(20/06/2012) Método para la fabricación de una célula solar o de un detector de radiación, que presenta las siguientes etapasdel método: - provisión de un cuerpo semiconductor monocristalino que presenta dos lados enfrentados y undopado básico tipo p, - implantación de protones con energías de implantación entre 0,5 MeV y 10 MeV sobre un primer lado en elcuerpo semiconductor de manera que se genere un número de zonas de defecto (11') dispuestas en unadirección lateral del cuerpo semiconductor, distanciadas entre sí, que se extienden partiendo desde un lado hacia el interior del cuerpo semiconductor , - ejecución…

(13/06/2012) Método de fabricación de una célula solar , que comprende: formar una región de emisor sobre la totalidad de una primera superficie de un sustrato de semiconductor de un primer tipo de conductividad, presentando la región de emisor un segundo tipo deconductividad opuesto al primer tipo de conductividad con el fin de formar una unión p-n con el sustrato desemiconductor , y siendo la primera superficie una superficie sobre la cual incide una luz solar; formar una capa de pasivación sobre una segunda superficie opuesta a la primera superficie del sustratode semiconductor ; formar una capa dopante que contiene impurezas del primer tipo de conductividad sobre la capa depasivación ; formar localmente una pluralidad…

(04/06/2012) Un dispositivo para la fabricación de un elemento fotovoltaico con rendimiento estabilizado o para la estabilización del rendimiento de un elemento fotovoltaico, en el que el dispositivo está adaptado para llevar a cabo las siguientes etapas: recepción de un sustrato de silicio impurificado con boro y que contiene oxígeno con una capa emisora formada sobre la superficie del sustrato de silicio; caracterizado porque el dispositivo también está adaptado para llevar a cabo una etapa de tratamiento de estabilización, que comprende: mantenimiento de la temperatura del sustrato durante un tiempo de tratamiento t dentro de un intervalo de temperaturas seleccionable que…

(16/05/2012) Método para la producción de una célula solar con una capa de BSF, en el que sobre el lado trasero de un sustrato de células solares , especialmente de un sustrato de silicio, se aplica una capa de BSF a través de la aplicación de aluminio sobre el sustrato y aleación siguiente 5 en el sustrato , en el que la capa de BSF es transparente a la luz caracterizado por el hecho de que después de la aleación en el sustrato se retira exclusivamente aluminio no aleado en el sustrato.

(11/05/2012) Procedimiento para la producción de un heterocontacto que tiene una capa amortiguadora doble entre una capa semiconductora activa basada en un calcogenuro y una capa de contacto de ventana, caracterizado porque - la capa semiconductora activa basada en un calcogenuro se infiltra en una cámara para la MOMBE, - después de esto la capa semiconductora se ajusta a una temperatura comprendida entre 200º C y 550º C, - se utilizan materiales precursores gaseosos que contienen zinc y oxígeno, cuya presión se ajusta para que sea menor que 10-4 mbar, efectuándose la reacción de las moléculas de los precursores solamente junto a la superficie de la capa semiconductora, - a continuación, los materiales precursores…

(10/05/2012) 1. Bancada estacionaria para baterías, siendo de especial utilidad para la instalación de baterías de parques solares, caracterizado porque la bancada comprende: - una serie de parejas de postes (2 y 2') de perfil cuadrangular de anclaje al suelo que en sus caras enfrentadas presentan, un primer poste una abertura y un segundo poste (2') dos aberturas (3'), practicadas en posición vertical; - unas cartelas , según dos alturas, dispuestas entre parejas de postes (2 y 2'), las cuales en el lado superior, a distinta altura, presentan sendas placas con una pareja de orificios rasgados bajo los que la cartela presenta respectivos rebajes , en tanto que en el lado frontal, de menor altura, presenta una orejeta y en el lado posterior, de mayor altura, presenta dos orejetas (8') salientes con un corte por su parte…

(24/04/2012) Procedimiento para el grabado de capas de pasivación y antirreflectantes de nitruro de silicio sobre una célula solar de silicio, caracterizado porque una sustancia de grabado en forma de pasta imprimible contiene un ácido fosfórico o sus sales se aplica en una etapa de procedimiento en toda la superficie o selectivamente sobre las zonas de la superficie a grabar y se calienta a una temperatura en el intervalo de 250 a 350 º C durante 30 a 120 segundos.

(18/04/2012) Sustrato (1, 1') con función de vidrio que contiene metales alcalinos, que comprende una primera cara principal destinada a asociarse con una capa a base de un material absorbente, de tipo calcopirita, y una segunda cara principal, comprendiendo al menos una porción de superficie de la primera cara principal del sustrato (1') una capa conductora a base de molibdeno, una capa de barrera frente a los metales alcalinos que no está interpuesta entre la capa conductora a base de molibdeno y la primera cara principal del sustrato (1'), caracterizado porque comprende sobre al menos una porción de superficie de la segunda…

(13/04/2012) Módulo fotovoltaico con las siguientes características: varias células en forma de placa, dispuestas a distancia y enrasadas unas con respecto a otras, cada célula presenta, sobre una primera superficie principal, una estructura de pista conductora , que forma un primer electrodo, y una segunda superficie principal está configurada, en cada caso, como un segundo electrodo con polaridad opuesta, todas las células están orientadas de manera idéntica, con respecto a su superficie principal, las células contiguas están conectadas eléctricamente en cada caso mediante por lo menos una cinta plana , la cinta plana …

(10/04/2012) Aparato de fabricación de células solares de película delgada, en el que un sustrato de película flexible, con forma de tira, enrollado alrededor de un rodillo de alimentación, es suministrado a una cámara de deposición de película mantenida sustancialmente en un estado de vacío, se induce una descarga eléctrica a través de los electrodos de masa, posicionados para oponerse entre sí, y electrodos de aplicación que tienen un material diana en la cámara de deposición de película, se forma una película delgada de metal, de anchura N2, que se convierte en un electrodo, sobre la superficie del sustrato de…

(04/04/2012) Dispositivo para fijar unas pistas conductoras sobre por lo menos una primera superficie principal (20º) de por lo menos una célula solar , con las siguientes características: 1.1 un dispositivo de transporte, sobre el cual se pueden mover varias células solares a distancia entre sí a lo largo de una dirección de transporte (T), 1.2 sobre la superficie principal (20º) opuesta al dispositivo de transporte de cada célula solar discurren varias pistas conductoras , 1.3 por lo menos a un travesaño , que se puede mover desde una posición de partida a distancia con respecto a la superficie principal (20º) a una posición de funcionamiento, en la cual varios pisadores , los cuales sobresalen del travesaño en el sentido de la superficie principal (20º) de la célula solar ,…

(04/04/2012) Método de fabricación de una célula solar a partir de un sustrato de silicio multicristalino tipo n, comprendiendo en secuencia: - proporcionar el sustrato de silicio multicristalino tipo n con un lado anterior y un lado posterior, siendo el lado anterior el lado de luz incidente; - difundir fósforo en ambos lados de dicho sustrato para constituir una capa de difusión de fósforo en dicho lado anterior y una capa de difusión de fósforo en dicho lado posterior; - depositar una película dieléctrica que comprende hidrógeno sobre dicha capa de difusión de fósforo en dicho lado posterior - eliminar dicha capa de difusión de fósforo en dicho lado anterior; - texturizar dicho lado anterior de dicho sustrato, después de la eliminación de dicha capa de difusión de fósforo, y a continuación - depositar una película delgada de silicio tipo…

(03/04/2012) Procedimiento de fabricación de al menos una placa de silicio policristalino de la cual una de las dos caras tiene un relieve predeterminado, de acuerdo con el cual se deposita una capa de silicio policristalino sobre al menos una de las dos caras de un soporte , siendo el citado soporte una cinta de carbono, caracterizado porque: - se imprime la citada cara del soporte para darla una forma complementaria del citado relieve, - se recubre el citado soporte con un revestimiento protector de grafito pirolitico despues de la impresión de su superficie para darle la citada forma complementaria del relieve, - se deposita la citada capa de silicio policristalino es depositada sobre la citada cara impresa del soporte , adaptandose entonces la superficie (64 o 66) de la citada capa de silicio policristalino…

(21/03/2012) Hilo utilizado para formar un cristal de cinta de hilo que comprende un material cristalino, siendo dichomaterial cristalino silicio, y comprendiendo dicho hilo: - un sustrato de carbono ; - una capa refractaria de carburo de silicio sustentada en el sustrato; y - una capa expuesta exteriormente que forma un ángulo de contacto con el silicio de entre 15 y 120 grados, ypreferiblemente de más de 25 grados, estando dispuesta la capa expuesta exteriormente radialmente hacia elexterior de la capa refractaria.

(21/03/2012) Dispositivo para el ensamblaje automático de los componentes de elementos fotovoltaicos en un proceso de fabricación que se desarrolla de forma continua, en el que diferentes partes de las instalaciones colaboran en una secuencia determinada, con las siguientes características: a) al menos 2 líneas de fabricación para el suministro sincronizado de sustratos, b) al menos 2 puentes de equipamiento (A, B) para el ensamblaje de sustratos, láminas y cristales de vidrio, c) un dispositivo de apilamiento para una alimentación de láminas y una cinta transportadora para la alimentación de cristales de vidrio, d) dispositivos para el centrado y aspiración de las láminas sobre un bastidor de transporte de láminas así como para el centrado y aspiración de las placas de vidrio sobre un bastidor de transporte…

(07/03/2012) Procedimiento para la dotación selectiva de silicio de un sustrato de silicio para la producción de una transición-pn en el silicio con las siguientes etapas: a) provisión de la superficie del sustrato de silicio con un agente de dotación basado en fósforo, b) calentamiento siguiente del sustrato de silicio para la generación de un cristal de silicato de fósforo sobre la superficie del silicio, en el que se difunde al mismo tiempo fósforo en el interior del silicio como primera dotación , c) aplicación de una máscara sobre el cristal de silicato de fósforo , de tal manera que la máscara cubre…

(07/03/2012) Módulo solar de capas delgadas contactado en un solo lado que comprende una capa de soporte, una capa absorbedora fotoactiva y al menos una capa dopante depositada sobre toda la superficie de un lado de la capa absorbedora, así como otras capas funcionales, en donde el paquete de capas delgadas formado por dichas capas está subdividido en zonas de célula solar por medio de zanjas de separación aislantes, y que comprende también un primer sistema de contacto, que presenta elementos de contactado y una capa de contacto que une estos elementos, y un segundo sistema de contacto que presenta una capa de contacto, en el lado de la capa absorbedora alejado de la capa de soporte para la derivación…

(06/02/2012) Procedimiento para la producción de una estructura compuesta estratificada fotoactiva con un macroabsorbente en forma de un substrato de silicio dopado y con un gran número de nanoemisores rectificadores en forma de nanoporos provistos de un metal de revestimiento, los cuales se encuentran por lo menos en una capa de óxido, transparente y aislante de la electricidad, sobre el macroabsorbente, con las siguientes etapas del procedimiento, siendo aplicados todos los potenciales que aparecen frente a un electrodo saturado de calomelanos: I) Producción de nanoporos - Inmersión de un substrato de silicio dopado no tratado en un primer baño de…

(16/11/2011) Dispositivo de posicionamiento para posicionar tarjetas de circuitos electrónicos (12a) con respecto a una unidad operativa que comprende un miembro giratorio configurado para girar de forma selectiva al menos entre una primera posición de funcionamiento y una segunda posición de funcionamiento, y un miembro de posicionamiento configurado para montarse en dicho miembro giratorio , caracterizado porque dicho miembro de posicionamiento comprende al menos un bastidor que se conforma para montarse de forma que se pueda separar en dicho miembro giratorio , y teniendo medios de fijación rápida que se configuran para permitir al menos las conexiones mecánicas y eléctricas recíprocas del bastidor separable a dicho miembro giratorio , y una tira fabricada…

(07/11/2011) Un procedimiento de fabricación de un dispositivo fotovoltaico, comprendiendo el procedimiento: proporcionar un sustrato de vidrio basado en sílice-sosa-cal; texturizar al menos una superficie principal del sustrato de vidrio para formar una superficie texturizada del sustrato de vidrio; después de dicha texturización, formar de forma pirolítica un recubrimiento basado en óxido conductor transparente que comprende óxido de estaño sobre la superficie texturizada del sustrato de vidrio; y usar el recubrimiento basado en óxido conductor transparente formado de forma pirolítica, formado sobre la superficie texturizada del…

(07/09/2011) Procedimiento para la microestructuración, dopado y al menos aplicación por zonas de una capa de nucleación simultáneos de sustratos, en el que se conduce un haz láser dirigido a una superficie del sustrato por las zonas que se van a procesar del sustrato, estando cubierto el sustrato al menos en las zonas del sustrato que se van a procesar por un líquido que contiene reactivo de procesamiento, caracterizado porque como reactivo de procesamiento están contenidos en el líquido un agente decapante, un dopante, al menos un compuesto metálico y un agente reductor

(08/08/2011) Una máquina de serigrafía, que comprende: un marco de impresión que incluye una superficie del marco que tiene una pluralidad de orificios de succión , y fija un objeto que va a ser impreso en la superficie del marco por contacto por vacío; una máscara de impresión para formar un patrón de electrodo predeterminado en el objeto que se va a imprimir fijado al marco de impresión ; una rasqueta que aplica una cantidad de presión predeterminada a una pasta de metal esparcida en la máscara de impresión , para imprimir el patrón de electrodo en el objeto que se va a imprimir; y un cuerpo poroso , dispuesto entre el objeto que se va a imprimir y el marco de impresión , que se caracteriza porque la máquina de serigrafía comprende, además, un medio de fijación para sujetar un borde…

(06/06/2011) Procedimiento para la fabricación de un módulo solar a través de laminación de un cuerpo de capas que está constituido por un primer soporte (T1), sobre el que se aplica al menos una unidad de células solares y un segundo soporte (T2) formado por al menos una lámina (F) intercalada, a base de polivinilacetal que contiene plastificante, caracterizado por calentamiento del cuerpo de capas en al menos un túnel caliente a una temperatura de 50 a 150ºC y prensado siguiente entre al menos una pareja de rodillos

(19/04/2011) Célula solar de capa fina basado en semiconductores de compuestos Ib/IIIa/VIa, que comprende un substrato constituido por una lámina flexible, un electrodo posterior constituido por Cu y In, que se encuentra sobre el substrato , que comprende una capa de absorbente policristalina fotoactiva constituido por una estructura heterogénea de dos fases Ib/IIIa/VIa , que están dispuestas verticalmente en capas una encima de otra, estando dispuesta la primera fase de la capa de absorbente policristalina por encima del electrodo posterior y formada por la fase ternaria de CuIn5S8 del tipo de conducción n y encontrándose la segunda fase de la capa de absorbente…

(14/03/2011) Una célula solar que comprende: una oblea delgada de silicio cristalino que tiene un espesor de menos de 200 micrómetros que comprende una región p acoplada a una región n; una primera capa dieléctrica acoplada a la superficie posterior de la oblea de silicio; una primera capa barrera acoplada a la primera capa dieléctrica para proteger la capa dieléctrica, definiendo la primera capa barrera y la primera capa dieléctrica una abertura a la oblea de silicio; y un contacto posterior acoplado a la oblea de silicio, a la primera capa dieléctrica y a la primera capa barrera para conducir una carga eléctrica, comprendiendo todo el contacto posterior…

(02/03/2011) Procedimiento para la modificación de la superficies en un solo lado por tratamiento químico en fase acuosa, como en particular recubrimiento, de un sustrato plano utilizando un líquido (F) que se encuentra en una cubeta de tratamiento , cuyos componentes químicos son depositados por medio de control adecuado de la temperatura sobre la superficie del sustrato bajo la configuración de una capa duradera, en el que el calentamiento, necesario para la configuración de la capa deseada, del lado inferior del sustrato a recubrir se realiza por medio de al menos un medio adecuado para el calentamiento , que calienta el sustrato desde su lado superior que no debe recubrirse hasta la temperatura necesaria, y en el que el lado superior no es humedecido durante el tratamiento con un líquido calefactor…

(15/02/2011) Un procedimiento, que comprende: formar una capa difundida sobre un sustrato dopado de una oblea de silicio delgada que presenta un grosor de 50 a 200 micrómetros, donde la oblea de silicio presenta una superficie delantera y una superficie trasera; formar por rotación una capa dieléctrica sobre la superficie trasera de la oblea de silicio; formar una capa protectora sobre la capa dieléctrica formada por rotación; aplicar una pasta mordiente sobre el 1 al 10 por ciento del área de superficie de la capa protectora; aplicar un primer tratamiento térmico a la pasta mordiente a una temperatura de 300 a 380 grados Celsius, donde el primer tratamiento térmico se aplica durante un periodo de tiempo de 30 a 45 segundos; y eliminar residuos a partir de una abertura con una disolución que comprende ácido fluorhídrico

(26/10/2010) Procedimiento para la elaboración de un dispositivo semiconductor, comprendiendo dicho procedimiento las etapas posteriores siguientes: (a) conformación de una capa semiconductora porosa en forma de una película delgada sobre un sustrato original , (b) siguiendo inmediatamente a dicha conformación la etapa de separación de dicha película delgada mediante un procedimiento de despegado de dicho sustrato original ; (c) transferencia de dicha película delgada a un soporte artificial , siendo dicha película delgada una película delgada de libre colocación, no unida físicamente ni encolada a dicho soporte…

(30/07/2010) Un aparato de laminación que calienta un objeto (M) que va a ser laminado y que presiona el objeto (M) que va a ser laminado en un estado a modo de emparedado, que comprende: un primer espacio cuya presión interna es ajustable; un segundo espacio que está separado de dicho primer espacio por un diafragma expansible, y cuya presión interna es ajustable; un panel calefactor, previsto en el interior de dicho segundo espacio ; uno o más orificios , proporcionados en el interior de dicho panel calefactor, y uno o más calentadores insertados en el citado orificio , que se caracteriza porque, el aparato comprende además un material de transferencia de calor rellenado en el interior de dicho orificio , en el que dicho orificio está herméticamente cerrado

(30/06/2010) Un procedimiento que comprende: proporcionar un primer precursor sobre un primer sustrato ; proporcionar un segundo precursor sobre un segundo sustrato ; poner en contacto el primer precursor y el segundo precursor; hacer reaccionar el primer precursor y el segundo precursor para formar un producto de reacción química; y mover el primer sustrato y el segundo sustrato entre sí para separar el producto de la reacción química de al menos un miembro seleccionado del grupo constituido por el primer sustrato y el segundo sustrato , caracterizado porque, para controlar la formación de una estructura de dominio de fase separada dentro del producto de la reacción química, se proporciona un constituyente de al menos un miembro seleccionado del grupo constituido por el primer precursor y el segundo precursor en una cantidad que…

(29/06/2010) Un aparato de laminación que lamina un objeto que va a ser laminado (M) en una parte de laminación , el cual tiene un diafragma sobre un lado superior y un panel calefactor sobre un lado inferior mediante la fusión de un producto de relleno dentro de un objeto que va a ser laminado (M) y la compresión del objeto que va a ser laminado (M) emparedado entre el diafragma y el panel calefactor , comprendiendo el aparato : una unidad de laminación que comprende una carcasa superior y una carcasa inferior ; una hoja que transporta el objeto que va a ser laminado (M) situado sobre ella hasta/fuera de la parte de laminación ; y un mecanismo elevador que eleva/baja…

(29/06/2010) Un aparato de laminación que lamina un objeto que va a ser laminado (M) mediante la introducción de un fluido en una cámara superior delimitada por un diafragma y emparedando y comprimiendo el objeto que va a ser laminado (M) situado sobre un panel calefactor por el diafragma expandido por el fluido introducido, comprendiendo el aparato : un mecanismo de calentamiento que calienta el fluido; caracterizado por: una parte de depósito dentro del cual es almacenado el fluido que va a ser introducido en la cámara superior , en el que un contenido interior de la parte de depósito es al menos tan grande como la cámara superior , en el que el mecanismo de calentamiento calienta el fluido almacenado en dicha parte de depósito , y en el que el fluido calentado almacenado en dicha parte…