Nanocomposite fotovoltaico que comprende nano-heterouniones en volumen inorgánicas procesadas en solución, célula solar y dispositivos de fotodiodo que comprenden el nanocomposite.
Un nanocomposite fotovoltaico que comprende una película de materiales semiconductores procesados en solución que comprenden un material de tipo-n (1) seleccionado entre puntos cuánticos de tipo-n y nanocristales de tipo-n,
y un material de tipo-p (2) seleccionado entre puntos cuánticos de tipo-p y nanocristales de tipo-p, en el que el material de tipo-n (1) tiene un nivel de banda de conducción al menos igual, en comparación con un nivel de vacío, al del material de tipo-p (2),
el material de tipo-p (2) tiene una banda de valencia como máximo igual, en comparación con un nivel de vacío, a la del material de tipo-n (1),
al menos una porción del material de tipo-n (1) y al menos una porción del material de tipo-p (2) están presentes en una capa (3) de nanocomposite binario con nano-heterounión en volumen que comprende una mezcla de material de tipo-n y material de tipo-p.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2013/057292.
Solicitante: FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: BARCELONA.
Inventor/es: Martínez Montblanch,Luis, KONSTANTATOS,Gerasimos, RATH,ARUP KUMAR, BERNECHEA NAVARRO,MARIA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/032 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
- H01L31/0392 H01L 31/00 […] › comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.
PDF original: ES-2746262_T3.pdf
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