CIP-2021 : C30B : CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 );

SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

CIP-2021 › C › C30 › C30B[u] › CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

Notas[n] de C30B:
  • En la presente subclase, las expresiones siguientes tiene el significado abajo indicado:
    • "monocristal" comprende tambien las maclas y los productos de predominancia monocristalina;
    • "material policristalino homogéneo" designa un material de partículas cristalinas todas las cuales tienen la misma composición química;
    • "estructura determinada" designa la estructura de un material con partículas orientadas de forma preferencial o que tienen dimensiones superiores a las normalmente obtenidas.
  • En esta subclase:
    • las invenciones relativas a la preparación de monocristales o de materias policristalinos homogéneos de estructura determinada, de composición o de formas particulares están clasificadas en el grupo relativo al proceso así como en el grupo C30B 29/00;
    • un aparato especialmente adaptado a un proceso especifico está clasificado en el grupo apropiado para el proceso. Un aparato que puede ser utilizado para varios procesos está clasificado en el grupo C30B 35/00 .

C30B 1/00 Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).

Notas[g] desde C30B 1/00 hasta C30B 5/00: Crecimiento de monocristales a partir de sólidos o de geles
  • C30B 1/02 por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad). [+7 invenciones en esta categoría]
  • C30B 1/04 Recristalización isotérmica.
  • C30B 1/06 Recristalización en un gradiente de temperatura. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+3 subclases].

C30B 3/00 Separación unidireccional de materiales eutectoides.

C30B 5/00 Crecimiento de monocristales a partir de geles (bajo un fluido protector C30B 27/00).

  • C30B 5/02 con adición de un material de dopado.

C30B 7/00 Crecimiento de monocristales a partir de soluciones utilizando solventes líquidos a temperatura ordinaria, p. ej. a partir de soluciones acuosas (a partir de solventes fundidos C30B 9/00; por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).

Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
  • C30B 7/02 por evaporación del solvente. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 7/04 utilizando solventes acuosos. [+5 invenciones en esta categoría]
  • C30B 7/06 utilizando solventes no acuosos.
  • [+4 subclases].

C30B 9/00 Crecimiento de monocristales a partir de baños fundidos utilizando solventes fundidos (por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; por fusión de zona C30B 13/00; por estirado del cristal C30B 15/00; sobre un germen cristalino sumergido C30B 17/00; por crecimiento epitaxial a partir de la fase líquida C30B 19/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).

  • C30B 9/02 por evaporación del solvente fundido.
  • C30B 9/04 por enfriamiento del baño.
  • C30B 9/06 utilizando uno de los constituyentes del cristal solvente.
  • [+4 subclases].

C30B 11/00 Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).

  • C30B 11/02 sin solvente (C30B 11/06 tiene prioridad). [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 11/04 introduciendo en el baño fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ . [+4 invenciones en esta categoría]
  • C30B 11/06 añadiendo al menos un constituyente del cristal, pero no todos.
  • [+4 subclases].

C30B 13/00 Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales).

  • C30B 13/02 Fusión de zona con ayuda de un solvente, p. ej. proceso por desplazamiento del solvente. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 13/04 Homogeneización por nivelado de zona.
  • C30B 13/06 no extendiéndose la zona fundida a toda la sección transversal. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+14 subclases].

C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).

  • C30B 15/02 introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ . [+8 invenciones en esta categoría]
  • C30B 15/04 añadiendo un material de dopado, p. ej. para una unión n– p. [+3 invenciones en esta categoría]
  • C30B 15/06 Estirado no vertical. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+15 subclases].

C30B 17/00 Crecimiento de monocristales sobre un germen que queda en el baño fundido durante el crecimiento, p. ej. método de Nacken-Kyropoulos (C30B 15/00 tiene prioridad).

C30B 19/00 Crecimiento de un lecho epitaxial a partir de la fase líquida.

  • C30B 19/02 utilizando solventes fundidos, p. ej. fundentes. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 19/04 siendo el solvente un constituyente del cristal.
  • C30B 19/06 Cámaras de reacción; navecillas para baño fundido; Portasustrato. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+3 subclases].

C30B 21/00 Solidificación unidireccional de materiales eutécticos.

  • C30B 21/02 por simple colada o por solidificación en un gradiente de temperatura. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 21/04 por fusión de zona. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 21/06 por estirado a partir de un baño fundido.

C30B 23/00 Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado.

Notas[g] desde C30B 23/00 hasta C30B 25/00: Crecimiento de monocristales a partir de vapores
  • C30B 23/02 Crecimiento de un lecho epitaxial. [+11 invenciones en esta categoría]
  • C30B 23/04 Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas.
  • C30B 23/06 Calentamiento del recinto de depósito, del sustrato o del material a evaporar. [+5 invenciones en esta categoría]
  • [+1 subclases].

C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.

  • C30B 25/02 Crecimiento de un lecho epitaxial. [+20 invenciones en esta categoría]
  • C30B 25/04 Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas. [+3 invenciones en esta categoría]
  • C30B 25/06 por pulverización reactiva. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+8 subclases].

C30B 27/00 Crecimiento de monocristales bajo un fluido protector.

  • C30B 27/02 por estirado a partir de un baño fundido.

C30B 28/00 Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada.

  • C30B 28/02 directamente a partir del estado sólido. [+2 invenciones en esta categoría]
  • C30B 28/04 a partir de líquidos. [+2 invenciones en esta categoría]
  • C30B 28/06 por solidificación simple o en un gradiente de temperatura. [+7 invenciones en esta categoría]
  • [+4 subclases].

C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.

C30B 30/00 Producción de monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada, caracterizado por la acción de campos eléctricos o magnéticos, de energía ondulatoria o de otras condiciones físicas específicas.

Notas[n] de C30B 30/00:
  • Cuando se clasifique en este grupo, se clasifica también de acuerdo con el procedimiento de crecimiento cristalino en los grupos apropiados C30B 1/00 - C30B 28/00
  • C30B 30/02 mediante utilización de campos eléctricos, p. ej. electrólisis. [+2 invenciones en esta categoría]
  • C30B 30/04 mediante utilización de campos magnéticos.
  • C30B 30/06 mediante utilización de vibraciones mecánicas. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+1 subclases].

C30B 31/00 Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos.

Notas[g] desde C30B 31/00 hasta C30B 33/00: Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada
  • C30B 31/02 por contacto con la sustancia de difusión en estado sólido. [+2 invenciones en esta categoría]
  • C30B 31/04 por contacto con la sustancia de difusión en estado líquido. [+3 invenciones en esta categoría]
  • C30B 31/06 por contacto con la sustancia de difusión en estado gaseoso. [+2 invenciones en esta categoría]
  • [+8 subclases].

C30B 33/00 Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00  tiene prioridad).

  • C30B 33/02 Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad). [+4 invenciones en esta categoría]
  • C30B 33/04 mediante utilización de campos eléctricos o magnéticos o de radiaciones corpusculares. [+1 invenciones en esta categoría]
  • C30B 33/06 Ensamblaje de cristales. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+3 subclases].

C30B 35/00 Aparatos no previstos en otro lugar, especialmente adaptados para la ejecución de los procesos de crecimiento, producción o tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada.

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