Selectividad mejorada en un proceso de ataque químico de difluoruro xenón.
Un método de ataque químico de silicio (Si) en una cámara de proceso para producir una o más microestructuras,
comprendiendo el método las etapas de:
(a) producir un vapor de material de ataque químico que comprende difluoruro de xenón (XeF2) a partir de una fuente de material de ataque químico;
(b) transportar vapor de material de ataque químico a la cámara de proceso suministrando un gas portador a la fuente de material de ataque químico, transportando a continuación el gas portador el vapor de material de ataque químico a la cámara de proceso; y
(c) introducir un gas secundario que consiste en hidrógeno en la cámara de proceso, en donde el gas secundario reacciona con subproductos de ataque químico de silicio (Si).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2010/051611.
Solicitante: Memsstar Limited.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: Starlaw Park Starlaw Road Livingston EH54 8SF REINO UNIDO.
Inventor/es: O\'HARA,Anthony.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B81C1/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B81 TECNOLOGIA DE LAS MICROESTRUCTURAS. › B81C PROCEDIMIENTOS O APARATOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA LA FABRICACION O EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS O SISTEMAS DE MICROESTRUCTURA (fabricación de microcápsulas o de microbolas B01J 13/02; procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de elementos piezoeléctricos o electroestrictivos o magnetoestrictivos en sí H01L 41/22). › Fabricación o tratamiento de dispositivos o de sistemas en o sobre un substrato (B81C 3/00 tiene prioridad).
- H01L21/3065 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.
- H01L21/3213 H01L 21/00 […] › Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.
PDF original: ES-2732128_T3.pdf
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