOBRE UNA TARJETA QUE TIENE UNA SUPERFICIE MAGNETIZABLE.

Sección de la CIP Física

(16/04/1981). Clasificación: G06K7/016.

ANOTADORA DE DATOS SOBRE TARJETAS CON SUPERFICIES MAGNETIZABLES. INTRODUCIDA LA TARJETA A MANO EN UNA RANURA A TAL EFECTO, ESTA ES DETECTADA POR UN SENSOR DE TARJETA Y UNA CABEZA MAGNETICA DE REGISTRO . LA SALIDA DEL SENSOR DE TARJETA Y UNA CABEZA MAGNETICA DE REGISTRO . LA SALIDA DEL SENSOR VA A UN CIRCUITO LOGICO DE CONTROL QUE ACTIVA UN CIRCUITO GENERADOR DE RAMPAS Y DE RETENCION . ESTE SE CONECTA A UN COMPARADOR QUE ES ACTIVADO CUANDO LA TERJETA SE SITUA MAS ALLA DE LA CABEZA MAGNETICA DE REGISTRO , Y A UN OSCILADOR . EL COMPARADOR ACTIVA UN CIRCUITO DE CONTROL DE ESCRITURA QUE OPERA SOBRE EL OSCILADOR Y SOBRE UN GENERADOR DE ONDAS . UN REGISTRO DE DATOS ALMACENA LA ENTRADA DESDE UN TECLADO U OTRO MEDIO, Y A TRAVES DEL GENERADOR DE ONDAS Y EL EXCITADOR DIRIGE LA CABEZA MAGNETICA DE REGISTRO QUE IMPRIME SOBRE LA SUPERFICIE MAGNETICA DE LA TERJETA. DE APLICACION EN EL PROCESADO DE TARJETAS DE CREDITO.

PERFECCIONAMIENTOS EN DETECTORES DE IONIZACION ACUMULATIVA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/04/1981). Clasificación: H01L31/107.

FOTODETECTORES DE IONIZACION ACUMULATIVA. COMPRENDE UNA PLURALIDAD DE CAPAS SEMICONDUCTORAS DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD ALTERNATIVAMENTE OPUESTO. LAS HETEROUNIONES EN LAS ETAPAS AMPLIFICADORAS, ESTAN FORMADAS POR LAS CAPAS P Y N (10 Y 11; 12 Y 13; 14 Y 15) Y LAS HETEROUNIONES (1.4 Y 1.5) FORMADAS ENTRE LAS CAPAS N Y P (11 Y 12; 13 Y 14). AL APLICAR TENSION A LOS ELECTRODOS , FABRICADOS SOBRE LAS CAPAS P , SE PROPORCIONA POLARIDAD DIRECTA A LAS HETEROUNIONES Y POLARIDAD INVERSA A LAS HETEROUNIONES Y SIRVEN PARA SEPARAR LAS LAGUNAS ACUMULADAS EN LAS TRAMPAS DEL DISPOSITIVO ; ESTA SEPARACION DE LAGUNAS AYUDA TAMBIEN A MEJORAR EL TIEMPO DE RESPUESTA DEL DISPOSITIVO.

PERFECCIONAMIENTOS EN ADAPTADORES PARA CONECTAR ELECTRICAMENTE UNA PLURALIDAD DE CLAVIJAS MODULARES A UN JACK.

Sección de la CIP Electricidad

(01/04/1981). Clasificación: H01R31/02.

ADAPTADOR PARA CONEXION ELECTRICA DE VARIAS CLAVIJAS A UN JACK. UNA CAJA DE MATERIAL ELECTRICO TIENE UN TERMINAL CLAVIJA Y VARIAS ENTRADAS JACK , CADA UNA DE ELLAS CON DOS CANALES PARA RECIBIR VARIOS CABLES PARA SU INTERCONEXION, SITUANDOSE EN CADA CANAL UN ELEMENTO DE CONTACTO . LA CLAVIJA DISPONE DE ELEMENTOS DE FIJACION CON EL JACK A CONECTAR. C.

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE CIRCUITO OPTICO.

Sección de la CIP Física

(01/04/1981). Clasificación: G02F3/00.

CIRCUITO AMPLIFICADOR OPTICO. UN LASER SEMICONDUCTOR , CON UNA REGION ACTIVA CON TRAMPAS CREADAS POR BOMBARDEO IONICO, DE CAPTURA DE ELECTRONES DE NIVEL PROFUNDO, SE CONECTA EN SERIE CON UNA RESISTENCIA , A UNA FUENTE DE FORMA QUE AL RECIBIR UNA SEÑAL LUMINOSA EL FOTODIODO , SE GENERA UNA CORRIENTE QUE HACE EMITIR AL LASER UNA SEÑAL LUMINOSA SUPERIOR A LA RECIBIDA POR EL FOTODIOLO . CONECTANDO DOS FOTODIODOS EN SERIE A LOS TERMINALES DE LA RESISTENCIA , SE TIENE UNA PUERTA LOGICA Y, Y CONECTANDO DOS FOTODIODOS EN PARALELO SE OBTIENE UNA PUERTA LOGICA O.

PERFECCIONAMIENTOS EN INTERRUPTORES DISPARADOS OPTICAMENTE.

Sección de la CIP Electricidad

(01/04/1981). Clasificación: H03K17/725.

INTERRUPTOR ELECTRICO CON MEDIOS OPTICOS. UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (JFET), ENCARGADO DE PERMITIR O NO LA CIRCULACION DE CORRIENTE, ES CONTROLADO EN SU PUERTA (G) POR LA CORRIENTE DE UNOS FOTODIODOS (PDA), CUANDO SON EXCITADOS POR LA LUZ DE UN DIODO LED. LOS DIODOS (D1, BD2), SE COLOCAN, POR UNOS DIODOS ZENER, PARA EVITAR ACOPLAMIENTOS ENTRE LA FUENTE (D) Y EL DRENAJE (S) CON LA PUERTA (G). LA RESISTENCIA (R) SIRVE PARA DESCARGAR AL TRANSISTOR (JFET) DE LA CARGA DEBIDA A SU CAPACIDAD. EN LUGAR DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SE PUEDEN EMPLEAR DIODOS CONMUTADOS. Z.

PERFECCIONAMIENTOS EN SISTEMAS DE COMUNICACION.

Sección de la CIP Electricidad

(16/03/1981). Clasificación: H04M9/00.

DISPOSITIVO DE DETECCION DE LA DISPONIBILIDAD DE UNA LINEA DE COMUNICACION. A CADA RECEPTOR DE UN SISTEMA DE COMUNICACIONES SE LE ACOPLA UN DISPOSIITVO DE DETECCION QUE CHEQUEA EL ESTADO DEL RECEPTOR AL CUAL SE DIRIGE LA LLAMADA. ESTE DISPOSITIVO DISPONE DE UNA MEMORIA QUE PROPORCIONA INFORMACION DEL RECEPTOR OBJETIVO DE LA LLAMADA, DISPONIENDO DE UNA SEÑALIZACION QUE AVISA EN CUANTO LA LINEA SE HALLE DESCOCUPADA. DE ESTA FORMA EL APARATO GENERADOR DE LA LLAMADA ESTA A LA ESPERA Y NO ES NECESARIO VOLVER A MARCAR EL NUMERO PARA LOGRAR LA COMUNICACION. EL DISPOSITIVO PERMITE DISMINUIR EL NUMERO DE LINEAS COMPARTIDAS NECESARIO PARA UNA INSTALACION DADA.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE CIRCUITOS A TRAVES DE PROCESO LITOGRAFICO.

Sección de la CIP Física

(16/03/1981). Clasificación: G03F7/004.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CIRCUITOS IMPRESOS POR UN PROCESO LITOGRAFICO. SOBRE UNA SUPERFICIE DE ELABORACION ACTINICA SE SITUA UNA CAPA DE IDENTICO MATERIAL CON UNA ALTA PORCION DE VIDRIO DE CALCOGENURO Y MATERIAL CON CONTENIDO DE PLATA. PARTES DE ESTA CAPA SE SOMETEN A RADIACION ACTINICA QUE INDUCE UNA TRASLACION DE LA PLATA A ZONAS ESCOGIDAS. SE ELIMINA A CONTINUACION EL MATERIAL QUE CONTIENE PLATA Y NO HA SIDO AFECTADO POR LA RADIACION; PARA ESTO SE TRATA LA SUPERFICIE PRODUCIENDOSE UN HALURO DE PLATA QUE SEA HIDROSOLUBLE. LA INMERSION EN UNA SOLUCION QUE EXTRAE EL HALOGENURO Y EL LAVADO COMPLETAN EL PROCESO.

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS PARA PROCESAR UNA SEÑAL DE DATO RECIBIDA QUE SE HA TRANSMITIDO POR UN CANAL DE TRANSMISION A UN REGIMEN 1-T SIMBOLOS POR SEGUNDO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/02/1981). Clasificación: H04L27/01.

COMPENSADOR DE DISTORSION EN CANALES DE TRANSMISION DE BANDA LIMITADA. LA SEÑAL LLEGA A UN DIVISOR DE FASE QUE GENERA DOS COPIAS DE LA MISMA PASANDO ESTAS A UN CONVERTIDOR A/D . UNAS SEÑALES PASAN A TRAVES DE UNA UNIDAD DE RETARDO A UNA UNIDAD IGUALADORA , Y LAS OTRAS VAN DIRECTAMENTE A OTRA UNIDAD IGUALADORA , MEDIANTE LA ACTUACION DE UN CONMUTADOR . LAS SALIDAS DE LAS IGUALADORAS SE SUMAN Y PASAN A UN REMODULADOR . DE ESTE VAN A UNOS CIRCUITOS DE DECISION EN CUADRATURA CUYA SALIDA SON LAS SEÑALES PRETENDIDAS. UN REMODULADOR DE ERROR EFECTUA LAS CORRECCIONES OPORTUNAS. UNA FUENTE DE CORRIENTE PORTADORA GENERA SEÑALES DIGITALES PARA QUE LAS SALIDAS DEL DEMODULADOR SEAN LAS DESEADAS.

PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS EN ESTADO SOLIDO MEDIANTE TECNICAS DE PROCESADO CON PLASMA.

Sección de la CIP Física

(16/02/1981). Clasificación: G03F7/033.

PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR MODELOS PROTECTORES NEGATIVOS PARA DISPOSITIVOS EN ESTADO SOLIDO, MEDIANTE IRRADIACION Y PROCESADO CON PLASMA. UN MATERIAL MONOMERICO DISUELTO SENSIBLE A LA RADIACION ELECTROMAGNETICA SE APLICA SOBRE UN SUSTRATO POLIMERICO Y SE SECA; A CONTINUACION SE IRRADIA CON UNA RADIACION DE ONDA ADECUADA A TRAVES DE UNA MASCARA QUE REPRODUCE EL MODELO DESEADO; POR CALENTAMIENTO SE ELIMINA EL MONOMERO NO FIJADO POR LA RADIACION, Y LUEGO, POR TRATAMIENTO CON PLASMA, SE ELIMINA EL POLIMERO DEL SUSTRATO ALLI DONDE NO ESTA PROTEGIDO POR EL MONOMERO IRRADIADO.

PERFECCIONAMIENTOS EN CONECTORES ELECTRICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/02/1981). Clasificación: H01R27/00.

DISPOSITIVO CONECTOR ELECTRICO. EL MODULO DISPONE DE UNA CAVIDAD PARA ACOMPLAMIENTO DE LA CLAVIJA CONECTORA Y DE UNA PLATAFORMA PARA COLOCAR UN ADAPTADOR DE CONTACTOS . TANTO EL MODULO COMO EL ADAPTADOR , AMBOS DE MATERIAL DIELECTRICO, LLEVAN EN SU INTERIOR UNOS CONDUCTORES QUE QUEDAN EN VOLADIZO EN EL INTERIOR DE LA CAVIDAD Y QUE AL SER INTRODUCIDA LA CLAVIJA ESTABLECEN EL CONTACTO, Y SE SITUAN A LO LARGO DE LAS RANURAS PARALELAS DEL MODULO . L.

PERFECCIONAMIENTOS EN CELULAS DE CRISTAL LIQUIDO.

Sección de la CIP Física

(16/02/1981). Clasificación: G02F1/137.

CELULA DE CRISTAL LIQUIDO BIESTABLE. CONSTA DE UN LIQUIDO Y DE UN CRISTAL LIQUIDO COLESTERICO, ASI COMO DE SUPERFICIES LIMITROFES QUE ALINEAN EL CRISTAL LIQUIDO ADYACENTE A LAS SUPERFICIES. DICHA CELULA DISPONE DE MEDIOS ADECUADOS PARA APLICAR ENERGIA DE CONMUTACION Y POSEE AL MENOS DOS ESTADOS ESTABLES. LA TORSION DEL CRISTAL LIQUIDO QUEDA LIMITADA A UN VALOR DISTINTO A SU VALOR INERTE, AL MENOS EN UN ESTADO ESTABLE. DICHO VALOR INERTE SOBRE EL ESPESOR DE LA CELULA ESTA COMPRENDIDO ENTRE 90 Y 270G Y, PREFERENTEMENTE, EN EL INTERVALOR 180 +- G; SIENDO LA DIFERENCIA DE PASO ENTRE LOS DOS ESTADOS ESTABLES DE, APROXIMADAMENTE, 360G. EL CRISTAL LIQUIDO ESTA PRACTICAMENTE EXENTO DE DISCLINACIONES Y DE PAREDES EN LOS ESTADOS ESTABLES Y DURANTE LA CONMUTACION NO PASA NINGUNA DISCLINACION A TRAVES DE LA REGION ACTIVA. DE EMPLEO EN VISUALIZADORES DE CRISTAL LIQUIDO DE APARATOS ELECTRONICOS Y MAS CONCRETAMENTE DE RELOJES DIGITALES. E.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE ARTICULOS ESPECIALMENTE UTILES EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE GRAN ESCALA.

Sección de la CIP Física

(16/02/1981). Clasificación: G03F7/038.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE MOLDES PARA LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE GRAN ESCALA. SOBRE UNA CAPA DEL ARTICULO A FABRICAR SE SUPERPONE UNA CAPA DE ELABORACION ACTINICA, SENSIBLE A LA RADIACION, SOMETIENDO ESTA A RADIACION SE DEFINE LA FORMA DEL PATRON, PARA QUE POSTERIORMENTE UN AGENTE DE REVELADO ELIMINE LAS ZONAS NO IRRADIADAS Y FINALMENTE UN AGENTE DE ALTERACION ATAQUE LAS ZONAS DEL ARTICULO DONDE NO QUEDA CAPA DE ELABORACION.

PERFECCIONAMIENTOS EN SISTEMAS DE COMUNICACION CON PLURALIDAD DE ESTACIONES QUE TIENEN CAPACIDAD DE SEÑALIZACION DE DIGITOS DE MF.

Sección de la CIP Electricidad

(16/02/1981). Clasificación: H04Q1/50.

DISPOSITIVO INTERFASE ENTRE UNA RED DE CONMUTACION LOCAL Y LA LINEA DE LA CENTRAL. SE UTILIZA PARA CONVERTIR LAS SEÑALES MF DE UN DETERMINADO ABONADO EN SEÑALES EQUIVALENTES A LAS DE DISCO GIRATORIO EN SISTEMAS DE COMUNICACION. UN PROCESADOR RECIBE DE UNOS DECODIFICADORES DE MF (102-1, 102-N) LA SEÑAL PARA ACTUAR SOBRE LOS TRAYECTOS DE TRANSMISION Y SOBRE LA CENTRAL . UNA INTERFASE PROPORCIONA ACCESO AL SISTEMA DE COMUNICACION LOCAL AL APARATO DE ESTACION TELEFONICA.

PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA CAPA DE OXIDO SOBRE UNA SUPERFICIE PRINCIPAL DE UN CUERPO DE UN COMPUESTO DE LOS GRUPOS III-V QUE NO CONTIENEN A1.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1980). Clasificación: H01L21/28.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPAS DE OXIDO A PARTIR DE CAPAS DE COMPUESTOS DE LOS GRUPOS III-V QUE CONTIENEN A1. CONSTA DE LAS SIGUIENTES ETAPAS: 1) FORMACION DE UNA CAPA DE COMPUESTOS DE LOS GRUPOS III-V QUE CONTIENEN A1 SOBRE LA SUPERFICIE PRINCIPAL; EL CONTENIDO DE A1 CERCA DE LA SUPERFICIE PRINCIPAL ES MENOR QUE EN LA PARTE MAS ALEJADA. DICHA CAPA ES DE ALXGA1-XAS OSCILANDO X DE 0,35-0,40. 2) OXIDACION TERMICA DE LA CAPA DE CONTIENE A1 TERMINANDOSE LA OPERACION DE FORMA AUTOMATICA; ESTA OPERACION TIENE LUGAR EN PRESENCIA DE VAPOR DE AGUA Y EN UNA MEZCLA GASEOSA FLUIDA DE NITROGENO Y OXIGENO. OBTENCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPACITORES DE PELICULA METALIZADA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1980). Clasificación: H01G4/32.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPACITADORES DE PELICULA METALIZADA, ENROLLADA Y MARCADA CON RAYOS LASER. CONSISTE EN ENROLLAR SOBRE UN MANDRIL HENDIDO UN PAR DE TIRAS DE PELICULAS DE PLASTICO Y , TENIENDO CADA UNA DE ELLAS UNA SUPERFICIE METALIZADA CON UNOS MARGENES Y OPUESTOS Y NO METALIZADOS QUE SE EXTIENDEN LONGITUDINALMENTE. DURANTE LA OPERACION DE ENROLLADO SE HACE INCIDIR SOBRE LAS CITADAS SUPERFICIES RAYOS LASER, AL TIEMPO QUE SE ENROLLAN CON UN DESPLAZAMIENTO O FALTA DE COINCIDENCIA DE UNA TIRA CON RESPECTO A LA OTRA, DE MODO QUE LOS BORDES COMPLETAMENTE METALIZADOS SE EXTIENDEN MAS ALLA DE LOS BORDES SIN METALIZAR. POR ULTIMO, LOS ROLLOS DE PELICULA METALIZADA SE CIERRAN HERMETICAMENTE DE FORMA TERMICA, PULVERIZANDO METAL DE ESTAÑO SOLDADURA SOBRE LOS EXTREMOS OPUESTOS DE CADA ROLLO, SUJETANDO, FINALMENTE, TERMINALES ELECTRICOS A LOS BLOQUES DE ESTAÑO SOLDADURA. F.

PERFECCIONAMIENTOS EN FILTROS ADAPTABLES DIGITALES.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1980). Clasificación: H03H21/00.

FILTRO ADAPTABLE DIGITAL PARA LA SUPRESION DE ECOS. COMPRENDE UN DISPOSITIVO QUE RESPONDE A UN COMPONENTE DE ACTUALIZACION DE COEFICIENTES Y A UN COEFICIENTE DE RAMIFICACION PARA EXCITAR DEBILMENTE LA SEÑAL DE COEFICIENTE DE RAMIFICACION HACIA UN VALOR OPTIMO (APROXIMANDOLO A CERO), INTRODUCIENDO INTERMITENTEMENTE DERIVACION. LA DERIVACION SE INTRODUCE PERIODICAMENTE DURANTE UN MUESTREO DE UN NUMERO PREDETERMINADO DE PERIODOS DE MUESTRA. EL FILTRO COMPRENDE UN APARATO QUE PROPORCIONA COEFICIENTES DE RAMIFICACIONES PARA PROLONGAR EL COMPONENTE DE ACTUALIZACION A TRAVES DE UN CONVERTIDOR HASTA UNA PRIMERA ENTRADA DE UN ADICIONADOR DIGITAL.

PERFECCIONAMIENTOS EN TRANSDUCTORES DE DESPLAZAMIENTO.

Sección de la CIP Física

(16/12/1980). Clasificación: G01D5/34.

TRANSDUCTORES DE DESPLAZAMIENTO CODIFICADOS OPTICAMENTE. COMPRENDEN UNA ESCALA CON REGIONES DE CARACTERISTICAS OPTICAS DIFERENTES: UNA FUENTE DE HAZ DE RADIACION DIRIGIDA HACIA LA ESCALA Y UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS DETECTORES DISPUESTOS PARA RECIBIR RADIACION DE LA ESCALA. LOS ELEMENTOS DETECTORES Y LA FUENTE DEL HAZ DE RADIACION SE SITUAN EN EL MISMO LADO DE LA ESCALA, DE MODO QUE LA RADIACION SE REFLEJA EN LA ESCALA Y PASA AL INTERIOR DE LOS DETECTORES. UN GRUPO DE REGIONES DE UNA DETERMINADA CARACTERISTICA OPTICA COMPRENDEN ELEMENTOS DE PARES DE LINEAS CON UNA ANCHURA ESPECIFICA, ASI COMO MEDIOS QUE ESTAN FUNCIONALMENTE ASOCIADOS CON EL DETECTOR PARA HACER OPTIMA LA CORRESPONDENCIA ENTRE EL NUMERO DE ELEMENTOS DE DETECCION EN LOS DETECTORES Y LA ANCHURA DE UN ELEMENTO DE PARES DE LINEAS PERTENECIENTE A LA ESCALA.

PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR ARTICULOS MAGNETICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/12/1980). Clasificación: H01F1/04.

PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR ARTICULOS MAGNETICOS. CONSISTE EN DESARROLLAR EN UNA ALEACION PARTICULAS DE UNA BASE FUERTEMENTE MAGNETICAS POR REDUCCION CONTROLADA DE LA TEMPERATURA DE LA ALEACION A PARTIR DE UNA TEMPERATURA INICIAL EN LA QUE LA ALEACION SE ENCUENTRA EN UN ESTADO DE FASES MULTIPLES HASTA UNA TEMPERATURA EN QUE LA ALEACION SE ENCUENTRA EN UN ESTADO SOLIDO MONOFASIO Y DE TAL FORMA QUE EL LIMITE INFERIOR DEL MARGEN DE LAS PRIMERAS TEMPERATURAS COINCIDA CON EL LIMITE SUPERIOR DEL MARGEN DE LAS SEGUNDAS TEMPERATURAS; DESARROLLAR ANISOTROPIA MAGNETICA EN LA ALEACION SOMETIENDO LA ALEACION A DEFORMACION PLASTICA CON UNA REDUCCION DE LA SECCION DEL 30 POR 100 EN EL SEGUNDO MARGEN DE TEMPERATURAS, DANDO UNAS PARTICULAS DEL ORDEN DE 200 A 1.000 AMGSTROM, Y ENVEJECER LA ALEACION.

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.

Sección de la CIP Electricidad

(01/10/1980). Clasificación: H01L29/205.

Perfeccionamientos en dispositivos semiconductores que comprenden una pluralidad de capas de material semiconductor unidas a tope de un tipo de conductividad opuesta alterna, cuyas capas se agrupan en una secuencia de pares de capas, caracterizados porque el espacio de banda de la primera capa y el espacio de banda de la segunda capa en cada par de dicha secuencia son virtualmente iguales, los espacios de banda de cada par de dicha secuencia se disponen en una secuencia de tamaños en reducción y la segunda capa de por lo menos un par de la secuencia se adultera ligeramente.

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES COMPUESTOS PARA CIRCUITOS INTEGRADOS DE ALTA TENSION.

Sección de la CIP Electricidad

(16/09/1980). Clasificación: H01L21/76.

Perfeccionamientos en dispositivos semiconductores compuestos para circuitos integrados de alta tensión, del tipo que tiene una pluralidad de cavidad de material semiconductor monocristalino de un primer tipo de conductividad, dielectricamente aisladas entre sí por una capa de material aislante subyacente al fondo y lados de las mismas, estando soportadas las cavidades en una capa de material semiconductor policristalino y teniendo una superficie en un plano común de dicho dispositivo; caracterizados porque (a) el material semiconductor de dichas cavidades es de resistividad relativamente elevada y de una distribución de impurezas sustancialmente uniforme; (b) se dispone una primera cavidad que contiene un transistor pnp y un segunda cavidad que contiene un transistor npn; y © cada uno de dichos transistores consiste solamente en zonas tipo de conductividad adyacentes a la superficie que constituye respectivamente las zonas emisoras, base y colectora.

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE CONMUTACION DE ESTADO SOLIDO.

(16/09/1980) Perfeccionamientos en dispositivos de conmutadores de estad sólido que comprenden un cuerpo semiconductor cuya parte principal es de un primer tipo de conductividad, una primera región del primer tipo de conductividad, una segunda región de un segundo tipo de conductividad opuesto al del primer tipo de conductividad, una región de puerta del segundo tipo de conductividad, teniendo la primera, segunda y tercera regiones de puerta una menor resistividad que la de la parte principal y estando mutuamente separadas partes de la masa principal del cuerpo semiconductor, siendo los parámetros del dispositivo de tal naturaleza que, alimentándose un primer voltaje a la región de puerta, se forma una región de puerta, se forma una región de transmisión…

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE CONMUTACION DE ESTADO SOLIDO.

(16/09/1980) Perfeccionamientos en dispositivos de conmutación de estado sólido, que comprenden un cuerpo semiconductor, del cual una parte principal es de un primer tipo de conductividad, una primera región del primer tipo de conductividad, una segunda región de un segundo tipo de conductividad opuesto al primer tipo de conductividad, una región de puerta del segundo tipo de conductividad, estando mutuamente separadas la primera región, la segunda región y la región de puerta por partes de la masa principal, siendo la resistividad de la primera región, la segunda región y la región de puerta menores que la resistividad de la parte principal, eligiendose los parámetros del dispositivo de modo que alimentándose un primer voltaje a la presión de puerta,…

PERFECCIONAMIENTOS EN CIRCUITOS DE CONTROL PARA INTERRUPTORES DE DIODOS DE CONMUTACION.

(16/09/1980) Perfeccionamientos en circuitos de control para interruptores de diodos de conmutación, del tipo que se utiliza con un primer dispositivo de conmutación que comprende un cuerpo semiconductor, del cual una parte principal es de resistividad relativamente elevada, una primera región de un primer tipo e conductividad y de resistividad relativamente baja, una segunda región de un segundo tipo de conductividad opuesto al primer tipo de conductividad, conectándose la primera y la segunda regiones o los terminales de salida del dispositivo de conmutación, una región de puerta del segundo tipo de conductividad, separandose mutuamente la primera región, la segunda región de puerta por partes de la parte principal del cuerpo semiconductor, siendo…

PERFECCIONAMIENTOS EN CIRCUITOS DE CONMUTACION DE ESTADO SOLIDO.

(16/09/1980) Perfeccionamiento en circuitos de conmutación de estado sólido, del tipo que comprenden, un interruptor de diodo de desconexión cíclica (GDS) que comprende un cuerpo semiconductor cuya parte principal es de un primer tipo de conductividad, una primera región del primer de tipo de conductividad, una segunda región del segundo tipo de conductividad opuesta a la del primer tipo de conductividad, una región de puerta del segundo tipo de conductividad, estando mutuamente separadas la primera región, la segunda región y la región de puerta por partes de la masa principal del cuerpo semiconductor, siendo la resistividad de la parte principal o masa relativamente baja si se compara con las resistividades de la primera, segunda regiones y región…

PERFECCIONAMIENTOS EN CONDUCTORES AISLADOS CON PASTA PAPELERA SOBRE UNA CAPA CELULAR.

Sección de la CIP Electricidad

(16/09/1980). Clasificación: H01B3/52.

Perfeccionamientos en conductos aislados con pasta papelera sobre una capa celular, que comprenden un conductor metálico alargado, y un material de pasta papelera que encierra al conductor eléctrico, cuyo material de pasta papelera tiene un contenido de humedad relativamente bajo y se sitúa de una forma prácticamente concéntrica alrededor del conductor, caracterizados porque comprende un recubrimiento que tiene una estructura eficazmente celular, que se interpone en una capa entre el conductor y el material de pasta papelera y que cubre por lo menos partes del conductor, incluyendo el recubrimiento un material que cuando se cubre con el material de pasta papelera puede crear un aglutinamiento adhesivo en el material de pasta papelera y el conductor para formar una cubierta aislante que tiene una integridad sustancial, teniendo el recubrimiento una estructurada calcular cuando el material de pasta papelera se adhiere el conductor.

PERFECCIONAMIENTOS EN SISTEMAS DE ALMACENAMIENTO DE MENSAJES CONECTABLES A UNA CENTRAL DE CONMUTACION TELEFONICA.

(16/09/1980) Perfeccionamientos en sistemas de almacenamiento de mensajes conectables a una central de conmutación telefónica para almacenar mensajes de información, que incluye: una pluralidad de circuitos de interfase que tienen cada uno un primer y un segundo acceso; una pluralidad de circuitos de almacenamiento inde pendientes; una pluralidad de circuitos controladores conectados cada uno con uno de los circuitos de almacenamiento independientes para generar señales de control de almacenamiento; respondiendo los circuitos de almacenamiento independientes a señales de control de almacenamiento para almacenar y recuperar señales de información; caracterizados por comprender un procesador conectado a cada uno de la pluralidad de circuitos…

PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS MAGNETICOS DE MATERIALES EPITAXIALES DE GRANATE.

(16/08/1980) Perfeccionamientos en dispositivos magnéticos de materiales epitaxiales de granate, que comprenden un substrato de composición de granate que soporte por lo menos una primera capa epitaxial de una primera composición de granate de burbujas, cuya capa puede evidenciar anisotropia magnética uniaxial capaz de soportar regiones encerradas locales de polarización magnética opuesta a la del material circundante, provisto de primeros medios para polarizar magnéticamente la capa con el fin de estabilizar dichas regiones, segundos medios para situar dichas regiones locales y encerradas de polarización opuesta, y terceros medios para propagar dichas regiones locales, siendo el material de la estructura…

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