(22/05/2019) Un método que utiliza un proceso de deposición de vapor químico por plasma de microondas (MPCVD) para producir diamante monocristalino de grado de dispositivo electrónico, que comprende: (a) seleccionar un sustrato o una semilla de diamante que tengan una orientación predeterminada; (b) limpiar y grabar fases que no son de diamante y otros daños superficiales inducidos por el sustrato o la semilla de diamante , con lo que esta etapa se realiza una o más veces, y en donde esta etapa comprende eliminar las fases que no son de diamante del sustrato limpiándolo en un baño de ácido hirviendo que tiene una temperatura…

(14/06/2017) Un aparato para producir diamantes y realizar un análisis in situ y en tiempo real, que comprende: un alojamiento , una cámara de reacción , estando la cámara de reacción conectada estructuralmente al alojamiento , comprendiendo la cámara de reacción un área cerrada adaptada para alojar el crecimiento de diamantes, un medio de radiación , estando el medio de radiación montado por encima de la cámara de reacción dentro del alojamiento , el medio de radiación adaptado para emitir microondas en la cámara de reacción para efectuar el crecimiento de los diamantes dentro de la cámara de reacción , un medio de grabación montado por encima de la cámara de reacción , una cubierta dieléctrica proporcionada en la parte superior de la cámara de reacción y dispuesta entre el área cerrada…

(17/05/2017) Un método de fabricación de una oblea epitaxial de 4H-SiC que comprende una película epitaxial de SiC sobre un sustrato de 4H-SiC monocristalino, donde el método comprende: a. cargar el sustrato de 4H-SiC monocristalino sobre un susceptor en una celda de reacción de un sistema de CVD de pared caliente; b. calentar el sistema controlando la temperatura del susceptor en la celda de reacción hasta un intervalo de 1500°C a 1620°C; y c. ejecutar un ciclo de fabricación para producir la oblea epitaxial de 4H-SiC, donde el ciclo de fabricación comprende suministrar un flujo de gas paralelo a una superficie del sustrato de 4H-SiC monocristalino, de tal manera que la velocidad total del gas se encuentra en un intervalo de 120 a 250 cm/s, y controlar una presión en el interior de la celda de reacción hasta un intervalo de 100…

(21/06/2013) Un método para producir silicio o un metal reactivo, que comprende: introducir una alimentación que contiene silicio o una alimentación que contiene metal reactivo en una cámara dereacción, donde la cámara de reacción incluye una pared de la cámara de reacción que tiene (i) una superficieinterior orientada hacia un espacio de reacción y (ii) una superficie exterior opuesta; generar una primera energía térmica dentro del espacio de reacción suficiente para generar un producto de siliciolíquido o un producto de metal reactivo líquido; generar una segunda energía térmica exterior a la pared de la cámara de reacción, de manera que un flujo decalor desde la segunda energía térmica impacta inicialmente con la superficie exterior de la pared de la cámarade reacción; y establecer…

(01/05/2002) UN REACTOR EPITAXIAL CON UN SUSCEPTOR PLANO EN FORMA DE DISCO CONSTA DE UN PLANO, SUBSTANCIALMENTE DE UNA CAMARA DE REACCION DE CUARZO TUBULAR CONTENIENDO UN DISCO SUSCEPTOR GIRATORIO TENIENDO UNA PLURALIDAD DE INTERVALOS (16A-H) PARA ALOJAMIENTO DE UNA CORRESPONDIENTE PLURALIDAD DE OBLEAS EN FORMA DE DISCO (18A-H) DE MATERIAL PARA SER PROCESADO, UN TANQUE RELLENADO CON UN FLUJO DE LIQUIDO REFRIGERANTE RODEANDO LA SUBSTANCIALMENTE CAMARA TUBULAR , UN INDUCTOR PRIMARIO DE ALIMENTACION SUBSTANCIALMENTE EN FORMA DE ESPIRAL PLANA UBICADA FUERA DE LA CAMARA DE REACCION EN LA PARTE INFERIOR DEL TANQUE PARALELAMENTE AL DISCO…

(01/01/1996) ESTA INVENCION ESTA DIRIGIDA A LA PRODUCCION DE UN DIAMANTE DE UN SOLO CRISTAL COMPUESTO DE CARBONO-12 O CARBONO-13 ISOTOPICAMENTE PURO. SE CREE QUE EL PRODUCTO ES IGUAL QUE UN DIAMANTE EN LA SERIE DE APLICACION 448.469 PERO ESTA HECHO POR UN METODO DIFERENTE. EN ESTA INVENCION, SE HACE CRECER UN CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO DE DIAMANTE EN UN SUSTRATO DE CRISTAL UNICO DIRECTAMENTE DEL CARBONO-12 O CARBONO-14 ISOTOPICAMENTE PURO. UN METODO PARA FORMAR DIAMANTE ISOTOPICAMENTE PURO DE UN SOLO CRISTAL COMPRENDE LAS FASES DE EMPLAZAR EN UNA CAMARA DE REACCION UN SUSTRATO CRISTALINO CALENTANDOLO A UNA TEMPERATURA ELEVADA DE FORMACION DE DIAMANTE…

(01/08/1994) APARATO Y METODO PARA TRATAR UN SUSTRATO PLANO MAS PARTICULARMENTE UNA OBLEA SEMICONDUCTORA EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS, BAJO PRESION REDUCIDA QUE CONTIENE UNA CAMARA (2A, 2B) DE VACIO PROVISTA CON UN SOPORTE DE SUSTRATO QUE TIENE UN CUERPO (11A) CON MEDIOS DE CALENTAMIENTO Y/O ENFRIAMIENTO Y UNA SUPERFICIE (11B) DE SOPORTE, EN LA CUAL UNA PLURALIDAD DE ABERTURAS DE INYECCION ESTA PRESENTE COMUNICANDO CON UN ESPACIO DE INYECCION Y UNA ENTRADA SUPLEMENTARIA DE GAS, A TRAVES DE CUYAS ABERTURAS DE INYECCION SE SUMINISTRA UN GAS ENTRE EL SUSTRATO Y LA SUPERFICIE DE SOPORTE PARA FORMAR ENTRE ELLOS UNA ALMOHADA DE…