CIP-2021 : H01L 21/329 : teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/329 · · · · · teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación.
(03/06/2020) Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende:
- un sustrato semiconductor que tiene una región activa y una región de terminación;
- un canal de terminación ubicado en la región de terminación y que se extiende desde un límite de la región activa hacia un borde del sustrato semiconductor ;
- una puerta MOS formada en una pared lateral del canal de terminación adyacente a dicho límite ;
- una capa de óxido de estructura de terminación formada en el canal de terminación y que cubre parcialmente la puerta MOS ;
…
Un diodo de heterounión de metal-semiconductor-metal (MSM).
(27/05/2020). Solicitante/s: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Inventor/es: LUO,YI, HUSSIN,ROZANA, CHEN,YIXUAN.
Un diodo de heterounión metal-semiconductor-metal que incluye:
dos electrodos metálicos ; y
una fina capa de semiconductor posicionada entre los dos electrodos metálicos,
en donde el grosor de la capa de semiconductor es menor o comparable a los trayectos medios libres de portadoras de carga en la capa de semiconductor, dando como resultado un transporte de portadores casi balístico a través de la capa de semiconductor,
en donde las heterouniones entre los electrodos metálicos y la capa de semiconductor del diodo de heterounión metal-semiconductor-metal incluyen las respectivas interfaces de contacto y barreras de energía en lados opuestos de la capa de semiconductor;
en donde el diodo está caracterizado por que
un lado de la capa de semiconductor en el que se forma una de las heterouniones se dopa selectivamente para hacer asimétrica la estructura de bandas del diodo de heterounión metal-semiconductor-metal.
PDF original: ES-2812524_T3.pdf
Diodos PIN vertical y método para fabricarlos.
(06/04/2016) Método para fabricar un diodo Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, que comprende:
· proporcionar una oblea epitaxial comprendiendo una capa de tipo N verticalmente apilada, una capa intrínseca y una capa de tipo P;
· formar un contacto anódico del diodo Positivo Intrínseco Negativo (PIN) vertical, formando una metalización anódica en una primera porción (34a) de la capa de tipo P que define una región anódica;
· formar una capa de aislamiento eléctrica alrededor de la región (34a) anódica tal que una primera porción de la capa intrínseca se extienda verticalmente entre la capa de tipo N y la región (34a) anódica y unas segundas…
Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora.
(02/05/2012) Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona , encarada hacia una primera superficie principal (H1), con un primer dopado, una segunda zona subsiguiente con una concentración homogénea baja de un segundo dopado, una capa amortiguadora subsiguiente, la cual es la tercera zona , con un segundo dopado y una cuarta zona subsiguiente, encarada hacia la segunda superficie principal (H2) con una alta concentración del segundo dopado, en el que la concentración del segundo dopado de la capa amortiguadora en…
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE COMPONENTES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
(16/04/2006). Solicitante/s: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH. Inventor/es: HERZER, REINHARD, DR. HABIL., NETZEL, MARIO, DR.
Fabricación de componentes semiconductores de potencia por ejemplo, transistor bipolar de puerta aislada de alta tensión (IGBT). La barrera o capa intermedia con una primera conductividad tiene un grosor superior que es esencial desde el punto de vista eléctrico. Se introduce en esta forma, mediante la difusión dentro de la oblea homogénea monocristalina en la zona de base , antes de introducir otras estructuras en la parte superior de la oblea. Una vez que se han formado, el exceso es puesto a tierra o se elimina.
UNION P-N NEUTRALIZADA EN SEMICONDUCTOR DE MESETA.
(16/09/1998) PROCESO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMIENZA DIFUNDIENDO UNA CAPA N, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE ALTA, EN UNA PLAQUITA P, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE BAJA. A CONTINUACION, LA PLAQUITA SE ATACA QUIMICAMENTE PARA OBTENER VARIOS SEMICONDUCTORES DE MESETA, CADA UNA DE LAS CUALES TIENE UNA UNION P-N QUE INTERSECTA UNA PARED LATERAL DE LA ESTRUCTURA DE MESETA. ENTONCES, SE DESARROLLA UNA CAPA DE OXIDO EN LAS PAREDES LATERALES DE LAS MESETAS, NEUTRALIZANDO DICHA CAPA DE OXIDO EL DISPOSITIVO. LA FASE DE OXIDACION HACE QUE LA UNION P-N SE CURVE HACIA LA CAPA P PROXIMA A LA APA DE OXIDO. TRAS ESTO, LA UNION P-N SE DIFUNDE MAS PROFUNDAMENTE EN LA LACA P, CON UN FRENTE DE DIFUSION QUE TIENDE A CURVAR LA UNION…