PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA FUNCIONAL QUE CONTIENE ATOMOS DE LOS GRUPOS 3 Y 5 COMO ATOMOS PRINCIPALES CONSTITUYENTES MEDIANTE UN PROCESO DE DEPOSITACION QUIMICO DE VAPOR DE PLASMA MEDIANTE MICROONDAS.

SE PRESENTA UN PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA FUNCIONAL CONTENIENDO ATOMOS QUE PERTENECEN A LOS GRUPOS TERCERO Y QUINTO DE LA TABLA PERIODICA COMO ATOMOS PRINCIPALES DE CONSTITUCION MEDIANTE LA INTRODUCCION,

DENTRO DE UN ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA DISPUESTO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE UN SUBSTRATO DISPUESTO EN EL, UN COMPUESTO (1) Y UN COMPUESTO (2) REPRESENTADOS RESPECTIVAMENTE POR LAS FORMULAS GENERALES (1) Y (2) COMO MATERIAL EN BRUTO PARA LA FORMACION DE LA PELICULA Y, SI SE NECESITA, UN COMPUESTO (3) QUE CONTIENE UN ELEMENTO CAPAZ DE CONTROLAR LOS ELECTRONES DE VALENCIA PARA LA PELICULA DEPOSITADA COMO ELEMENTO CONSTITUYENTE CADA UNO DE ELLOS EN UN ESTADO GASEOSO, O EN UN ESTADO DONDE AL MENOS UNO DE DICHOS COMPUESTOS ESTA ACTIVADO PREVIEMENTE EN UN ESPACIO DE ACTIVACION DISPUESTO SEPARADAMENTE DEL ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA, MIENTRAS SE FORMAN ATOMOS DE HIDROGENO EN ESTADO DE EXCITACION QUE PROVOCAN LA REACCION QUIMICA CON AL MENOS UNO DE LOS COMPONENTES (1, 2 Y 3) EN ESTADO GASEOSO O EN ESTADO ACTIVADO EN UN ESTADO DE ACTIVACION DIFERENTE DEL ESTADO DE FORMACION DE LA PELICULA E INTRODUCIENDOLOS DENTRO DEL ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA MEDIANTE LO CUAL SE FORMA LA PELICULA DEPOSITADA SOBRE EL SUBSTRATO, EN DONDE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN ESTADO DE EXCITACION SE FORMAN A PARTIR DE UN GAS DE HIDROGENO O UNA MEZCLA DE GASES COMPUESTA DE UN GAS DE HIDROGENO Y UN GAS RARO MEDIANTE UN PLASMA DE MICROONDAS GENERADO EN UNA CAMARA DE GENERACION DE PLASMA DISPUESTA EN UN RESONADOR DE CAVIDAD INTEGRADA CON DOS CIRCUITOS DE EQUILIBRADO DE IMPEDANCIA EN UN CIRCUITO DE MICROONDAS Y EL ESTADO DE EXCITACION DEL ATOMO DE HIDROGENO RESULTA CONTROLADO: RNMM (I) AABB (II) DONDE M REPRESENTA UN ENTERO POSITIVO IGUAL A O UN ENTERO MULTIPLO DEL NUMERO DE VALENCIA PARA R, N REPRESENTA UN ENTERO POSITIVO IGUAL A O UN ENTERO MULTIPLE DEL NUMERO DE VALENCIA PARA M, M REPRESENTA UN ELEMENTO QUE PERTENEZCA AL GRUPO TERCERO DE LA TABLA PERIODICA, R REPRESENTA UN MIEMBRO SELECCIONADO ENTRE HIDROGENO, HALOGENO Y UN GRUPO DE HIDROCARBONO, A REPRESENTA UN ENTERO POSITIVO IGUAL A O MULTIPLO DEL NUMERO DE VALENCIA PARA B, B REPRESENTA UN ENTERO POSITIVO IGUAL O MULTIPLO DEL NUMERO DE VALENCIA PARA A Y A REPRESENTA UN ELEMENTO QUE PERTENEZCA AL GRUPO QUINTO DE LA TABLA PERIODICA, B REPRESENTA UN MIEMBRO SELECCIONADO ENTRE HIDROGENO, HALOGENO Y UN GRUPO DE HIDROCARBONO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO.

Inventor/es: KANAI, MASAHIRO.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 2 de Junio de 1993.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C16/06 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › caracterizado por la deposición de un material metálico.
  • C23C16/44 C23C 16/00 […] › caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).
  • H01L21/205 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
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