PERFECCIONAMIENTOS EN CIRCUITOS DE CONMUTACION DE ESTADO SOLIDO.

Perfeccionamiento en circuitos de conmutación de estado sólido,

del tipo que comprenden, un interruptor de diodo de desconexión cíclica (GDS) que comprende un cuerpo semiconductor cuya parte principal es de un primer tipo de conductividad, una primera región del primer de tipo de conductividad, una segunda región del segundo tipo de conductividad opuesta a la del primer tipo de conductividad, una región de puerta del segundo tipo de conductividad, estando mutuamente separadas la primera región, la segunda región y la región de puerta por partes de la masa principal del cuerpo semiconductor, siendo la resistividad de la parte principal o masa relativamente baja si se compara con las resistividades de la primera, segunda regiones y región de puerta; terminales y un terminal de puerta conectado a la región de puerta; siendo los parámetros del dispositivo de tal naturaleza que, alimentándose un primer voltaje a la región de puerta, se forme una región de transición en el cuerpo semiconductor que evite virtualmente el flujo de corriente entre la primera y la segunda regiones y que, alimentandose un segundo voltaje a la región de puerta y alimentandose voltaje apropiados a la primera y la segunda regiones, se establezca un trayecto de corriente de resistencia relativamente baja entre la primera y la segunda regiones por doble inyección de portadores, caracterizados porque a un terminal de salida del interruptor de diodo de desconexión cíclica, se conecta un amplificador y es éste y el terminal de puerta del díodo, se conecta un dispositivo de circuito de desplazamiento de nivel.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 222 BROADWAY NEW YORK,N.Y.10038.

Fecha de Solicitud: 19 de Diciembre de 1979.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 16 de Septiembre de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L29/72 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas.

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