Interruptor de alimentación de bloque con protección integrada contra descargas electrostáticas (esd) y polarización adaptativa del cuerpo.
Un procedimiento de fabricación de un circuito, que comprende:
formar un interruptor de alimentación (504) que comprenda múltiples etapas conectadas en paralelo, conectar el interruptor de alimentación (504) entre una tensión de alimentación externa (Vdd_ex) y una tensión de alimentación interna (Vdd_in) y operable para encenderse en respuesta a un par de señales de activación (en_rest, en_few), las señales de activación independientes de un evento de descarga electrostática (ESD) e independientes de una tensión de carril de fuente de alimentación externa, en el que cada etapa de las etapas múltiples está formada por un transistor de PMOS, en el que se controla al menos una primera etapa mediante una primera señal de activación (en_few) y al menos una segunda etapa está controlada por una segunda señal de activación (en_rest), y las señales de activación se aplican directamente a la puerta del transistor de PMOS de las respectivas primera y segunda etapas, comprendiendo el interruptor de alimentación (504) además al menos una tercera etapa (508) de las etapas múltiples;
formar medios para la protección contra ESD (512) que comprendan una abrazadera de RC (502), la al menos una tercera etapa (508) y un circuito de protección contra ESD, comprendiendo la abrazadera de RC una resistencia conectada en serie a un condensador y un diodo de ESD (506), un ánodo del cual está acoplado a la tensión de alimentación interna y un cátodo del cual está acoplado a la tensión de alimentación externa, teniendo la resistencia un terminal conectado a la tensión de alimentación externa (Vdd_ex), teniendo el condensador un terminal conectado al tensión de alimentación interna (Vdd_in);
en el que el circuito de protección contra ESD consiste en:
una puerta de NAND que tiene una primera entrada que recibe la segunda señal de activación (en_rest), una segunda entrada conectada al nodo común (510) de la resistencia y el condensador, y una salida que produce una señal intermedia; y
un inversor que recibe la señal intermedia y produce una señal de salida proporcionada a la puerta del transistor de PMOS de al menos una tercera etapa.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2012/063095.
Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: Andreev,Boris, ZHANG,JUNMOU, JALILIZEINALI,REZA, POPOVICH,MIKHAIL, PAN,YUAN-CHENG CHRISTOPHER.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
- H02H9/04 H […] › H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA. › H02H CIRCUITOS DE PROTECCION DE SEGURIDAD (indicación o señalización de condiciones de trabajo indeseables G01R, p. ej. G01R 31/00, G08B; localización de defectos a lo largo de las líneas G01R 31/08; dispositivos de protección H01H). › H02H 9/00 Circuitos de protección de seguridad para limitar el exceso de corriente o de tensión sin desconexión (asociación estructural de dispositivos de protección con máquinas o aparatos específicos ver las subclases relativas a estas máquinas o aparatos). › sensibles a un exceso de tensión (pararrayos H01C 7/12, H01C 8/04, H01G 9/18, H01T).
- H03K19/003 H […] › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 19/00 Circuitos lógicos, es decir, teniendo al menos dos entradas que actúan sobre una salida (circuitos para sistemas de computadores que utilizan la lógica difusa G06N 7/02 ); Circuitos de inversión. › Modificaciones para aumentar la fiabilidad.
PDF original: ES-2814350_T3.pdf
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