"METODO PARA OBTENER MATERIAL DE CRISTAL SIMPLE DE ORIENTACION CRISTALOGRAFICA CONTROLADA".
PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE CRISTALES SIMPLES DE ORIENTACION CRISTALOGRAFICA CONTROLADA.
INCLUYE LAS FASES SIGUIENTES: APORTAR UN PRIMER ARTICULO QUE COMPRENDE UNA PARTE DE CRISTAL SIMPLE Y UNA PARTE POLICRISTALINA RECEPTIVA AL CRECIMIENTO DEL GRANO, SEPARADAS POR UN LIMITE CAPAZ DE MOVIMIENTO HACIA LA PARTE POLICRISTALINA; APORTAR UN SEGUNDO ARTICULO QUE COMPRENDE UN MATERIAL POLICRISTALINO RECEPTIVO AL CRECIMIENTO DEL GRANO; ADHERIR AMBOS ARTICULOS A TRAVES DE LA PARTE POLICRISTALINA DEL PRIMERO; Y TRATAR EL ARTICULO ADHERIDO SEGUN UN GRADIENTE TERMICO, PARA OBLIGARAL CRISTAL SIMPLE A DESARROLLARSE A TRAVES DE LA UNION Y HACIA EL MATERIAL DEL SEGUNDO ARTICULO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1 FINANCIAL PLAZA HARTFORD, CONNECTICUT 06101 U.S.A.
Fecha de Solicitud: 30 de Mayo de 1983.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 17 de Febrero de 1984.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B1/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 1/00 Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00). › por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad).
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