UN METODO PARA FUNDIR SILICIO.
PROCEDIMIENTO PARA FUNDIR SILICIO. CONSISTENTE EN CARGAR SILICIO EN UN RECIPIENTE (10) DE FUSION,
QUE PRESENTA EL FONSO (14) TRONCO-CONICO Y UNA ABERTURA DE DESCARGA (16); CALENTAR EL SILICIO POR ENCIMA DE SU TEMPERATURA DE FUSION Y PERMITIR LA SALIDA DEL SILICIO FUNDIDO POR LA ABERTURA (16) PARA QUE LLEGUE AL RECIPIENTE RECEPTOR (18). LA SOLIDIFICACION DEL SILICIO FUNDIDO SE HACE CONTROLANDO LA PERDIDA DEL CALOR DEL MISMO. EL SILICIO CARGADO ES DE CALIDAD METALICA. EL RECIPIENTE DE FUSION (10) Y EL RECEPTOR (18) SON DE MATERIAL CERAMICO. EL CALENTAMIENTO SE LOGRA POR UNA FUENTE DE CALOR (20) QUE CONSTA DE UN ARROLLAMIENTO (22) DE RADIOFRECUENCIA. DE APLICACION PARA DISPOSITIVOS DE TIPO SEMICONDUCTOR, EN ESPECIAL PARA CELULAS FOTOVOLTAICAS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIX INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 15809 GAITHER ROAD, GAITHERSBURG, MARYLAND.
Fecha de Solicitud: 19 de Enero de 1981.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 23 de Septiembre de 1981.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B1/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 1/00 Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00). › por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad).
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