Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido...

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CIP: C30B13/00, Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado 15/00; bajo un fluido protector 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales) [3,5]

Entorno:
  • Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos [3]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

2.-

Un método para la producción de una materia prima de silicio, siendo la materia prima de silicio para laproducción de lingotes de silicio solidificados direccionalmente por el método de Czochalski, por zona de flotación omulti-cristalino, láminas de silicio delgadas o cintas para la producción de obleas de silicio para células solaresfotovoltaicas, caracterizado porque el silicio de grado metalúrgico producido en un horno de arco eléctrico medianteun horno de reducción carbotérmica y que contiene hasta 300 ppm (átomos) de boro y hasta 100 ppm (átomos) defósforo se somete a las siguientes etapas de refino: a) tratamiento del silicio de grado metalúrgico con una escoria de calcio-silicato para reducir el contenido de boro delsilicio a entre 0,3 ppm (átomos) y 5,0 ppm (átomos); b) solidificar el silicio tratado con escoria de...

3.-

Procedimiento para la producción de varillas finas de silicio, que comprende las siguientes etapas: a) habilitaciónde una varilla de silicio; b) corte secuencial de tablas de un grosor determinado a partir de la varilla por medio de undispositivo de aserrado, en donde la varilla es girada axialmente entre dos cortes consecutivos en cada caso en 90º oen 180º de manera que de cuatro cortes consecutivos tienen lugar por pares en cada caso dos de los cuatro cortes encaras radialmente enfrentadas de la varilla o en donde el corte de las tablas tiene lugar simultáneamente al mismotiempo en caras radialmente enfrentadas de la varilla; c) aserrado de las tablas cortadas para formar varillas finas conuna sección transversal rectangular

4.-

Procedimiento para la producción de un silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción, quecontiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno, mediante una o varias toberas en un reactor conun volumen de espacios vacíos, limitado por medio de unas paredes con una determinada temperatura Tpared, quecontiene por lo menos una barra filamentosa calentada a una temperatura Tbarra, sobre la que se deposita silicio,caracterizado por que un número de Arquímedes Ar, que describe las condiciones de circulación en el reactor y quese calcula de la siguiente manera: Ar ≥ n * π * g * L3 * Ad * (Tbarra - Tpared) / (2 * Q2 * (Tbarra + Tpared)), representando n el número...

5.-

Barra de polisilicio que se puede obtener a través de separación de silicio de alta pureza a partir de un gas de reacción que contiene silicio, que se ha descompuesto térmicamente o se ha reducido a través de hidrógeno, en una barra de filamentos, caracterizada porque la barra de polisilicio posee en la sección transversal radial de la barra al menos 4 zonas distintas con diferentes microestructuras, de manera que a) en la zona más interior A, del centro de la barra policristalina, se encuentra la barra fina policristalina, b) alrededor de esta barra fina se encuentra una zona B del silicio policristalino separado, en la que la porción de la superficie de los cristales de agujas...

6.-

LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE FABRICACION DE HILOS, CINTAS U OTROS ELEMENTOS ANALOGOS HECHOS DE CERAMICA SUPROCONDUCTORES A TEMPERATURA DE TRANSICION ELEVADA, COMO, POR EJEMPLO, EN Y BA SUB 2CU SUB 3O SUB 7(DELTA), A PARTIR DE UNA TECNICA DE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. SEGUN ESTE METODO QUE ES MUCHO MAS RAPIDO Y EFICAZ QUE LOS METODOS ACTUALMENTE CONOCIDOS, UN HILO O CINTA HECHO DE GRAMOS DE UN PRECURSOR DE CERAMICA SUPROCONDUCTORA SE SOMETE A UNA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL EN UN NUMERO DADO DE LUGARES TAMBIEN SEPARADOS EN SU LONGITUD. ESTA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL SE EFECTUA EN DISTINTOS LUGARES AL MISMO TIEMPO, A LA MISMA TEMPERATURA, A LA MISMA VELOCIDAD, Y EN LA MISMA DIRECCION DE MANERA A FORMAR UN NUMERO IDENTICO DE ZONAS DE MICROESTRUCTURA ORIENTADA A LO LARGO DEL HILO O DE LA CINTA, LAS CUALES CRECEN...

7.- COMPUESTOS DE MATRIZ DE POLIMERO DE CRISTAL.

. Solicitante/s: BRITISH TECHNOLOGY GROUP LIMITED. Inventor/es:

ESTA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE PRODUCIR COMPUESTO DE POLIMERO COMPRENDIENDO UNA MATRIZ POLIMERICA (RECEPTOR) EN LA CUAL SON CULTIVADOS IN SITU CRISTALES DE COMPUESTOS ORGANICOS Y/O INORGANICOS. EL CULTIVO DE LOS CRISTALES ES LLEVADO A CABO MEDIANTE UNA TECNICA DE FUNDIDO EN UNA ZONA DE TEMPERATURA GRADUAL. LOS CRISTALES RESULTANTES TIENEN UN ALTO ALINEAMIENTO CRISTALINO, BUENA TRANSPARENCIA Y UNA GRAN ACTIVIDAD SECUNDARIA DE GENERACION ARMONICA.

8.- PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE CRISTALES DE SILICIO PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS.

. Solicitante/s: PHOTOWATT INTERNATIONAL S.A. Inventor/es:

Procedimiento para la obtención de cristales de silicio para aplicaciones fotovoltaicas y que presenta un rendimiento de conversión fotovoltaica al menos igual al 10 % según el cual se realiza una purificación del silicio por paso a través de un chorro de plasma, a partir de desechos de silicio reciclables del tipo P o del tipo N, mono o policristalinos que presentan un grado de impurezas y un estado de cristalización tales que su resistividad sea al menos igual a 0,05 ohm.cm.

9.- UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA CAPA MONOCRISTALINA O MACROCRISTALINA A PARTIR DE UNA CAPA INICIAL DE UN MATERIAL EN ESTADO POLICRISTALINO O AMORFO.

. Solicitante/s: RAYMOND, MARC, XAVIER GLEIZES RYFFEL LIMITED.

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA CAPA MONOCRISTALINA O MACROCRISTALINA A PARTIR DE UNA CAPA INICIAL DE UN MATERIAL EN ESTADO POLICRISTALINO O AMORFO.COMPRENDE: LA FORMACION DE CAPA INICIAL SOBRE SUSTRATO DE CONDUCTIVIDAD TERMICA DETERMINADA Y LA IRRADIACION DE SUPERFICIE EXTERIOR DE LA CAPA Y EN PEQUEÑA REGION ALARGADA DE ESA CAPA, CON LA ENERGIA SUFICIENTE PARA QUE LA CAPA FUNDA AL MENOS EN PARTE DE SU ESPESOR Y SE DESPLACE EN DIRECCION DISTINTA A LA DE LA PEQUEÑA REGION SOBRE LA CAPA. LA DENSIDAD DE ENERGIA SERA AL MENOS DE 100 W/CM, IRRADIANDOSE EL MENOR TIEMPO POSIBLE PARA QUE LAS PERDIDAS EN LA UNION NO SUPEREN LA ENERGIA IRRADIADA. SE REFIERE TAMBIEN A UN APARATO CON DISPOSITIVO DE FORMACION DE CAPA DE POLVO SOBRE UN SUSTRATO Y A UN APARATO DE IRRADIACION QUE FORMA UNA LINEA DE DENSIDAD CONSTANTE DE ENERGIA CON LUZ NO COHERENTE, LUZ COHERENTE Y UN HAZ DE ELECTRONES LOCALIZADOS LOS TRES SEGUN UNA LINEA; Y UN DISPOSITIVO DE DESPLAZAMIENTO RELATIVO DE LA CAPA.

10.- PROCEDIMIENTO PARA LA PURIFICACION DE MATERIA PRIMA DE YODURO MERCURICO.

. Solicitante/s: UNITED STATES ENERGY RESEARCH AND DEV. ADM.

Resumen no disponible.

11.-

Procedimiento de cristalización en fase sólida, caracterizado porque incluye las etapas sucesivas siguientes: a) depósito de al menos una capa delgada de material amorfo o policristalino, en al menos una zona de la superficie de una parte superior de un sustrato , b) depósito de al menos una capa metálica , de un grosor comprendido entre 1 nm y 20 nm, ventajosamente entre 5 nm y 10 nm, en una zona de dicha capa delgada , estando constituida la parte superior del sustrato , después de la etapa b), por un material amorfo apto para pasar a un estado de líquido o de líquido sobrefundido, c) y tratamiento térmico para permitir el crecimiento cristalino del material de la capa delgada , que provoca simultáneamente: - una elevación de la temperatura de la parte...

12.-

Un proceso para el crecimiento de cintas de un material semiconductor, a saber de silicio, mediante la extracción de una zona fundida del citado material, caracterizado porque(a) la citada zona fundida se extiende a lo largo de la anchura de una placa de soporte hecha del citado material;(b) la citada zona fundida es mantenida mediante una corriente eléctrica paralela a la superficie de la citada cinta y perpendicular a la dirección de crecimiento de la citada cinta; (c) la citada zona fundida es alimentada por transferencia de material en el estado líquido desde uno o más depósitos del citado material, en los cuales es fundida la citada materia prima de los citados materiales, estando situados...

13.-

Disposición de fabricación de varillas de cristal con sección transversal definida y estructura policristalina columnar por medio de cristalización continua sin crisol, que presenta al menos un crisol lleno de material de cristal y dotado de un conducto de salida central para transportar el contenido del crisol hasta una varilla de cristal regulable en altura que crece por debajo del crisol, sumergiéndose el conducto de salida central en el menisco de fusión sobre la superficie frontal superior de la varilla de cristal, medios para efectuar una carga continuamente regulable del crisol con material de cristal sólido, medios para alimentar la energía de fusión y medios para ajustar el frente de cristalización sobre la varilla de cristal creciente, caracterizada porque como medio común para efectuar simultáneamente la alimentación...

14.- PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE ESTRUCTURAS MONOCRISTALINAS

. Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es:

Procedimiento para la producción de estructuras metálicas monocristalinas, piezas metálicas monocristalinas o piezas de trabajo metálicas monocristalinas, sobre sustratos mediante crecimiento epitaxial, fundiéndose una superficie a tratar del componente mediante un aporte energético de una fuente de energía por medio de un punto focal de la fuente de energía , introduciéndose material en la zona fundida, y fundiendo completamente el material introducido, o fundiendo el material introducido con la superficie , pudiendo introducirse el material fundido en la estructura monocristalina, y dejándose solidificar el material fundido, caracterizado porque el punto focal presenta una geometría lineal, elíptica o rectangular.

15.- PROCEDIMIENTO PARA LA FUSION POR ZONAS SIN CRISOL DE UNA BARRA CRISTALINA

. Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS A. G..

Resumen no disponible.

17.- UN APARATO DE REFINACION POR ZONAS

. Ver ilustración. Solicitante/s: SOUTH AFRICAN IRON AND STEEL INDUSTRIAL CORPORATIO,N LIMITED.

Resumen no disponible.