Rastreador de envolvente de bajo consumo de energía y baja tensión.
Un aparato (150) que comprende:
un inductor (162) que funciona para recibir una señal de conmutación y proporcionar una corriente de alimentación;
un conmutador (160b) que funciona para detectar una corriente de entrada (Isen) y generar la señal de conmutación para cargar y descargar el inductor para proporcionar la corriente de alimentación, el conmutador (160b) añadiendo un desfase a la corriente de entrada para generar una corriente de alimentación más grande mediante el inductor que sin el desfase
un amplificador de envolvente (170a) que funciona para recibir una señal de envolvente y proporcionar una segunda corriente de alimentación (Ienv) en base a la señal de envolvente, en la que una corriente de alimentación total (Ipa) comprende la corriente de alimentación desde el conmutador (160b) y la segunda corriente de alimentación desde el amplificador de envolvente (170a) y en el que además el amplificador de envolvente comprende un primer transistor NMOS (316) y un primer transistor PMOS (314), proporcionando conjuntamente el primer transistor NMOS y el primer transistor PMOS la segunda corriente de alimentación en base a la señal de envolvente; y
un convertidor tipo Boost (180) que funciona para recibir una primera tensión de alimentación y proporcionar una tensión de alimentación elevada que tiene una tensión más alta que la primera tensión de alimentación, en la que el amplificador de envolvente funciona selectivamente basándose en la primera tensión de alimentación o en la tensión de alimentación elevada.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E17177957.
Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: SUTTON,TODD,R, MATHE,LENNART K, MARRA,THOMAS DOMENICK.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H03F1/02 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03F AMPLIFICADORES (medidas, ensayos G01R; amplificadores ópticos paramétricos G02F; circuitos con tubos de emisión secundaria H01J 43/30; másers, lásers H01S; amplificadores dinamoeléctricos H02K; control de la amplificación H03G; dispositivos para el acoplamiento independientes de la naturaleza del amplificador, divisores de tensión H03H; amplificadores destinados únicamente al tratamiento de impulsos H03K; circuitos repetidores en las líneas de transmisión H04B 3/36, H04B 3/58; aplicaciones de amplificadores de voz a las comunicaciones telefónicas H04M 1/60, H04M 3/40). › H03F 1/00 Detalles de amplificadores que tienen como elementos de amplificación solamente tubos de descarga, solamente dispositivos semiconductores o solamente componentes no especificados. › Modificaciones de los amplificadores para aumentar su rendimiento, p. ej. etapas clase A de pendiente deslizante, utilización de una oscilación auxiliar.
PDF original: ES-2736156_T3.pdf
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