CIP 2015 : H01L 31/0747 : comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos,

p.ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT ®.

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H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/0747 · · · · · comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p.ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT ®.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Célula solar, módulo de célula solar y procedimiento de fabricación de célula solar.

(01/07/2020) Una célula solar que comprende un primer sustrato de silicio de tipo conductor , una segunda capa de silicio amorfo de tipo conductor colocada en un primer lado de la superficie principal del sustrato de silicio , y una primera capa de silicio amorfo de tipo conductor colocada en un segundo lado de la superficie principal del sustrato de silicio , en la que el sustrato de silicio tiene una región de bajo dopaje que ha sido dopada para ser un primer tipo conductor, una primera región de alto dopaje del lado de la superficie principal que es proporcionada entre la región de bajo dopaje y la segunda capa de silicio amorfo de tipo conductor y tiene…

Célula solar.

(16/10/2019) Célula solar (1, 1a, 1b, 1c) que tiene un lado frontal para la incidencia de la luz y un lado posterior opuesto al lado frontal , comprendiendo dicha célula solar (1, 1a, 1b, 1c): - un sustrato semiconductor cristalino de un primer tipo de conductividad o de un segundo tipo de conductividad que es opuesto al primer tipo de conductividad; - una región de pasivación del lado frontal formada por al menos una capa de pasivación y al menos una capa conductora del primer tipo de conductividad; - una región de pasivación del lado posterior formada por al menos una capa de pasivación y al menos una capa conductora del segundo tipo de conductividad; - un contacto del lado frontal formado en la superficie…

Célula solar con contactos de heterounión semiconductores dopados y procedimiento para su fabricación.

(15/05/2019). Solicitante/s: SunPower Corporation. Inventor/es: COUSINS,PETER JOHN.

Una célula solar que comprende: un sustrato de silicio ; y una capa de óxido con efecto túnel sobre una superficie trasera del sustrato , un primer contacto semiconductor dopado sobre la capa de óxido con efecto túnel, y caracterizada por que un segundo contacto semiconductor dopado formado sobre el primer contacto semiconductor dopado y en una abertura a través del primer contacto semiconductor dopado y en contacto con la capa de óxido con efecto túnel , donde, los contactos semiconductores dopados primero y segundo tienen tipos de conductividad opuestos y una capa aislante entre el primer contacto semiconductor dopado y el segundo contacto semiconductor dopado.

PDF original: ES-2729999_T3.pdf

Procedimiento de fabricación de un sistema de contacto posterior para una célula solar de capa fina de silicio.

(20/02/2019) Procedimiento para la fabricación de un sistema de contacto posterior para una célula solar de capa fina de silicio, con una unión pn formada por una capa absorbente de silicio y una capa emisora , que presenta al menos los pasos de procedimiento de - aplicación de una capa de TCO a la capa emisora , - aplicación de una capa aislante orgánica a la capa de TCO , - después, creación de agujeros de contacto (L2, L3) en la capa aislante hasta la capa absorbente (KA) y la capa emisora (KE), para lo que - los agujeros para los contactos con la capa absorbente (KA) se practican en la capa aislante realizando…

Célula fotovoltaica con heterounión y procedimiento de fabricación de dicha célula.

(07/09/2016) Célula fotovoltaica con heterounión que comprende un sustrato de un material semiconductor dopado, en la que: - una primera cara principal (1A) de dicho sustrato está recubierta sucesivamente de una capa de pasivación (2A), de una capa (3A) de un material semiconductor dopado del tipo opuesto al del sustrato , que forma el emisor de dicha célula, y de un electrodo (4A), - la segunda cara principal (1B) de dicho sustrato está recubierta sucesivamente de una 10 capa de pasivación (2B), de una capa (3B) de un material semiconductor dopado del mismo tipo que el sustrato, que forma un campo repulsivo (BSF) para los portadores minoritarios del sustrato, y de un electrodo (4B), estando dicha célula caracterizada por que: - el material de la capa de pasivación (2A) en el lado de emisor (E) se selecciona…

Célula fotovoltaica que comprende una película delgada de pasivación de óxido cristalino de silicio y procedimiento de realización.

(17/02/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Inventor/es: RIBEYRON,PIERRE-JEAN, MUR,PIERRE, MORICEAU,HUBERT.

Célula fotovoltaica con heterounión que comprende un sustrato de silicio cristalino que presenta un tipo de impurificación dado y una capa de silicio amorfo o micro-cristalino , caracterizada porque consta al menos de una película delgada de óxido cristalino de silicio , dispuesta directamente sobre una cara (1a, 1b) del sustrato , entre dicho sustrato y dicha capa de silicio amorfo o micro-cristalino.

PDF original: ES-2560216_T3.pdf

Celda solar contactada en la cara trasera con una capa de absorbente no estructurada superficialmente en relieve.

(13/01/2016) Celda solar contactada en la cara trasera con por lo menos * una capa de absorbente y una capa de emisor dispuesta en la cara trasera, las cuales están constituidas a base de unos materiales semiconductores respectivamente con unos dopajes opuestos tipos p y n, * una rejilla de contacto metálica dispuesta entre la capa de absorbente y la capa de emisor , que está aislada eléctricamente frente a la capa de emisor por medio de una rejilla de aislamiento congruente, destinada a la recogida de los portadores de carga mayoritarios en exceso que son generados por la incidencia de la luz en la capa de absorbente , teniendo los elementos de aislamiento de la rejilla de aislamiento una anchura de…

Célula solar unilateralmente contactada con transcontactados y procedimiento de fabricación.

(21/05/2014) Célula solar unilateralmente contactada constituida por al menos una capa absorbedora estructurada con transcontactados y una capa emisora de materiales semiconductores de diferente dopado dispuesta sobre toda la superficie de un lado de la capa absorbedora, en donde se generan portadores de carga excedentes en la capa absorbedora por efecto de la incidencia de la luz, se separan estos portadores en la transición pn entre la capa absorbedora y la capa emisora, y se acumulan y evacuan dichos portadores de carga a través de dos sistemas de contacto dispuestos conjuntamente sobre un lado de la capa absorbedora, eléctricamente contactados desde fuera y aislados uno respecto de otro, y en donde uno de los sistemas de contacto está dispuesto sobre la capa absorbedora y está configurado como una rejilla de contacto que está cubierta al menos en todo su…

Conexión entre células solares en un módulo que utiliza unión por termocompresión y dicho módulo fabricado.

(27/11/2013) Módulo de células solares que comprende unas células solares primera y segunda dispuestas en una línea en una primera dirección y un elemento de cableado que conecta eléctricamente las células solares primera y segunda, en el que las células solares primera y segunda incluyen cada una una parte de conversión fotoeléctrica configurada para producir portadores fotogenerados al recibir luz y un electrodo de recogida que está formado sobre una superficie principal de la parte de conversión fotoeléctrica y que está configurado para recoger los portadores fotogenerados, el elemento de cableado está provisto en la primera dirección sobre las superficies principales de las células solares primera y segunda, una resina…

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