CIP 2015 : C25D 7/12 : Semiconductores.

CIP2015CC25C25DC25D 7/00C25D 7/12[1] › Semiconductores.

Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA

C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS.

C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B).

C25D 7/00 Deposiciones de metales por vía electrolítica caracterizadas por el objeto revestido.

C25D 7/12 · Semiconductores.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Una hoja de contactos para la disposición entre una pinza de sujeción y un electrodo maestro en un proceso ECPR.

(22/06/2016). Solicitante/s: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Inventor/es: MÖLLER,PATRIK, FREDENBERG,MIKAEL, LINDGREN,LENNART, SVENSSON,STEFAN, CHAUVET,JEAN-MICHEL, SANTOS,ANTONIO, UTTERBÄCK,TOMAS, ROSÉN,DANIEL.

Una lámina de contacto para la disposición entre una pinza de sujeción y un electrodo maestro que realiza el contacto eléctrico con el electrodo maestro en un proceso de ECPR, teniendo la lámina de contacto un primer lado distal y un segundo lado proximal , estando formada dicha lámina de contacto por una lámina de soporte aislante ; partes distales de contacto eléctricamente conductoras colocadas en sentido distal desde la lámina de soporte aislante ; partes proximales de contacto eléctricamente conductoras colocadas de forma proximal desde la lámina de soporte aislante ; estando conectadas dichas partes proximales y distales de contacto eléctricamente conductoras con un material eléctricamente conductor a través de la lámina de soporte aislante.

PDF original: ES-2592708_T3.pdf

Método para lavar y/o secar una cámara de replicación electroquímica de modelos (ECPR), y mandriles y conjuntos de mandril correspondientes.

(08/06/2016). Solicitante/s: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Inventor/es: MÖLLER,PATRIK, FREDENBERG,MIKAEL, LINDGREN,LENNART, SVENSSON,STEFAN, CHAUVET,JEAN-MICHEL, SANTOS,ANTONIO.

Un mandril destinado a asegurar un sustrato o un electrodo maestro durante un proceso de replicación electroquímica de modelos (ECPR), que comprende una superficie de interacción con un electrodo maestro o un sustrato; medios de aseguramiento para asegurar el sustrato o el electrodo maestro en dicha superficie de interacción ; una superficie de mandril que rodea circularmente a la superficie de interacción ; y al menos una entrada de secado o lavado y al menos una salida de secado o lavado en dicha superficie de mandril, estando posicionadas dicha al menos una entrada de secado o lavado y dicha al menos una salida de secado o lavado , una en relación con otra, en lados opuestos de la superficie de interacción.

PDF original: ES-2590130_T3.pdf

Revestimientos antideslustre que intensifican la unión.

(02/10/2013) Un procedimiento para mejorar la adherencia de un objeto de cobre o aleación de cobre a un polímero,procedimiento que comprende aplicar un revestimiento al objeto de cobre o aleación de cobre, revestimiento queconsiste en su mayor parte en peso en una combinación de zinc y cromo, en el que el objeto de cobre o aleaciónde cobre se expone a una solución acuosa que comprende cantidades eficaces de iones hidroxilo (OH-), iones quecontienen Zn y iones que contienen Cr, caracterizado porque la solución está exenta de iones sodio y comprendeiones rubidio (Rb+) para equilibrar la valencia de OH, y los iones que contienen Cr están presentes como ácidocrómico o como un compuesto dicromato de rubidio.

PROCEDIMIENTO PARA EL PROCESAMIENTO DE PRECISIÓN DE SUSTRATOS Y SU USO.

(07/09/2011) Procedimiento para la microestructuración, dopado y al menos aplicación por zonas de una capa de nucleación simultáneos de sustratos, en el que se conduce un haz láser dirigido a una superficie del sustrato por las zonas que se van a procesar del sustrato, estando cubierto el sustrato al menos en las zonas del sustrato que se van a procesar por un líquido que contiene reactivo de procesamiento, caracterizado porque como reactivo de procesamiento están contenidos en el líquido un agente decapante, un dopante, al menos un compuesto metálico y un agente reductor

UN METODO PARA OBTENER EL AISLAMIENTO ELECTRICO EN LAS REGIONES DE UNA PASTILLA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR.

(16/02/1978). Solicitante/s: STANDAR ELECTRICA, S.A..

Resumen no disponible.