DIODO ENCAPSULADO EMISOR DE LUZ Y METODO DE ENCAPSULAMIENTO.

UN DIODO EMISOR DE LUZ CON LUZ PARASITA REDUCIDA INCLUYE UNA BASE CON UN ELEMENTO EMISOR DE LUZ ACTIVO MONTADO EN LA BASE. SE MONTA UNA ENVOLTURA DE EPOXI EN LA BASE. LA ENVOLTURA INCLUYE UNA PARTE LATERAL CONICA Y UNA PARTE ABOVEDADA ESFERICA. LA ENVOLTURA ESTA ENCAPSULADA CON MATERIAL OPTICAMENTE ABSORBENTE DE BAJA REFLECTIVIDAD. EL MATERIAL OPTICAMENTE ABSORBENTE ESTA EN CONTACTO DIRECTO CON LA PARTE LATERAL DE LA ENVOLTURA Y PARTE DE LA PARTE ABOVEDADA ESFERICA DEJANDO UNA PARTE EXPUESTA A TRAVES DE LA CUAL PASAN LOS RAYOS DE LUZ. EL DIAMETRO D DE LA PARTE EXPUESTA ES IGUAL A: 2R[SEN /X + SENARC

(R/S/N))], EN DONDE R ES EL RADIO DE UNA PARTE ABOVEDADA ESFERICA, X < SENARC (1/N) ES EL ANGULO MAXIMO ENTRE UNA SUPERFICIE NORMAL Y UN RAYO EMITIDO DESDE EL ELEMENTO EMISOR DE LUZ ACTIVO QUE CHOCA CON LA ENVOLTURA EN EL BORDE DE LA PARTE EXPUESTA DE LA PARTE ABOVEDADA ESFERICA, S ES LA DISTANCIA ENTRE EL ELEMENTO EMISOR DE LUZ ACTIVO Y EL CENTRO DE LA PARTE ABOVEDADA ESFERICA, Y N ES EL INDICE DE REFRACCION DEL MATERIAL DE LA ENVOLTURA DE EPOXI.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: BAYER CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: ONE MELLON CENTER 500 GRANT STREET,PITTSBURGH, PA 15219-2502.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 8 de Enero de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION G — FISICA > METROLOGIA; ENSAYOS > INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION... > Investigación o análisis de los materiales por... > G01N21/47 (Dispersión, es decir, reflexión difusa (G01N 21/25, G01N 21/41 tienen prioridad))
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > H01L33/00 (Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00))
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