CIP-2021 : H01L 21/316 : compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.

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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/316 · · · · · · · compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento de fabricación de una célula solar con una doble capa dieléctrica de pasivación superficial y una correspondiente célula solar.

(27/08/2014) Procedimiento para la fabricación de una célula solar de silicio, que comprende las etapas siguientes: Preparación de un sustrato de silicio ; Deposición de una primera capa dieléctrica sobre una superficie del sustrato de silicio mediante deposición química de vapor secuencial, en donde la primera capa dieléctrica tiene óxido de aluminio; caracterizado por Deposición de una segunda capa dieléctrica sobre una superficie de la primera capa dieléctrica , en donde los materiales de las primera y segunda capas dieléctricas son diferentes y en donde en la segunda capa dieléctrica incluye hidrógeno.

DERIVADOS AZABICICLO UTILIZADOS COMO ANTAGONISTAS DE LOS RECEPTORES MUSCARINICOS.

(16/05/2007) Compuestos que tienen la estructura de la fórmula I: y sus sales farmacéuticamente aceptables, solvatos farmacéuticamente aceptables, estéres, enantiómeros, diastereómeros, N-óxidos o polímorfos, en los que Ar representa un anillo de arilo o heteroarilo y tiene 1-2 hetero átomos, los anillos de arilo o de heteroarilo pueden ser no substituidos o substituidos por uno a tres substituyentes seleccionados independientemente entre alquilo inferior (C1-C4), perhalo alquilo inferior (C1-C4), ciano, hidroxi, nitro, alcoxi inferior (C1-C4), perhalo alcoxi inferior (C1-C4), amino no substituido, N-alquilo inferior (C1-C4) o -arilo amino, amino carbonilo o N-alquilo inferior (C1-C4) o -arilo amino carbonilo; R1 representa hidrógeno, hidroxi, hidroxi metilo, amino substituido o no substituido, alcoxi, carbamoilo o halógeno; R2 representa alquilo, un anillo…

METODO DE FABRICACION DE UN DISPOSITIVO DE SEMICONDUCTORES.

(01/09/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Inventor/es: NORSTROM, HANS.

EN UN PROCEDIMIENTO PARA ATACAR SELECTIVAMENTE CON ACIDO EN LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, UNA CAPA AMORFA DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO CRISTALINO DEL MISMO MATERIAL SEMICONDUCTOR. AL MENOS UNA CAPA DE DIELECTRICO SE DEPOSITA SOBRE LA CAPA AMORFA A FIN DE EVITAR LA CRISTALIZACION DE LA CAPA AMORFA . LA CAPA DIELECTRICA ES DEPOSITADA PREFERIBLEMENTE CON AYUDA BIEN SEA DE UNA TECNICA PECVD, SACVD, MBE O CENTRIFUGA. LA ESTRUCTURA RESULTANTE ESTA CONFIGURADA Y LA CAPA DE DIELECTRICO Y LA CAPA SEMICONDUCTORA AMORFA SON QUITADAS POSTERIORMENTE MEDIANTE ATAQUE POR ACIDO DENTRO DE UNA ZONA PREDETERMINADA . EL PROCEDIMIENTO PUEDE FORMAR UNA SUB-ETAPA EN LA FABRICACION DE UN TRANSISTOR BIPOLAR CON UNA ESTRUCTURA BASE-EMISOR AUTO-REGISTRADA.

PROCEDIMIENTO PARA EL REVESTIMIENTO CON SILICE DE SUBSTRATOS.

(01/12/2002). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: BALLANCE, DAVID STEPHEN, CAMILLETTI, ROBERT CHARLES, GENTLE, THERESA EILEEN.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO DE SILICE EN UN SUSTRATO. EL METODO CONSISTE EN REVESTIR UN SUSTRATO CON UN PRECURSOR DE SILICE QUE TENGA UN PUNTO DE FUSION ENTRE 50 Y 450 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE. EL REVESTIMIENTO SE CALIENTA A UNA TEMPERATURA SUPERIOR A SU PUNTO DE FUSION EN UN ENTORNO INERTE PARA PERMITIR QUE EL REVESTIMIENTO SE FUNDA Y FLUYA. EL REVESTIMIENTO FUNDIDO SE CALIENTA ENTONCES EN UN AMBIENTE QUE FACILITE AL CONVERSION A SILICE DURANTE UN TIEMPO SUFICIENTE COMO PARA QUE LO CONVIERTA EN SILICE.

METODO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS QUE INCLUYEN UNA ZONA INTERFACIAL SEMICONDUCTOR/DIELECTRICO.

(01/02/2001) ESTE INVENTO ES UN METODO DE MANUFACTURAR DISPOSITIVOS QUE INCLUYEN UNA CONEXION SEMICONDUCTORA/DIELECTRICA (POR EJEMPLO UNA CONEXION ENTRE UNA CAPA SEMICONDUCTORA Y UNA CAPA DIELECTRICA ), EN DONDE AL MENOS UNA MONOCAPA DE DICHA CAPA ELECTRICA SE ENCUENTRA EN ESTADO ORDENADO. CAPAS DE COMPUESTO DIELECTRICO QUE TIENEN UNA EXTRUCTURA DE CONEXION ORDENADA SE PUEDEN PRODUCIR SOBRE MATERIALES SEMICONDUCTORES TENSIONADOS, COMO POR EJEMPLO MEDIANTE EL CRECIMIENTO NATIVO. POR EJEMPLO, UNA RECONSTRUCCION DE 5X5 EN LA CONEXION ENTRE SILICIO Y OXIDO DE SILICIO RESULTA DE LA OXIDACION DE UNA FINA CAPA DE SILICIO QUE SE ENCUENTRA SOBRE UNA CAPA DE GERMANIO-SILICIO RELAJADO.…

METODO DE FABRICACION DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR PARA CIRCUITOS INTEGRADOS.

(16/04/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, COCHRAN, WILLIAM THOMAS, KELLY, MICHAEL JAMES.

SE REVELA UN METODO DE FORMACION DE UN TRANSISTOR. LAS TECNICAS DE FABRICACION CONVENCIONAL DIRIGEN UN RAYO ION DE IMPRESION HACIA UN SUSTRATO , SOBRE EL CUAL UN GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS DE BARRERA HAN SIDO YA FORMADAS . SI EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS ESTA DEMASIADO BAJO EN RELACION CON LA ENERGIA DE RADIACION INCIDENTE, LAS ESPECIES DOPANTES PUEDEN SER CANALIZADAS A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, AFECTANDO ADVERSAMENTE AL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR. LA PRESENTE INVENCION PREVIENE DE LA CANALIZACION A TRAVES DEL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS MEDIANTE EL RECUBRIMIENTO DE LA BARRERA CON UNA CAPA PROTECTORA ANTES DE LA IMPRESION DEL ION. LA CAPA PROTECTORA ES UNA CAPA DE OXIDO, LA CUAL ESTA FORMADA TANTO EN EL GRUPO DE UNIDADES AISLADORAS, DONDE ES MAS ESPESA, COMO EN EL SUSTRATO.

SEMICONDUCTOR CON AISLACION DE FOSO RELLENADO POR FLUJO.

(01/06/1998) SE DESCRIBE UN FOSO QUE PROVEE UNA AISLACION ELECTRICA ENTRE TRANSISTORES EN UN SUBSTRATO DE CIRCUITO INTEGRADO. SE RECUBRE EL FOSO CON UNA BARRERA DE DIFUSION, TIPICAMENTE UN OXIDO TERMICO SEGUIDO DE UNA CAPA ALIVIADORA DE LAS TENSIONES TERMICAS, FORMADA TIPICAMENTE POR TEOS. LUEGO SE DEPOSITA UN MATERIAL DE RELLENO, TIPICAMENTE BPTEOS, PARA RELLENAR EL FOSO Y CUBRIR LA SUPERFICIE SUPERIOR DE LA PLACA DE CONTACTO. SE CALIENTE EL METERIAL DE RELLENO PARA QUE FLUYA. LUEGO SE SOMETE LA SUPERFICIE EXTERIOR DEL MATERIAL DE RELLENO FLUIDIFICADO A UN ATAQUE QUIMICO SELECTIVO TRASERO QUE HACE QUE LA SUPERIFICIE SUPERIOR DEL FOSO RELLENO SOBRESALGA…

METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SEMICONDUCTORES.

(16/09/1997). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Inventor/es: BOUAYAD-AMINE, JAMAL, KUEBART, WOLFGANG, SCHERB, JOACHIM.

EN UN METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE CAMPOS DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION EN III-V EN SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES SE LLEVA A CABO MEDIANTE UN TRATAMIENTO PRELIMINAR DE LA SUPERFICIE EN PLAMA-SUSTANCIA DE CARBONO-HALOGENOS ANTES DE LA COLOCACION DE LAS CAPAS DE PASIVACION Y AISLAMIENTO. LOS ELEMENTOS GENERADOS TIENEN UN MEJOR VALOR ELECTRICO QUE LOS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SIN EL TRATAMIENTO PRELIMINAR, CONCRETAMENTE PRESENTAN UNA CORRIENTE DE BLOQUEO MENOR (CORRIENTE OSCURA).

FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES QUE UTILIZAN VIDRIOS FOSFOSILICATADOS.

(16/06/1997) LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR DISPOSITIVOS SEMINCONDUCTORES QUE INCLUYEN LA DEPOSICION DE CAPAS DE VIDRIO PROTECTOR MEDIANTE UNA TECNICA DE HAZ DE PARTICULAS DESDE UN BLANCO DE VIDRIO FOSFOSILICATADO, COMO ASI TAMBIEN A UN PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR TALES BLANCOS. EL VIDRIO FOSFOSILICATADO QUE CONTIENE 1-15 MOLES PORCIENTE DE P2O5 SE PRODUCE MEDIANTE UNA TECNICA DE SOL/GEL EN EL QUE SE MEZCLA UN SILICE RECUPERADO DE LA CONDENSACION DE VAPORES, CON UN AREA SUPERFICIAL DE 50-400 M2/G, PREFERENTEMENTE DE APROXIMADAMENTE 200 M2/G, CON ACIDO FOSFORICO Y AGUA PARA FORMAR UN SOL CON 20-55% POR PESO DE SILICE, PERMITIENDO QUE SE CONVIERTA EN GEL, SECARLO EN CONDICIONES AMBIENTALES, DESHIDRATARLO A APROXIMADAMENTE 650 C EN UNA ATMOSFERA…

METODO PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA INTEGRADA.

(01/10/1996). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: MAYDAN, DAN, MARKS, JEFFREY, LAW, KAM SHING, WANG, DAVID NIN-KOU.

SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICO DE BAJA FUSION QUE COMPRENDE DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES GRABAR EN SECO LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO Y TRATAMIENTO SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y EL PASO DE GRABADO SE REALIZAN SIN SACAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.

PROCESO DE DOS ETAPAS PARA LA FORMACION DE UNA CAPA DE OXIDO SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UNA OBLEA SEMICONDUCTORA.

(16/09/1996) PRESENTAMOS UN PROCESO DE DOS ETAPAS PARA LA FORMACION DE UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UN BARQUILLO SEMICONDUCTOR MIENTRAS SE INHIBE LA FORMACION DE VACIOS EN LA CAPA DE OXIDO QUE LLEVA EL DEPOSITO DE UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UN BARQUILLO SEMICONDUCTOR EN UNA CAMARA CVD MEDIANTE LA INTRODUCCION DE UNA MEZCLA GASEOSA EN LA CAMARA, LA CUAL LLEVA UNA FUENTE DE OXIGENO, DONDE UNA DE LAS PORCIONES LLEVA O SUB 3 Y TETRAETILORTHOSICICATO COMO FUENTE DE GAS DEL SILICE, MIENTRAS SE MANTIENE LA PRESION EN LA CAMARA CVD ENTRE LA GAMA DE LOS 250 TORR Y LOS…

UN PROCESO TERMICO RAPIDO PARA OBTENER REVESTIMIENTOS DE SILICE.

(01/07/1996). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: GENTLE, THERESA EILEEN, CHANDRA, GRISH.

ESTA INVENCION ESTA BASADA EN EL DESCUBRIMIENTO DE QUE UN PROCESO TERMICO RAPIDO (RTP) PUEDE CONVERTIR REVESTIMIENTOS DE RESINA SILSESQUIOXANA DE HIDROGENO EN REVESTIMIENTOS DE SILICE CERAMICOS. ESTA TECNICA ES ESPECIALMENTE VALIDA PARA LA APLICACION DE CAPAS DIELECTRICAS Y PROTECTORAS EN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO, QUE INCLUYE UN METODO DE BAJA TEMPERATURA PARA ELABORAR ESTRUCTURAS DE SILICIURO.

(16/05/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, LEUNG, CHUNG WAI, MARTIN, EDWARD P., JR.

EN UN METODO DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO DE SEMICONDUCTOR, USO DE BORO Y FOSFORO CON ADITIVO TEOS (POR EJEMPLO, BPTEOS) DEBIDO A QUE UN PRIMER NIVEL DIELECTRICO PERMITE QUE EL DIELECTRICO CIRCULE A UNA TEMPERATURA MAXIMA DE 800 (POR) C. EN CONSECUENCIA, LA FUENTE TISI2 Y LOS CONTACTOS DE CONSUMO SE UTILICEN EN UN TRANSITOR DE EFECTO DE CAMPO SIN SUFRIR NUCLEACION Y AUMENTO DANDO POR RESULTADO AUMENTO DE TAMAÑO DEL GRANO, ASI RESISTENCIA AUMENTADA. UNA CAPA DE TEOS SE PUEDE DEPOSITAR ANTES QUE LA CAPA DE BPTEOS PARA IMPEDIR QUE LAS ESQUINAS VIVAS EN LA VALVULA DE COMPUERTA OCASIONEN POCA CONSISTENCIA Y POSIBLE ROTURA DE LA CAPA BPTEOS.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON OXIDO DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA.

(01/07/1995). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: DOKLAN, RAYMOND H., MARTIN, EDWARD PAUL, JR., ROY, PRADIP KUMAR, SHIVE, SCOTT FRANCIS, SINHA, ASHOK KUMAR.

SE DESCRIBEN OXIDOS DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA ADECUADOS PARA USAR COMO OXIDOS DE PUERTA DELGADA O EN CAPACITORES DE ALMACENAMIENTO DE CARGA. LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DIELECTRICAS SE FORMAN SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURAS DE DEFECTOS DESALINEADOS. LUEGO SE FORMA UNA TERCERA CAPA (UN OXIDO) POR DIFUSION DE UNA ESPECIE OXIDANTE A TRAVES DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DEL SUBSTRATO. LA ESPECIE REACCIONA CON EL SUBSTRATO. LA BAJA DENSIDAD DE DEFECTOS RESULTA DE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DESALINEADOS DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS. EN UNA INCORPORACION, LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS SON OXIDOS FORMADOS Y DEPOSITADOS, RESPECTIVAMENTE. LA TERCERA CAPA SE FORMA POR DIFUSION DE OXIGENO A TRAVES DE LAS DOS PRIMERAS CAPAS, DONDE LA INTERFASE ENTRE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS ACTUA COMO SUMIDERO ATRAPADOR DE DEFECTOS. LA INTERFASE DE OXIDO DE SILICIO TIENE CARACTERISTICAS DESEABLES (ESENCIALMENTE PLANA Y SIN TENSION) DEBIDO A LA FORMACION DE OXIDO EN CONDICIONES PROXIMAS AL EQUILIBRIO.

METODO PARA FABRICAR UNA CAPA SOBRE UN SUBSTRATO.

(16/10/1994) UN METODO PARA FABRICAR UNA CAPA DE OXIDO TUNEL DE GRAN CALIDAD INCLUYE UN PROCESO DE OXIDACION EN DOS ETAPAS. LA PRIMERA ETAPA DE OXIDACION CONSISTE EN OXIDAR UN SUBSTRATO EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE OXIGENO Y NITROGENO A UNA TEMPERATURA DE 900 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE, Y ASI ES UNA OXIDACION SIN HCL. LA SEGUNDA ETAPA DE OXIDACION SE LLEVA A CABO EN UNA ATMOSFERA QUE CONTIENE HCL Y ARGON A UNA TEMPERATURA DE 1050 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE. LA PRIMERA ETAPA DE OXIDACION SE LLEVA A CABO A UNA TEMPERATURA EN EL INTERVALO DE TEMPERATURAS DEL FLUJO VISCOSO DEL OXIDO PARA EVITAR CUALQUIER DEFECTO FISICO DE LA FORMA DE LA CAPA DE OXIDO. LA SEGUNDA ETAPA DE OXIDACION SE LLEVA A CABO A UNA TEMPERATURA SUFICIENTE PARA PASIVAR CUALQUIER ION MOVIL EN LA CAPA DE OXIDO EN UNA ATMOSFERA…

REACTOR TERMICO CVD/PECVD Y SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE OXIDOS DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO MULTIETAPA DE PLANARIZACION IN-SITU.

(01/05/1994) SE PRESENTA UN REACTOR DE PROCESO SEMICONDUCTOR, DE PASTILLA SIMPLE, DE ALTO RENDIMIENTO, Y ELEVADA PRESION EL CUAL ES CAPAZ DE CVD TERMICO, CVD AUMENTADO POR PLASMA, RETROGRABADO ASISTIDO POR PLASMA, AUTOLIMPIEZA POR PLASMA, Y MODIFICACION TOPOGRAFICA DE DEPOSICION MEDIANTE DESINTEGRACION, SEA SEPARADAMENTE O COMO PARTE DE UN PROCESO DE MULTIPLES ETAPAS IN-SITU. EL REACTOR INCLUYE DISPOSITIVOS DE COOPERACION DE SUSCEPTORES ENTRELAZADOS Y DEDOS DE PATILLAS QUE EXTRAEN COLECTIVAMENTE LA PASTILLA DESDE UNA PALETA DE TRANSFERENCIA ROBOT Y COLOCAN LA PASTILLA CON UNA SEPARACION PARALELA Y CERCANA, CONTROLADA Y VARIABLE ENTRE LA PASTILLA Y EL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS A LA CAMARA VOLVIENDOLA DESPUES LA PASTILLA A LA PALETA. UN DISPOSITIVO DE ALIMENTACION COMBINADO RF/GAS PROTEGE CONTRA EL PROCESO DE PERDIDAS…

CONVERSION DE PRECURSORES DE SILICE EN SILICE A BAJAS TEMPERATURAS.

(16/02/1994). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW, CHANDRA, GRISH, MICHAEL, KEITH WINTON, BILGRIEN, CARL-JOSEPH.

LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO A BAJA TEMPERATURA PARA CONVERTIR LAS CAPAS DE PRECURSORES DE SILICE EN CAPAS DE SILICE CERAMICO. EL METODO COMPRENDE LA APLICACION DE UNA CAPA DE PRECURSOR DE SILICE A UN SUSTRATO, EXPONIENDOLA A UN MEDIO QUE COMPRENDE HIDROXIDO DE AMONIACO Y/O VAPORES DE AMONIACO HUMEDO Y SOMETIENDO LA CAPA A UNA TEMPERATURA SUFICIENTE PARA PRODUCIR LA CAPA DE CERAMICA. LOS METODOS DE LA INVENCION SE APLICAN PARTICULARMENTE A LAS CAPAS DE APLICACION EN LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

CIRCUITOS INTEGRADOS CON REGIONES DIELECTRICAS ESCALONADAS.

(01/11/1991). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, POLANCO, SAMUEL EFRAIN.

EL DIOXIDO DE SILICIO DEPOSITADO SE PUEDE UTILIZAR COMO UNA CAPA DE OXIDO DE CAMPO O CON OTROS FINES DIELECTRICOS EN CIRCUITOS INTEGRADOS. SIN EMBARGO, LA GRABACION ELECTROLITICA DE UN MODELO EN LA CAPA, PRODUCE GENERALMENTE PAREDES LATERALES PRONUNCIADAS QUE IMPIDEN LA BUENA COBERTURA ESCALONADA DE LAS CAPAS CONDUCTORAS QUE SE DEPOSITAN DESPUES. CON LA PRESENTE TECNICA SE PUEDE FORMAR EL DIELECTRICO EN AL MENOS DOS CAPAS (EJ. 11,12) CON DENSIDADES DIFERENTES. UNA SECUENCIA DE GRABACION ELECTROLITICA ANISOTROPICA E ISOTROPICA DA COMO RESULTADO PAREDES LATERALES ESCALONADAS, LO QUE PROPORCIONA UN BUEN CONTROL DE LA ANCHURA DE LINEA Y UNA BUENA COBERTURA ESCALONADA DEL MATERIAL DEPOSITADO DESPUES.

UN METODO PARA FORMAR SOBRE UN SUSTRATO UN REVESTIMIENTO CERAMICO O SEMEJANTE A CERAMICO, EN MULTICAPA.

(01/03/1989). Solicitante/s: S DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW, TARHAY, LEO, MICHAEL, KEITH WINTON.

ESTA INVENCION SE REFIERE A MATERIALES PRODUCIDOS DILUYENDO EN UN DISOLVENTE UNA MEZCLA PRECERAMICA DE UN ESTER DE SILICATO PARCIALMENTE HIDROLIZADO Y UN PRECURSOR DE UN OXIDO METALICO ELEGIDO ENTRE UN ALCOXIDO DE ALUMINIO, UN ALCOXIDO DE TITANIO Y UN ALCOXIDO DE CIRCONIO. LA SOLUCION DE LA MEZCLA PRECERAMICA EN EL DISOLVENTE SE APLICA A UN SUSTRATO Y SE CERAMIFICA POR APLICACION DE CALOR. SOBRE EL REVESTIMIENTO DE SIO2/OXIDO METALICO CERAMIFICADO, SE PUEDEN APLICAR UNO O MAS REVESTIMIENTOS QUE CONTIENEN SILICIO Y CARBONO, SILICIO Y NITROGENO O SILICIO, CARBONO Y NITROGENO. PARA UNA MEJOR PROTECCION, SE PUEDE APLICAR UN ULTIMO REVESTIMIENTO POR CVD O PECVD. LA INVENCION ES PARTICULARMENTE UTIL PARA REVESTIR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

PERFECCIONAMIENTOS EN UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA DE CIRCUITO INTEGRADO.

(03/04/1984). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..

3 ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA DE CIRCUITO INTEGRADO.EL AISLAMIENTO ENTRE LAS METALIZACIONES DE PRIMER Y SEGUNDO NIVELES COMPRENDE UNA CAPA DE DIOXIDO DE SILICIO RICA EN FOSFORO SITUADA SOBRE LA METALIZACION DEL PRIMER NIVEL, Y UNA CAPA DE DIOXIDO DE SILICIO POBRE EN FOSFORO SITUADA SOBRE LA OTRA . EL CUERPO SEMICONDUCTOR BASE ES DE SILICIO MONOCRISTALINO , Y LAS METALIZACIONES DE PRIMER Y SEGUNDO NIVEL SON AMBAS ESENCIALMENTE DE ALUMINIO.

UN METODO PARA DOTAR DE AISLAMIENTO ELECTRICO A DETERMINADAS REGIONES DE UN SEMICONDUCTOR.

(01/08/1977). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

Resumen no disponible.

PROCEDIMIENTO PARA PROLONGAR LA VIDA UTIL DE UN DISPOSITIVO DE UNION P-N EMISOR DE LUZ QUE CONTIENE UN COMPUESTO DE GALIO.

(16/04/1975). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.

Procedimiento para prolongar ca vida útil de un dispositivo de unión p-n emisor de luz que contiene un compuesto de galio, que comprende las etapas de: producir el crecimiento de una película de óxido de galio amorfo o una forma hidratada del mismo sobre la superficie del dispositivo sumergiendo el dispositivo en un sistema oxidante acuoso; y secar en caliente dicho dispositivo a una temperatura elevada para extraer cualquier exceso de humedad de dicha película de óxido.

UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

(16/01/1975). Solicitante/s: RCA CORP..

Resumen no disponible.

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