PUENTE DE CONEXION (FUSIBLE) SEPARABLE E INTERRUPCION DE LA LINEA (ANTI-FUSIBLE) CONECTABLE ASI COMO PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION Y ACTIVACION DE UN FUSIBLE Y DE UN ANTI-FUSIBLE.
LA INVENCION TRATA DE UN PUENTE DE UNION SEPARABLE (FUSE) CON UNA PISTA DE CONDUCTORES (1) ELECTRICAMENTE CONDUCTORA,
QUE ESTA CONFIGURADA EN UN SUSTRATO (2, 2A) HECHO DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, QUE ES CONTINUA EN EXTENSION LONGITUDINAL Y QUE MUESTRA EN TRANSVERSAL RESPECTO A LA EXTENSION LONGITUDINAL UN DETERMINADO ANCHO, MOSTRANDO UN SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO AL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, TENIENDO EL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD UNA CONCENTRACION TAL CON RESPECTO AL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES QUE, A UNA TEMPERATURA DE ACTIVACION PREDETERMINADA QUE ES MAYOR QUE LA TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO DEL PUENTE DE UNION (12, 13), TIENE LUGAR UNA INTERRUPCION POR TODO EL ANCHO (M) DE LA PISTA DE CONDUCTORES (1) DEBIDO A LA DIFUSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD Y/O DEL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES (1) DEL SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: POCKRANDT, WOLFGANG, WINNERL, JOSEF, ZETTLER, THOMAS, GEORGAKOS, GEORG.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 6 de Febrero de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/535 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas.
- H01L27/02 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Oficina Europea de Patentes.
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