Polímeros a base de etileno formados mediante polimerizaciones por radicales libres a alta presión.

Un proceso para formar un polímero a base de etileno, en presencia de al menos un radical libre,

comprendiendo dicho proceso al menos los siguientes aspectos:

polimerizar una mezcla que comprende etileno, en un sistema de reactor tubular que comprende al menos tres alimentaciones basadas en etileno, y una configuración de reactor que comprende al menos cuatro zonas de reacción, y

en donde la relación en peso de "la alimentación basada en etileno a la segunda zona de reacción (EBF2)" con respecto a "la alimentación basada en etileno a la primera zona de reacción (EBF1)", EBF2/EBF1, es de 0,50 a 1,10;

y en donde la relación en peso de "la alimentación basada en etileno a la tercera zona de reacción (EBF3)" con respecto a "la alimentación basada en etileno a la primera zona de reacción (EBF1)", EBF3/EBF1, es de 0,40 a 2,50; y

en donde en cada zona de reacción, la polimerización tiene lugar a una temperatura inicial superior o igual a 135°C;

y en donde se cumple al menos una de las siguientes condiciones:

(a) para tres o más corrientes de alimentación basadas en etileno, las temperaturas pico de polimerización en la primera y la segunda zonas de reacción son, cada una, independientemente, de 200°C a 250°C; o

(b) para cuatro o más corrientes de alimentación basadas en etileno, las temperaturas pico de polimerización en la primera, la segunda y la tercera zonas de reacción, son cada una, independientemente, de 200°C a 250°C;

y en donde el diferencial de temperatura entre las temperaturas pico de las tres primeras zonas de reacción cumple al menos una de las siguientes relaciones:

i) TP1 > TP2, y 10°C ≤ Δ (TP1-TP2) ≤ 30°C; y/o

ii) TP1 > TP3 y 10°C ≤ Δ (TP1-TP3) ≤ 30°C; y/o

iii) TP1 ≥ TP2, y TP1 > TP3, y 0°C ≤ Δ (TP1-TP2) ≤ 30°C, y 10°C ≤ Δ (TP1-TP3) <30°C; y/o

iv) TP1 > TP2, y TP1 ≥ TP3, y 10°C ≤ Δ (TP1-TP2) ≤ 30°C, y 0°C ≤ Δ (TP1-TP3) ≤ 30°C; y en donde TP1 es la temperatura pico de la primera zona de reacción (TP1), TP2 es la temperatura pico de la segunda zona de reacción, y TP3 es la temperatura pico de la tercera zona de reacción, y en donde la corriente de alimentación basada en etileno a la primera reacción la zona es del 20% en peso al 50% en peso del total de la(s) corriente(s) de alimentación basada(s) en etileno alimentada(s) al sistema del reactor.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2017/038786.

Solicitante: Dow Global Technologies LLC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 2040 DOW CENTER MIDLAND, MI 48674 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: BERBEE,OTTO J, HOSMAN,CORNELIS J.F, FLORES,JOAQUIN, DANG,NHI T. Y.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C08F10/02 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C08 COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES.C08F COMPUESTOS MACROMOLECULARES OBTENIDOS POR REACCIONES QUE IMPLICAN UNICAMENTE ENLACES INSATURADOS CARBONO - CARBONO (producción de mezclas de hidrocarburos líquidos a partir de hidrocarburos de número reducido de átomos de carbono, p. ej. por oligomerización, C10G 50/00; Procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la síntesis de un compuesto químico dado o de una composición dada, o para la separación de isómeros ópticos a partir de una mezcla racémica C12P; polimerización por injerto de monómeros, que contienen uniones insaturadas carbono-carbono, sobre fibras, hilos, hilados, tejidos o artículos fibrosos hechos de estas materias D06M 14/00). › C08F 10/00 Homopolímeros y copolímeros de hidrocarburos alifáticos insaturados que tienen solamente un enlace doble carbono-carbono. › Eteno.
  • C08F2/01 C08F […] › C08F 2/00 Procesos de polimerización. › caracterizados por elementos particulares del aparato de polimerización utilizado.
  • C08F2/34 C08F 2/00 […] › Polimerización en estado gaseoso.

PDF original: ES-2802799_T3.pdf

 

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