Protección contra descargas electrostáticas para un transistor de efecto de campo sensible a iones.
Dispositivo que comprende una estructura de protección contra descargas electrostáticas (8),
un transistor de efecto de campo sensible a iones (7, 10, 6, 9, 5, 4, 3, 2) que presenta una puerta flotante (7, 10, 6, 9, 5) que incluye al menos una capa metálica y una capa de detección (12) situada por encima de la puerta flotante, caracterizado por que
el dispositivo tiene una estructura plana en capas y la estructura de protección contra descargas electrostáticas está situada en un plano entre la capa de detección y la puerta flotante de forma que la impedancia eléctrica desde dicha capa de detección a la estructura de protección contra descargas electrostáticas es menor que la impedancia eléctrica desde dicha capa de detección a la puerta flotante, donde la estructura de protección contra descargas electrostáticas (8) incluye una capa metálica y está acoplada a una toma de tierra eléctrica (17) y/o a una línea de alimentación eléctrica (16) del dispositivo.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2011/051920.
Solicitante: DNAE GROUP HOLDINGS LIMITED.
Inventor/es: BAI,HUA, GARNER,DAVID.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01N27/414 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › G01N 27/00 Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos (G01N 3/00 - G01N 25/00 tienen prioridad; medida o ensayo de variables eléctricas o magnéticas o de las propiedades eléctricas o magnéticas de los materiales G01R). › Transistores de efecto de campo sensibles a los iones o a los agentes químicos, es decir ISFETS o CHEMFETS.
- H01L27/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
PDF original: ES-2773941_T3.pdf
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