MÉTODO DE OBTENCIÓN DE UNA NANOMALLA DE GRAFENO.
La presente invención es un método para la obtención de una nanomalla de grafeno,
que comprende la irradiación de una superficie de grafeno con radiación láser ultrarrápida en presencia de especies oxidativas, en el que un pulso de energía de radiación láser de un haz de láser pulsado se configura por debajo del umbral de ablación de un enlace de carbono de dos dimensiones, y se dirige el haz de láser sobre el grafeno para obtener una estructura de grafeno poroso que forma dicha nanomalla. Este es un método para la formación local directa de una nanomalla de grafeno de alta pureza sin máscara.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2018/070025.
Solicitante: ASOCIACION DE INVESTIGACION METALURGICA DEL NOROESTE.
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: ROMERO ROMERO,PABLO, BOBRINETSKIY,Ivan, OTERO RAMUDO,Nerea, EMELIANOV,Aleksei.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B32/194 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 32/00 Carbono; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; percarbonatos C01B 15/10; negro de carbón C09C 1/48). › Tratamiento posterior.
- H01S3/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00).
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