CIP 2015 : C30B 25/02 : Crecimiento de un lecho epitaxial.

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C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.

C30B 25/02 · Crecimiento de un lecho epitaxial.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

PROCEDIMIENTO DE REALIZACIÓN DE UNA CAPA EPITAXIAL DE NITRURO DE GALIO.

(01/12/2011) Procedimiento de realización de una capa de GaN sobre un substrato ocultado por un dieléctrico, caracterizado porque se realizan las etapas de epitaxis en fase vapor por pirolisis de organometálicos siguientes: (i) nitruración del substrato a una temperatura de 1050-1080 o C por exposición a un flujo de NH3 durante aproximadamente 10 minutos, (ii) formación sobre la superficie del substrato de una película dieléctrica de nitruro de silicio del orden del angström, por reacción a una temperatura de 1080 o C entre NH3 y silano SiH4 introducidos en la fase vapor, (iii) depósito de una capa de nitruro de galio continua, con un espesor de 20 a 30 nm sobre la película de dieléctrico, a baja temperatura del orden de los 600 o C, (iv) recocido a temperatura elevada del orden de los 1080 o C de la capa de GaN así formada y hasta la formación…

CAPA GRUESA DE DIAMANTE MONOCRISTALINO, PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION Y GEMAS PRODUCIDAS A PARTIR DE LA CAPA.

(16/05/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: DE BEERS INDUSTRIAL DIAMOND DIVISION (PROPRIETARY) LIMITED. Inventor/es: SCARSBROOK, GEOFFREY ALAN, MARTINEAU, PHILIP MAURICE, DORN, BARBEL SUSANNE CHARLOTTE, COOPER, ANDREW MICHAEL, COLLINS, JOHN LLOYD, WHITEHEAD, ANDREW JOHN, TWITCHEN, DANIEL JAMES.

Una capa de diamante CVD monocristalino de alta calidad que tiene un espesor de al menos 2 mm y que tiene una o más de las siguientes características: 1) una gran distancia de recolección de carga a 300 K de al menos 100 ìm medida a un campo aplicado de 1 V/ìm; 2) un valor elevado para el producto de la movilidad media y duración de portadores ìô tal que supera 1, 0 x 10-6 cm2/V a 300 K; 3) una movilidad de electrones (ìe) medida a 300 K mayor de 2400cm2V-1s-1; 4) una movilidad de huecos (ìh) medida a 300 K mayor de 2100 cm2V-1s-1; y 5) en el estado desactivado, una resistividad a 300 K mayor de 1012 Ùcm a un campo aplicado de 50 V/ìm.

SISTEMA PARA CARBURIZACION DE SILICIO.

(01/11/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ, Y EN SU NOMBRE Y REPRESENTACION EL RECTOR D. GUILLERMO MARTINEZ MASSANET. Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL, MORALES SANCHEZ,FRANCISCO M., MOLINA RUBIO,SERGIO IGNACIO.

Sistema de carburización de silicio que permite producir, mediante un proceso de carburización, capas de SiC epitaxial, sobre sustratos comerciales como obleas de Si, de SOI, de Si delgado, de Si sobre cuarzo (SIQ), de Si sobre vidrio (SIG) y otros productos de Si crecido epitaxialmente en superficies. El sistema queda integrado por tres partes principales, el reactor de carburización, el sistema de bombeo y el de distribución de gases. El diseño del sistema permite su construcción a un coste notablemente inferior al de los construidos hasta ahora para el mismo fin. El proceso de carburización se lleva a cabo a temperaturas máximas comprendidas entre 1100ºC y 1300ºC haciendo pasar un flujo de una mezcla gaseosa de un hidrocarburo e hidrógeno sobre el sustrato de Si a carburizar, calentado por un horno. El sistema utiliza argón, nitrógeno y vacío, para los ciclos de purga o limpieza.

PROCEDIMIENTO DE CRECIMIENTO CRISTALINO SOBRE SUBSTRATO.

(01/05/2004). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE. Inventor/es: LEYCURAS, ANDRE.

Procedimiento de crecimiento cristalino de un material sobre un primer material sólido , a partir de un material en fusión, sobre el primer material sólido , caracterizado porque comprende: - una etapa (a) de crecimiento del primer material sobre un substrato , constituido por un segundo material , - una etapa (d, d’) en la cual se hacen crecer unas puntas cristalinas del primer material a partir de la intercara del primer material y del material en fusión, imponiendo un gradiente de temperatura en la dirección perpendicular a la superficie libre del material en fusión tal que la intercara entre el primer material y el material en fusión esté a una temperatura más elevada que la temperatura en la superficie libre del material en fusión; - una etapa (f, f’) que consiste en hacer crecer, lateralmente, en un plano principalmente paralelo al de la superficie libre del material en fusión, unos cristales a partir de las puntas cristalinas, invirtiendo el signo del gradiente.

CRECIMIENTO DE CAPAS EPITAXIALES MUY UNIFORMES DE CARBURO DE SILICIO.

(01/04/2003) Método de deposición química en fase de vapor que aumenta la uniformidad del espesor de las capas epitaxiales de carburo de silicio, comprendiendo el método: calentar un reactor a una temperatura de al menos 1500ºC, suficientemente alta para el crecimiento epitaxial de carburo de silicio, pero inferior a la temperatura a la que un gas portador de hidrógeno tendería a mordentar el carburo de silicio; y dirigir el flujo de los gases fuente, incluyendo silano, y los gases portadores, a través del reactor calentado, para formar una capa epitaxial de carburo de silicio en el substrato, estando el flujo de gas dirigido a través …

SISTEMA DE REACTOR EPITAXIAL, SUSCEPTOR Y FLUJO DE GAS.

(01/05/2002) UN REACTOR EPITAXIAL CON UN SUSCEPTOR PLANO EN FORMA DE DISCO CONSTA DE UN PLANO, SUBSTANCIALMENTE DE UNA CAMARA DE REACCION DE CUARZO TUBULAR CONTENIENDO UN DISCO SUSCEPTOR GIRATORIO TENIENDO UNA PLURALIDAD DE INTERVALOS (16A-H) PARA ALOJAMIENTO DE UNA CORRESPONDIENTE PLURALIDAD DE OBLEAS EN FORMA DE DISCO (18A-H) DE MATERIAL PARA SER PROCESADO, UN TANQUE RELLENADO CON UN FLUJO DE LIQUIDO REFRIGERANTE RODEANDO LA SUBSTANCIALMENTE CAMARA TUBULAR , UN INDUCTOR PRIMARIO DE ALIMENTACION SUBSTANCIALMENTE EN FORMA DE ESPIRAL PLANA UBICADA FUERA DE LA CAMARA DE REACCION EN LA PARTE INFERIOR DEL TANQUE PARALELAMENTE AL DISCO…

PROCEDIMIENTO PARA HACER CRECER UNA PELICULA EPITAXIAL SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN OXIDO Y PRODUCTO.

(01/09/2000) UN PROCESO Y ESTRUCTURA EN DONDE UN FILME QUE CONSTA DE UNA PEROVSQUITA O UNA ESPINELA SE CONSTRUYE EPITAXIALMENTE EN UNA SUPERFICIE , COMO UNA SUPERFICIE DE OXIDOS ALCALINOTERREOS, INVOLUCRA LA CONSTRUCCION EPITAXIAL DE PLANOS DE CONSTITUYENTES ALTERNANTES DE OXIDOS METALICOS DE PEROVSQUITA O ESPINELA . LA PRIMERA CAPA DE OXIDO ME TALICO CONTRUIDA SOBRE LA SUPERFICIE INCLUYE UN ELEMENTO METALICO QUE PROPORCIONA UN CATION PEQUEÑO EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PEROVSQUITA O ESPINELA, Y LA SEGUNDA CAPA DE OXIDO METALICO CONSTRUIDA SOBRE LA SUPERFICIE INCLUYE UN ELEMENTO METALICO QUE PROPORCIONA UN CATION GRANDE EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PEROVSQUITA O ESPINELA. LA SECUENCIA DE CAPAS QUE INCLUYE LA CONSTRUCCION DEL FILME REDUCE PROBLEMAS QUE RESULTAN…

PELICULAS FINAS Y ORIENTADAS POLICRISTALINAS DE CALCOGENUROS DE UN METAL DE TRANSICION.

(01/11/1999). Solicitante/s: YEDA RESEARCH AND DEVELOPMENT COMPANY, LTD.. Inventor/es: TENNE, RESHEF, HODES, GARY, MARGULIS,LEV.

SE DESCRIBE UN METODO PARA PREPARAR UNA CAPA DELGADA POLICRISTALINA O UNA RED POLIHEDRICA DE SECCION TRANSVERSAL CIRCULAR O NANOTUBULAR DE UN CALCOGENIDO METALICO DE TRANSICION, QUE INCLUYE (A) DEPOSITAR UNA CAPA DE UN MATERIAL METALICO DE TRANSICION O SUS MEZCLAS SOBRE EL SUSTRATO; Y (B) CALENTAR LA CAPA EN UNA ATMOSFERA GASEOSA QUE CONTIENE UNO O MAS MATERIALES CALCOGENIDOS POR UN TIEMPO SUFICIENTE PARA PERMITIR QUE EL MATERIAL DE TRANSICION Y EL CALCOGENIDO REACCIONEN Y FORMEN LA CAPA DELGADA POLICRISTALINA ORIENTADA.

FILM DE DIAMANTE EPITAXIAL DE CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO Y SU PREPARACION.

(01/01/1996) ESTA INVENCION ESTA DIRIGIDA A LA PRODUCCION DE UN DIAMANTE DE UN SOLO CRISTAL COMPUESTO DE CARBONO-12 O CARBONO-13 ISOTOPICAMENTE PURO. SE CREE QUE EL PRODUCTO ES IGUAL QUE UN DIAMANTE EN LA SERIE DE APLICACION 448.469 PERO ESTA HECHO POR UN METODO DIFERENTE. EN ESTA INVENCION, SE HACE CRECER UN CRISTAL UNICO ISOTOPICAMENTE PURO DE DIAMANTE EN UN SUSTRATO DE CRISTAL UNICO DIRECTAMENTE DEL CARBONO-12 O CARBONO-14 ISOTOPICAMENTE PURO. UN METODO PARA FORMAR DIAMANTE ISOTOPICAMENTE PURO DE UN SOLO CRISTAL COMPRENDE LAS FASES DE EMPLAZAR EN UNA CAMARA DE REACCION UN SUSTRATO CRISTALINO CALENTANDOLO A UNA TEMPERATURA ELEVADA DE FORMACION DE DIAMANTE…

COMPUESTOS DE ELEMENTOS ORGANICOS PARA EMPLEARLOS EN ZONAS ELECTRONICAS.

(16/04/1995). Solicitante/s: PPM PURE METALS GMBH. Inventor/es: ZIMMER, MICHAEL.

LA INVENCION SE REFIERE A UNOS COMPUESTOS; QUE SE FORMAN A BASE DE ELEMENTOS ORGANICOS; SE CARACTERIZAN A TRAVES DE UNA O VARIAS CONFORMACIONES DE NITROGENO CON ELEMENTOS ORGANICOS Y SE EMPLEAN PARA LA PRODUCCION DE CAPAS EPITACTICAS O PELICULAS DELGADAS A TRAVES DE SEPARACION DE FASES DE GAS.

MATERIAL COMPUESTO.

(16/11/1994). Solicitante/s: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.. Inventor/es: YOSHIDA, KATSUHITO, TSUJI, KAZUSWO.

MATERIAL COMPUESTO UTIL COMO DIODO CAPAZ DE OPERAR A ALTAS TEMPERATURAS COMO, POR EJEMPLO, DE 500 A 600 C O UN MECANISMO OPTICO SEMICONDUCTOR CAPAZ DE EMITIR RAYOS ULTRAVIOLETAS. CONTIENE UN CRISTAL DE DIAMANTE CON AISLAMIENTO ELECTRICO Y UN CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO, FORMADO EN UNA CARA DEL CRISTAL DE DIAMANTE COMO UN SUSTRATO, DE TAL MANERA QUE EN EL CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO TIENE EL MISMO INDICE DE PLANO QUE EL SUSTRATO.

DESARROLLO EPITAXIAL EN FASE DE VAPOR DE SEMICONDUCTORES COMPUESTOS DEL GRUPO III-V, A BASE DE INDIO, DOPADOS POR HIERRO.

(16/05/1993). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: JOHNSTON, WILBUR DEXTER, JR., LONG, JUDITH ANN, WILT, DANIEL PAUL.

UNA REGION SEMICONDUCTORA III-V, A BASE DE INDIO, DOPADA CON HIERRO , SE DEPOSITA SOBRE UN SUBSTRATO A PARTIR DE UN GAS PRECURSOR QUE COMPRENDE UN GAS INERTE, TAL COMO NITROGENO, UN COMPUESTO DOPANTE VOLATIL, TAL COMO FECL2, UN COMPUESTO DE INDIO VOLATIL, TAL COMO INCL Y UN HIDRURO DEL GRUPO V, TAL COMO FOSFINA. SE LIMITA LA CONCENTRACION DE HIDROGENO EN EL GAS PRECURSOR PARA EVITAR EXCESIVA PRECIPIATCION DE HIERRO. SE HA ENCONTRADO POSIBLE PRODUCIR REGIONES INP CON UNA RESISTIVIDAD EN EXCESO DE 108 OHMIOS-CM.

CRECIMIENTO DE PARTICULAS DE DIAMANTE EN LECHO FLUIDIZADO.

(01/04/1993). Solicitante/s: CRYSTALLUME. Inventor/es: PINNEO, JOHN MICHAEL.

SE OFRECE UN CRECIMIENTOPARA FORMAR DIAMANTES SINTETICOS POR DEPOSICION DE VAPOR DE UNA FUENTE DE GAS DE CARBONO, EN PRESENCIA DE HIDROGENO ATOMICO, SOBRE UN SUSTRATO CONTENIDO EN UN LECHO FLUIDIZADO. EL DIAMANTE PUEDE RECUBRIRSE POR DEPOSICION DE VAPOR DE UN MATERIAL NO DIAMANTINO.

CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE DE VAPOR ORGANOMETALICO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO II-VI.

(16/03/1992). Solicitante/s: AMERICAN CYANAMID COMPANY. Inventor/es: VALENTINE, DONALD, JR., BROWN, DUNCAN WILLIAM.

UN PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UNA O MAS CAPAS EPITAXIALES DEL GRUPO II-VI SOBRE UN SUSTRATO CRISTALINO, DIRIGIENDO FLUJOS DE UNO O MAS COMPONENTES DEL GRUPO II Y UN VAPOR ORGANOMETALICO DEL GRUPO VI SOBRE UN SUSTRATO CALENTADO, EN EL QUE LOS VAPORES REACCIONAN PARA FORMAR LA CAPA O CAPAS EPITAXIALES Y SE MEJORA EN TERMINOS DE TEMPERATURAS DE REACCION MAS BAJAS Y DE UNA MAYOR CALIDAD DEL PRODUCTO, SI SE UTILIZA, COMOFUENTE DE VAPOR ORGANOMETALICO DEL GRUPO VI, UN COMPUESTO DE TELURO DE LA FORMULA (I) EN LA QUE R1 Y R2 SON, INDEPENDIENTEMENTE, HIDROGENO O ALQUILO DE 1 A 4 CARBONOS, PREFERIBLEMENTE, HIDROGENO.

UN METODO PARA EL CRECIMIENTO DE COMPUESTOS SEMICONDUCTORES EPITAXICOS DE LOS GRUPOS III-V SOBRE UN SUBSTRATO.

(16/04/1986). Solicitante/s: BELL COMMUNICATIONS RESEARCH, INC.

METODO PARA EL CRECIMIENTO DE PELICULAS EPITAXICAS DE COMPUESTOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDE: A) CALENTAR A UN MATERIAL GENERADOR DEL GRUPO V EN ESTADO SOLIDO A 450JC, PARA PRODUCIR UNA CORRIENTE DE VAPOR DEL MISMO; B) DILUIR A LA CORRIENTE DE VAPOR DEL MATERIAL DEL GRUPO V CON HIDROGENO PARA EVITAR LA CONDENSACION DE LOS VAPORES DEL MISMO AL BAJAR LA TEMPERATURA EN DICHOS VAPORES; C) FORMAR UNA CORRIENTE DE VAPOR DEL MATERIAL DEL GRUPO III; D) CALENTAR AL SUBSTRATO ENTRE 475 Y 750JC Y E) CONFLUIR A LAS CORRIENTES DE VAPOR DE MATERIAL DEL GRUPO V Y DEL GRUPO III SOBRE EL SUBSTRATO, PARA DEPOSITAR A LOS MATERIALES CONTENIDOS EN DICHAS CORRIENTES SOBRE EL SUBSTRATO. EL MATERIAL DEL GRUPO III ES UN COMPUESTO ORGANOMETALICO COMO TRIMETILGALIO; EL MATERIAL DEL GRUPO V ES ARSENICO O ARSENIOSO DE GALIO Y EL SUBSTRATO ES UNA PASTILLA DE ARSENIOSO DE GALIO. SE UTILIZA PARA CUBRIR DISPOSITIVOS DE LATEX Y DIODOS EMISORES DE LUZ.

MEJORAS EN O RELATIVAS A, LA PRODUCCIÓN DE SILICIO.

(16/09/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, SOCIEDAD ANONIMA.

Mejoras en o relativas a la producción de silicio caracterizadas por un método de producir un cuerpo cohesivo de silicio sustancialmente puro, que comprende calentar una superficie a la temperatura de descomposición del silano, pasar gas silano en una concentración molecular sustancialmente menor a normal sobre dicha superficie, y pasar otro gas al interior del volumen que circunda dicho gas silano de tal modo que dicho otro gas se mantiene a una temperatura inferior a dicha temperatura de descomposición, siendo dicho otro gas uno que sea inerte al gas silano y a los productos de descomposición del silano.