Sistema de puesta en fase de un gran número de fuentes láser.

Sistema de puesta en fase de M fuentes láser con la misma longitud de onda centrada alrededor de λ

0, que presenta una configuración espacial periódica, siendo M un número entero >2, que comprende:

- unos medios para colimar y dirigir los M haces procedentes de las fuentes en un elemento óptico difractivo de recombinación (1) 5 con una red de fase periódica, con un ángulo de incidencia θ2k diferente de un haz al otro, estando determinados estos ángulos de incidencia en función del período de la red, y

- unos medios de control de las fases de dichas fuentes a partir de una señal de contrarreacción procedente de los haces recombinados,

- unos medios (5) de toma de muestra de una fracción (12) de los haces recombinados,

- en la trayectoria de esta fracción de los haces recombinados, una lente de Fourier (6) que tiene un plano objeto y un plano imagen, con el elemento óptico difractivo de recombinación (1) en su plano objeto,

- una matriz de detectores (7) en el plano imagen de la lente de Fourier (6), apta para detectar distribuciones de intensidad de la fracción de los haces recombinados,

caracterizado porque comprende:

- unos medios (8) de cálculo de la señal de contrarreacción a partir de estas distribuciones de intensidad que comprenden unos medios de cálculo del producto de la distribución de las intensidades detectadas en el plano de la matriz de los detectores por la inversa de una matriz de dimensión (2M-1) x (2M-1) para M impar y 2M x 2M para M par, definida por coeficientes obtenidos por el desarrollo en serie de Fourier de la fase del elemento óptico difractivo de recombinación tomada en un periodo.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/061524.

Solicitante: THALES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: Tour Carpe Diem, Place des Corolles, Esplanade Nord 92400 Courbevoie FRANCIA.

Inventor/es: BOURDERIONNET,JÉRÔME, BRIGNON,ARNAUD.

Fecha de Publicación: 14 de Marzo de 2019.

Clasificación Internacional de Patentes:

G02B6/42 FISICA. › G02 OPTICA. › G02B ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene prioridad; elementos ópticos especialmente adaptados para ser utilizados en los dispositivos o sistemas de iluminación F21V 1/00 - F21V 13/00; instrumentos de medida, ver la subclase correspondiente de G01, p. ej. telémetros ópticos G01C; ensayos de los elementos, sistemas o aparatos ópticos G01M 11/00; gafas G02C; aparatos o disposiciones para tomar fotografías, para proyectarlas o para verlas G03B; lentes acústicas G10K 11/30; "óptica" electrónica e iónica H01J; "óptica" de rayos X H01J, H05G 1/00; elementos ópticos combinados estructuralmente con tubos de descarga eléctrica H01J 5/16, H01J 29/89, H01J 37/22; "óptica" de microondas H01Q; combinación de elementos ópticos con receptores de televisión H04N 5/72; sistemas o disposiciones ópticas en los sistemas de televisión en colores H04N 9/00; disposiciones para la calefacción especialmente adaptadas a superficies transparentes o reflectoras H05B 3/84). › G02B 6/00 Guías de luz; Detalles de estructura de las disposiciones que comprenden guías de luz y otros elementos ópticos, p. ej. medios de acoplamiento. › Acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos.
H01S3/23 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › Disposiciones de varios láseres no previstas en H01S 3/02 - H01S 3/14, p. ej. disposición en serie de dos medios activos separados (comprendiendo únicamente láseres de semiconductor H01S 5/40).

PDF original: ES-2704111_T3.pdf

Patentes similares o relacionadas:

Dispositivo de soporte de elementos cromóforos, del 3 de Junio de 2020, de Genewave: Dispositivo de tipo biochip que comprende un sustrato cuya capa superficial forma una guía de onda plana , llevando dicha capa superficial elementos […]

Cápsula endomicroscópica para adquirir imágenes de la superficie de un órgano hueco, del 1 de Enero de 2020, de Ovesco Endoscopy AG: La cápsula endomicroscópica que tiene una longitud axial predeterminada y un diámetro menor que la longitud axial, la cápsula endomicroscópica […]

Método y aparato para montar componentes ópticos, del 1 de Enero de 2020, de M Squared Lasers Limited: Un aparato de montaje óptico para montar uno o más componentes ópticos , comprendiendo el aparato una placa base que tiene una primera superficie en la […]

Aparato emisor de luz de alto brillo, del 11 de Diciembre de 2019, de Signify Holding B.V: Un aparato emisor de luz que comprende: una fuente de luz de alta intensidad dispuesta para emitir luz de una primera longitud de onda sobre un miembro conversor […]

Alineación submicrónica de una fibra de monitorización para la realimentación óptica en un sistema de iluminación oftálmica, del 30 de Octubre de 2019, de ALCON, INC: Un sistema oftálmico de endo-iluminación, que comprende: una fuente de luz configurada para producir un haz de luz ; un condensador ; […]

Clavija conectora óptica con obturador, del 4 de Septiembre de 2019, de Honda Tsushin Kogyo Co., Ltd: Una clavija conectora óptica con un obturador configurada para ser encajada en un adaptador de conector óptico , comprendiendo la clavija conectora óptica: […]

Módulo conectable con factor de forma pequeño y método para habilitar la interconexión de un dispositivo anfitrión y dicho módulo conectable con factor de forma pequeño, del 21 de Agosto de 2019, de TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (PUBL): Módulo conectable con factor de forma pequeño para permitir la interconexión a un dispositivo anfitrión, en el que dicho módulo está […]

Fuente de luz de semiconductor y procedimiento para fabricar una fuente de luz de semiconductor, del 14 de Agosto de 2019, de FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.: Un procedimiento para fabricar una fuente de luz de semiconductor que comprende un sustrato , una secuencia de capas dispuesta encima del sustrato que comprenden […]