CIP-2021 : H01L 29/872 : Diodos Schottky.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/872 · · · · Diodos Schottky.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación.
(03/06/2020) Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende:
- un sustrato semiconductor que tiene una región activa y una región de terminación;
- un canal de terminación ubicado en la región de terminación y que se extiende desde un límite de la región activa hacia un borde del sustrato semiconductor ;
- una puerta MOS formada en una pared lateral del canal de terminación adyacente a dicho límite ;
- una capa de óxido de estructura de terminación formada en el canal de terminación y que cubre parcialmente la puerta MOS ;
…
Un diodo de heterounión de metal-semiconductor-metal (MSM).
(27/05/2020). Solicitante/s: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Inventor/es: LUO,YI, HUSSIN,ROZANA, CHEN,YIXUAN.
Un diodo de heterounión metal-semiconductor-metal que incluye:
dos electrodos metálicos ; y
una fina capa de semiconductor posicionada entre los dos electrodos metálicos,
en donde el grosor de la capa de semiconductor es menor o comparable a los trayectos medios libres de portadoras de carga en la capa de semiconductor, dando como resultado un transporte de portadores casi balístico a través de la capa de semiconductor,
en donde las heterouniones entre los electrodos metálicos y la capa de semiconductor del diodo de heterounión metal-semiconductor-metal incluyen las respectivas interfaces de contacto y barreras de energía en lados opuestos de la capa de semiconductor;
en donde el diodo está caracterizado por que
un lado de la capa de semiconductor en el que se forma una de las heterouniones se dopa selectivamente para hacer asimétrica la estructura de bandas del diodo de heterounión metal-semiconductor-metal.
PDF original: ES-2812524_T3.pdf
Uso de diodos de barrera Schottky MOS de tipo trinchera (TMBS) como elementos rectificadores de un circuito puente
rectificador de un generador de vehículo de motor.
(08/05/2019). Solicitante/s: SEG Automotive Germany GmbH. Inventor/es: SPITZ, RICHARD, GOERLACH,ALFRED.
Uso de diodos de barrera Schottky MOS de tipo trinchera (TMBS) como elementos rectificadores de un circuito puente rectificador de un generador de vehículo de motor, que presentan una deriva de la tensión de bloqueo, cuando funcionan en disrupción, en donde los diodos de barrera Schottky MOS de tipo trinchera (TMBS) aumentan, durante el funcionamiento en disrupción, la tensión disruptiva UZ, igualándose las tensiones disruptivas de los diodos de barrera Schottky MOS de tipo trinchera (TMBS) durante el funcionamiento del circuito puente rectificador en disrupción.
PDF original: ES-2738554_T3.pdf
Elemento de control de campo eléctrico para fonones.
(04/10/2018) Un transistor fonónico que comprende:
contactos eléctricos (216A, 216B ; 312, 314; 308);
dos puntos cuánticos (210A, 210B; 302A, 302B) incrustados en un semiconductor de modo que cuando se aplica un desvío eléctrico a los contactos eléctricos, un campo eléctrico que se produce por el desvío eléctrico es sustancialmente paralelo a un eje a través de los dos puntos cuánticos, en donde los dos puntos cuánticos incluyen un primero y un segundo punto cuántico,
en donde el primer punto cuántico y el semiconductor proporcionan un estado continuo, en donde el segundo punto cuántico proporciona un estado discreto,
en donde el estado continuo y el estado discreto se acoplan cuando el desvío eléctrico se aplica a los contactos eléctricos,
y en donde el desvío eléctrico proporciona un mecanismo…
Unidad de suministro eléctrico para una red de a bordo de un automóvil.
(26/04/2017). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: SUELZLE, HELMUT, WOLF,GERT, EINBOCK,STEFAN, JAROS,ROLF.
Unidad de suministro eléctrico para una red de a bordo de un automóvil, que presenta un generador de corriente alterna que proporciona una señal de fase con una bobina excitadora , un regulador de campo asignado a la bobina excitadora y un rectificador con elementos rectificadores para rectificar la tensión del generador suministrada por el generador de corriente alterna, caracterizada porque el regulador de campo tiene un rango de detección de tensión para la evaluación de la señal de fase con un valor mínimo y un valor máximo, donde el valor máximo está ajustado a la tensión nominal de una unidad de suministro eléctrico del automóvil de tal manera que la unidad de suministro eléctrico está configurada para el uso de elementos rectificadores dependientes de la temperatura, para que la señal de fase pueda detectarse también cuando se le superponga una componente de tensión continua muy desplazada.
PDF original: ES-2634205_T3.pdf