(04/06/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL, GODIGNON, PHILIPPE, EON,DAVID, PERNOT,JULIEN, LLORET VIEIRA,Fernando, BUSTARRET,Etienne.

Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo. La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más compleja.

(29/05/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL, GODIGNON, PHILIPPE, EON,DAVID, PERNOT,JULIEN, LLORET VIEIRA,Fernando, BUSTARRET,Etienne.

Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo(MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo. La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más complejas.

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(01/11/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ, Y EN SU NOMBRE Y REPRESENTACION EL RECTOR D. GUILLERMO MARTINEZ MASSANET. Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL, MORALES SANCHEZ,FRANCISCO M., MOLINA RUBIO,SERGIO IGNACIO.

Sistema de carburización de silicio que permite producir, mediante un proceso de carburización, capas de SiC epitaxial, sobre sustratos comerciales como obleas de Si, de SOI, de Si delgado, de Si sobre cuarzo (SIQ), de Si sobre vidrio (SIG) y otros productos de Si crecido epitaxialmente en superficies. El sistema queda integrado por tres partes principales, el reactor de carburización, el sistema de bombeo y el de distribución de gases. El diseño del sistema permite su construcción a un coste notablemente inferior al de los construidos hasta ahora para el mismo fin. El proceso de carburización se lleva a cabo a temperaturas máximas comprendidas entre 1100ºC y 1300ºC haciendo pasar un flujo de una mezcla gaseosa de un hidrocarburo e hidrógeno sobre el sustrato de Si a carburizar, calentado por un horno. El sistema utiliza argón, nitrógeno y vacío, para los ciclos de purga o limpieza.

(01/09/2003). Solicitante/s: SCHOTT,GLAS. Inventor/es: BAUER, STEFAN, LOHMEYER, MANFRED, DANIELZIK, BURKHARD, MIHL, WOLFGANG, FREITAG, NINA.

Procedimiento CVD-plasma para la producción de una capa microcristalina de Si:H sobre un sustrato, que comprende los pasos: 1.1 revestimiento por CVD asistido por plasma, de al menos una capa de Si:H delgada amorfa sobre el sustrato, 1.2 tratamiento asistido por plasma de la capa amorfa de Si:H con un plasma de hidrógeno, transformándose la capa amorfa de Si:H en una capa de Si:H microcristalina y 1.3 opcionalmente, repetición de los pasos 1.1 y 1.2, caracterizado porque el revestimiento o el tratamiento se lleva a cabo en un flujo continuo de los gases de revestimiento o de los gases de tratamiento y por medio de radiación electromagnética pulsante, que activa el plasma.

(16/09/2002). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., XU, XIXIANG.

LAS TEMPERATURAS DEL SUSTRATO SE MANTIENEN A MAS DE 400 (GRADOS) C DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE ALIMENTADA POR MICROONDAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO IV. EL MARGEN DE TEMPERATURAS DEL SUSTRATO PERMITE LA PREPARACION DE MATERIALES QUE TIENEN PROPIEDADES ELECTRICAS MEJORADAS.

(01/05/1997). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., BANERJEE, ARINDAM.

SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS, DE PELICULA FINA DEL TIPO DE LOS QUE TIENEN UNA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA DISPUESTA ENTRE DOS CAPAS SEMICONDUCTORAS, CON CARGAS OPUESTAS. UNA CAPA SEPARADORA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR INTRINSECO SE DEPOSITA MEDIANTE RF EN LA UNION ENTRE UNA CAPA INTRINSECA DE BASE, DEPOSITADA MEDIANTE MICROONDAS Y UNA CAPA DE MATERIAL DOPADO. LA PILA PRODUCIDA MEDIANTE EL METODO DE LA INVENCION TIENE UNAS CARACTERISTICAS MEJORADAS SOBRE LAS PILAS QUE TIENEN CAPAS INTRINSECAS DEPOSITADAS MEDIANTE MICROONDAS SIN NINGUNA CAPA DE BARRERA.

(01/12/1996). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., BANERJEE, ARINDAM.

EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS MANUFACTURADOS POR UN PROCESO DE DEPOSICION POR MICROONDAS SE INCREMENTA DISPONIENDO UN CABLE DE DESVIO EN EL PLASMA ENERGIZADO DE MICROONDAS Y APLICANDO UN VOLTAJE POSITIVO DE APROXIMADAMENTE 100 VOLTIOS AL CABLE DURANTE SOLAMENTE UNA PARTE DEL TIEMPO EN EL CUAL ESTA SIENDO DEPOSITADA LA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA (12A, 12B).

(01/05/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: MEYERSON, BERNARD S.

SE PROPORCIONA UNA CAPA DE SILICONA DE TIPO-N IMPURIFICADA IN-SITU MEDIANTE UN PROCESO DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO A BAJA TEMPERATURA Y BAJA PRESION, EMPLEANDO UN GAS CONTENIENDO GERMANIO EN COMBINACION CON EL GAS CONTENIENDO IMPUREZAS DE TIPO-N PARA ASI REALZAR LA INCORPORACION IN-SITU DEL IMPURIFICADOR DE TIPO-N EN LA CAPA DE SILICONA COMO UN IMPURIFICADOR ELECTRONIALMENTE ACTIVO. TAMBIEN SE SUMINISTRA UNA CAPA DE SILICONA INCLUYENDO UNA UNION P-N DONDE LA CAPA CONTIENE UN IMPURIFICADOR TIPO-N Y GERMANIO, Y DISPOSITIVOS TALES COMO TRANSISTORES INCORPORANDO UNA CAPA DE SILICONA IMPURIFICADA-N IN-SITU.

(01/03/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: FEYGENSON, ANATOLY.

SE OBTIENE RESOLUCION SUBMICRO EN LA FABRICACION DE TRANSISTORES UTILIZANDO TECNICAS DE PARED LATERAL. EN LA TECNICA DESCRITA SE FORMA UNA ABERTURA CON UN ESPACIADOR DE PARED LATERAL DE NITRURO DE SILICIO EN UNA CAPA . SE FORMA OXIDO EN LA ABERTURA Y LUEGO EL ESPACIADOR DE PARED LATERAL SE ELIMINA PARA FORMAR UNA ABERTURA ANULAR, QUE PUEDE SER DE UNA AMPLITUD PEQUEÑA Y CONTROLADA CON PRECISION. LUEGO LA ABERTURA SE USA COMO UNA DEFENSA PARA POSTERIOR MODIFICACION DEL SUBSTRATO POR DIFUSION O IMPLANTACION DE IONES.

(16/05/1993). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: JOHNSTON, WILBUR DEXTER, JR., LONG, JUDITH ANN, WILT, DANIEL PAUL.

UNA REGION SEMICONDUCTORA III-V, A BASE DE INDIO, DOPADA CON HIERRO , SE DEPOSITA SOBRE UN SUBSTRATO A PARTIR DE UN GAS PRECURSOR QUE COMPRENDE UN GAS INERTE, TAL COMO NITROGENO, UN COMPUESTO DOPANTE VOLATIL, TAL COMO FECL2, UN COMPUESTO DE INDIO VOLATIL, TAL COMO INCL Y UN HIDRURO DEL GRUPO V, TAL COMO FOSFINA. SE LIMITA LA CONCENTRACION DE HIDROGENO EN EL GAS PRECURSOR PARA EVITAR EXCESIVA PRECIPIATCION DE HIERRO. SE HA ENCONTRADO POSIBLE PRODUCIR REGIONES INP CON UNA RESISTIVIDAD EN EXCESO DE 108 OHMIOS-CM.

(16/04/1993). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAITOH, KEISHI, HIROOKA, MASAAKI, HANNA, JUN-ICHI, SHIMIZU, ISAMU.

UN METODO PARA FORMAR UNA MEMBRANA DEPOSITADA POR INTRODUCCION DE UN MATERIAL INICIAL GASEOSO PARA FORMACION DE UNA MEMBRANA DEPOSITADA Y UN AGENTE OXIDANTE HALOGENO GASEOSO QUE TIENE LA PROPIEDAD DE LA ACCION DE OXIDACION SOBRE LOS MATERIALES INICIALES, SEPARADAMENTE DESDE CADA UNO, EN UN ESPACIO DE REACCION PARA FORMAR UNA MEMBRANA DEPOSITADA DE ACUERDO CON LA REACCION QUIMICA, LA CUAL INCLUYE PREVIAMENTE LA ACTIVACION DE UNA SUSTANCIA GASEOSA (B) PARA LA FORMACION DE UN CONTROLADOR DE BANDA ABIERTA EN UN ESPACIO DE ACTIVACION PARA FORMAR UNA ESPECIA ACTIVADA E INTRODUCCION DE LA ESPECIE ACTIVADA, DENTRO DEL ESPACIO DE REACCION PARA FORMAR UNA MEMBRANA DEPOSITADA, CONTROLADA EN BANDA ABIERTA SOBRE UN SUSTRATO EXISTENTE EN LA MEMBRANA, FORMANDO UN ESPACIO.

(16/12/1991). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: ISHIHARA, SHUNICHI, SHIMIZU, ISAMU, HANNA, JUNICHI.

METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA QUE CONSISTE EN LA INTRODUCCION DE UN MATERIAL DE PARTIDA GASEOSO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA Y UN AGENTE OXIDANTE (X) HALOGENICO GASEOSO QUE TENGA ACCION OXIDANTE SOBRE DICHO MATERIAL (DE PARTIDA) AL MENOS UN AGENTE OXIDANTE (ON) DE TIPO OXIGENO GASEOSO Y AGENTES OXIDANTES DE TIPO NITROGENO, Y PREFERIBLEMENTE TAMBIEN UN MATERIAL GASEOSO (D) CONTENIENDO UN COMPONENTE PARA CONTROLAR EL ELECTRON DE VALENCIA COMO EL CONSTITUYENTE, EN UN AREA DE REACCION EN LA QUE SE EFECTUA AL CONTACTO QUIMICO ENTRE ELLOS, DE MANERA QUE SE FORME UN NUMERO PLURAL DE PRECURSORES QUE CONTIENEN PRECURSORES EN ESTADO EXCITADO, Y FORMANDO UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE UN SUSTRATO EXISTENTE EN LA ZONA DE FORMACION DE PELICULA MEDIANTE EL USO DE AL MENOS UNO DE ESTOS PRECURSORES COMO FUENTE DE ALIMENTACION DEL ELEMENTO CONSTITUYENTE DE LA PELICULA DEPOSITADA.

(16/05/1991). Solicitante/s: ENIRICERCHE S.P.A. AGIP S.P.A.. Inventor/es: DELLA SALA, DARIO, OSTRIFASTE, CIRO.

SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE ESTRUCTURAS DE MATERIALES AMORFOS CONSTITUIDAS POR VARIOS ESTRATOS DELGADOS DE DIVERSA COMPOSICION, CONSISTENTES EN UNA DESCARGA POR DESLUMBRAMIENTO EN UN UNICO REACTOR CONTENIENDO UNA MEZCLA GASEOSA Y SIN VARIAS, DURANTE LA DEPOSICION, LA MEZCLA DE LOS GASES REACTIVOS. UNICAMENTE ES VARIADA, DE FORMA CONTROLADA, LA TENSION EN LOS ELECTRODOS DEL REACTOR. LOS MULTIESTRATOS ASI OBTENIDOS ENCUENTRAN APLICACION EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y EN LA ELECTRONICA.

(16/10/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: SHARP, KENNETH, GEORGE, D\'ERRICO, JOHN JOSEPH.

UN METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DE SILICIO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR PELICULAS DE SILICIO, AMORFAS, FOTOCONDUCTORAS Y SEMICONDUCTORAS MEDIANTE LA DESCOMPOSICION TERMICA, EN FASE DE VAPOR, DE UN FLUORHIDRUROSILANO O UNA MEZCLA DE FLUORHIDRUROSILANOS. LA INVENCION TIENE UTILIDAD PARA PROTEGER SUPERFICIES, INCLUYENDO LAS DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

(01/07/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: SCHULTE, ROLF, KAMMERMAIER, JOHANN, DR.

NUEVO MATERIAL BASICO SEMICONDUCTOR. EL NUEVO MATERIAL BASICO SEMICONDUCTOR SE DEBERA PODER OBTENER SEGUN LA TECNOLOGIA DE CAPA DELGADA EMPLEANDO PROCESOS DE BANDA Y PRESENTAR UNA MOTILIDAD DE LOS PORTADORES DE CARGA DE COMO MINIMO 1 C.

(16/05/1987). Solicitante/s: SOVONICS SOLAR SYSTEMS.

METODO PARA FABRICAR UNA ALEACION SEMICONDUCTORA. CONSISTE EN ESTABLECER UNA DESCARGA INCANDESCENTE EN UNA MEZCLA GASEOSA QUE CONTIENE UN COMPUESTO CON CONTENIDO DE SILICIO Y UN COMPUESTO CON CONTENIDO DE GERMANIO, QUE SE DESCOMPONEN A REGIMENES SUSTANCIALMENTE SIMILARES, INCLUYENDO LA MEZCLA GASEOSA DISILANO Y GERMANO Y UNA FUENTE GASEOSA DE ATOMOS DE FLUOR, TENIENDO LA MEZCLA LAS SIGUIENTES PROPORCIONES EN VOLUMEN: DE 0,3 A 3 PARTES DE DISILANO, DE 0,3 A 3 PARTES DE GERMANO, Y DE 0 A 3 PARTES DE TETRAFLUORURO SILICICO. TIENE UTILIDAD PARA FABRICAR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS TALES COMO PILAS FOTOVOLTAICAS.

(07/02/1984). Solicitante/s: CHRONAR CORP.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE SEMICONDUCTORES AMORFOS. CONSISTE EN LA DESCOMPOSICION CON CALOR DE UNO O VARIOS POLISEMICONDUCTANOS DE FORMULA GENH2N+2 EN FASE GASEOSA, DESDE DIGERMANIOS HASTA HEXAGERMANIOS, EN LA QUE N VARIA DE 2 A 6, Y A UNA TEMPERATURA ENTRE 300G Y 500GC Y PRESION PARCIAL ENTRE 1 TORR Y 100 TORR CON DOS FASES; A) FORMACION DE UN CUERPO SOBRE UN SUBSTRATO, POR UNA SERIE DE DESCOMPOSICIONES QUE CONSTITUYEN CADA UNA, UNA CAPA, QUE SE REALIZA POR DESCOMPOSICION CON CALOR DE UNO A VARIOS POLISILANOS DE FORMULA SINH2N+2 EN FASE GASEOSA, EN LA QUE N VARIA DE 2 A 6, DANDO DISILANOS A HEXASILANOS, QUE PUEDEN TENER UNO O VARIOS CONTAMINANTES COMO BORO Y AZUFRE Y B) PROPORCIONAR UNO O VARIOS CONTACTOS A DICHO CUERPO.

(16/01/1980). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

Un método de preparación de una película semiconductora amorfa o similar, con propiedades fotoconductoras y/u otras interesantes, consiste en depositar sobre un sustrato una película semiconductora amorfa sólida, por descomposición mediante descarga luminiscente de n compuesto en una atmósfera que independientemente contiene por lo menos otro elemento alterante, donde se incorpora una multiplicidad de diferentes elementos alterantes a dicha película semiconductora amorfa durante la deposición de la misma, dando un material semiconductor amorfo alterado con densidad menor de estados localizados en el intervalo de energía del mismo, de manera que se obtienen longitudes de difusión considerablemente aumentadas para aplicación en células solares y pueden agregarse efectivamente modificadores o dopantes para producir películas semiconductoras amorfas de tipo p o n de manera que las películas funcionan como los semiconductores cristalinos similares.

(16/11/1979). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

Un método de producción de una película semiconductora amorfa que comprende una matriz huésped semi conductora amorfa sólida, con configuraciones electrónicas que presentan un intervalo de energía y una baja densidad de estados localizados en dicho intervalo, cuyo método consiste en introducir en dicha película de matriz huésped semiconductora amorfa una pluralidad de materiales compensadores complementarios, cada uno de los cuales reduce los estados reducibles por cualesquiera cantidades utilizadas de los otros materiales compensadores, de manera que la combinación de los materiales compensadores, de manera que la combinación de los materiales compensadores produce una reducción de la densidad de estados localizados en el intervalo de energía mayor que la que podría conseguir uno cualquiera de los mismos por si solo.

(01/03/1978). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.

Resumen no disponible.