PROCEDIMIENTO DE OBTENCION, POR ENFRIAMIENTO DE ENLACES EN ESTADO FUNDIDO, DE CRISTALES DE COMPUESTOS INTERMETALICOS, PARTICULARMENTE, DE MONOCRISTALES AISLADOS.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE BTENCION, POR ENFRIAMIENTO DE ENLACES EN ESTADO FUNDIDO,
DE RISTALES DE COMPUESTOS INTERMETALICOS, PARTICULARMENTE DE ONOCRISTALES AISLADOS. EL PROCEDIMIENTO CONSISTE EN OPERAR ON NA ALEACION EN ESTADO FUNDIDO DE COMPOSICION TAL QUE LA RIMERA FASE DE CRISTALES HASTA SU SOLIDIFICACION ORRESPONDE AL COMPUESTO A OBTENER, AL ENFRIAMIENTO ENTAMENTE EN EL SOMETIMIENTO A UN PROCESO CICLICO Y A UN ICLADO TERMICO SIN ATENDER A LA TEMPERATURA EN LA QUE PARECE OTRA FASE SOLIDA, A EXPULSAR BRUSCAMENTE EL LIQUIDO ESIDUAL. ESTE PROCEDIMIENTO ENCUENTRA SU APLICACION EN LA BTENCION DE CRISTALES PRIMARIOS, MONOFASADOS DE COMPUESTOS N FUSION CONGRUENTE O NO; EN PARTICULAR COMPUESTOS QUE RESENTAN UNA SIMETRIA DEL ORDEN DE 5 LLAMADAS "CUASI RISTALES".
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: PECHINEY.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 23, RUE BALZAC, F-75008 PARIS.
Inventor/es: DUBOST, BRUNO, LANG, JEAN-MARC.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 6 de Febrero de 1991.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B29/52 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Aleaciones.
- C30B9/00 C30B […] › Crecimiento de monocristales a partir de baños fundidos utilizando solventes fundidos (por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; por fusión de zona C30B 13/00; por estirado del cristal C30B 15/00; sobre un germen cristalino sumergido C30B 17/00; por crecimiento epitaxial a partir de la fase líquida C30B 19/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
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